Samsung et ASML élargissent le partenariat High NA EUV pour les puces de prochaine génération

Samsung Electronics et ASML ont annoncé une extension de leur partenariat stratégique de longue date le 8 septembre 2026, approfondissant la collaboration sur la lithographie High NA EUV et les technologies avancées de fabrication de semi-conducteurs. Dans le cadre de l’accord élargi, Samsung rejoindra une initiative industrielle visant à faire progresser la technologie des photomasques de 12 pouces de prochaine génération et prévoit d’introduire la lithographie extrême ultraviolet High NA d’ASML dans la production à haut volume de DRAM d’ici 2028, une première pour le secteur, selon annonce conjointe des entreprises.

Les deux sociétés ont déclaré qu’elles travailleront ensemble pour accélérer le développement et le déploiement de technologies répondant aux exigences croissantes de performance et d’efficacité de la fabrication avancée de semi-conducteurs. Cette collaboration s’appuie sur des années de coopération entre le fournisseur néerlandais d’équipements de lithographie et le fabricant sud-coréen de puces.

Initiative Photomasque de 12 pouces

Samsung rejoindra l’initiative industrielle visant à faire progresser la technologie des photomasques de 12 pouces de prochaine génération pour la fabrication future. L’industrie des semi-conducteurs s’est appuyée pendant des décennies sur le format de photomasque de 6 pouces. Avec High NA EUV, la transition vers des masques plus grands, de 12 pouces, devrait encore augmenter la productivité des usines, réduire les coûts de fabrication des puces et éliminer les contraintes de couture, indique l’annonce.

Le format de masque plus grand vise à permettre aux fabricants de puces avancées d’exploiter pleinement les avantages du High NA EUV, rendant les générations futures de puces de pointe plus rentables. Samsung a déclaré qu’elle travaillera en étroite collaboration avec les partenaires de l’industrie pour développer les technologies de masques requises et l’infrastructure de soutien, en s’appuyant sur son leadership tant dans la fabrication de mémoires que de fonderies ainsi que sur son expérience approfondie de la lithographie EUV avancée.

High NA EUV dans la fabrication de DRAM

Samsung prévoit également d’introduire la lithographie High NA EUV d’ASML dans la production à haut volume de DRAM future, une première dans l’industrie d’ici 2028. L’entreprise a indiqué que cette initiative démontre la disponibilité de la technologie High NA pour soutenir les applications avancées de mémoire et de logique. Le High NA EUV devrait prolonger la feuille de route de mise à l’échelle de la DRAM, une résolution améliorée permettant de simplifier les processus et d’accroître l’efficacité, selon l’annonce.

Les systèmes High NA EUV augmentent l’ouverture numérique des optiques de projection de 0,33 à 0,55, permettant d’imprimer des structures plus fines sur la plaquette.

Les entreprises ont décrit l’annonce comme le reflet d’un engagement commun envers l’innovation, le leadership technologique et un partenariat à long terme. Samsung et ASML s’attendent à poursuivre l’exploration d’opportunités de collaboration dans des domaines tels que la mémoire avancée et les approches de fabrication innovantes.

Déclarations des dirigeants

Young Hyun Jun, vice-président et PDG de Samsung Electronics, a déclaré que l’ère de l’IA transforme l’industrie des semi-conducteurs et augmente l’importance de l’innovation technologique sur l’ensemble de la chaîne de valeur. « Samsung s’engage à maintenir son leadership dans la fabrication avancée de semi-conducteurs, y compris la mémoire et la fonderie, grâce à des technologies de rupture et à des partenariats solides », a déclaré Jun. « En renforçant davantage notre collaboration avec ASML, nous contribuons à poser les bases de la prochaine génération d’IA et d’innovation en semi-conducteurs. »

Christophe Fouquet, président-directeur général d’ASML, a déclaré que Samsung a été l’un des partenaires d’innovation les plus importants d’ASML depuis de nombreuses années et que les deux sociétés ont contribué à faire progresser les technologies qui sous-tendent la fabrication moderne de semi-conducteurs. « Alors que l’industrie entre dans une nouvelle ère guidée par l’intelligence artificielle, une collaboration étroite avec nos clients devient encore plus importante », a déclaré Fouquet. « Nous sommes impatients de travailler avec Samsung pour permettre la prochaine vague d’innovation en semi-conducteurs. »

Samsung a publié une annonce correspondante dans son newsroom mondial contenant les mêmes termes et déclarations des dirigeants, datée du 8 septembre 2026, depuis Séoul, Corée, et Veldhoven, Pays‑bas.

Perspectives d’avenir

L’introduction prévue en 2028 du High NA EUV dans la production à haut volume de DRAM et les bénéfices attendus de la transition vers les photomasques de 12 pouces constituent des déclarations prospectives faites par les entreprises à la date de l’annonce. ASML a indiqué dans le communiqué que de telles déclarations comportent des risques et des incertitudes, notamment des risques liés à la collaboration stratégique, à la transition des photomasques et à l’adoption ainsi qu’aux avantages de la technologie High NA EUV, et qu’elle n’a aucune obligation de les mettre à jour après la date du document, sauf si la loi l’exige. L’entreprise a renvoyé aux facteurs de risque inclus dans son dernier rapport annuel sur le formulaire 20‑F et à d’autres dépôts auprès de la Securities and Exchange Commission américaine.

ASML, dont le siège est à Veldhoven, aux Pays‑bas, fournit le matériel, les logiciels et les services utilisés pour produire en masse les motifs des circuits intégrés. L’entreprise emploie plus de 44 000 personnes dans des bureaux en EMEA, aux États‑Unis et en Asie, et ses actions sont cotées sur Euronext Amsterdam et le NASDAQ sous le symbole ASML.