Ni₄W Memory Breakthrough Enables Magnet-Free Switching

Les dernières avancées technologiques, allant des mégadonnées à l’intelligence artificielle (IA) et à l’Internet des objets (IoT), collectent et traitent des quantités massives de données. Pour cela, elles nécessitent une efficacité énergétique élevée, un transfert de données à faible latence et un traitement à haute vitesse.

Ici, les progrès en matière d’informatique haute performance (HPC) sont cruciaux pour améliorer les capacités de traitement des données, pour lesquelles ils tirent parti du traitement parallèle, d’un matériel puissant et d’un logiciel sophistiqué.

Cependant, l’accès à la mémoire a tendance à être un goulet d’étranglement, créant ainsi un besoin urgent d’une technologie de mémoire compatible avec ces exigences.

La technologie de mémoire permet l’accès, le stockage et la modification des données. Les informations ici sont représentées par des collections de bits, chaque bit étant soit zéro, soit un (ou vrai ou faux).

Idéalement, la mémoire lit et écrit en un temps négligeable, consomme peu de puissance, occupe un espace insignifiant et conserve sa valeur stockée indéfiniment. Mais bien sûr, en pratique, aucune technologie de mémoire ne répond à ces conditions idéales. Les différentes technologies ont leurs propres forces et faiblesses, et il n’y a pas de technologie de mémoire parfaite.

La technologie de mémoire est principalement divisée en deux catégories :

• Volatiles
• Non volatiles

Ceci est basé sur la conception de la cellule. Les cellules sont les unités de base de la mémoire, en fait un « tableau » de cellules de mémoire, où chaque cellule contient un bit de données, et les caractéristiques d’une cellule reflètent celles de l’ensemble du tableau.

Une mémoire volatile est celle qui fonctionne tant qu’elle est alimentée et perd les informations stockées lorsque l’alimentation est coupée. Par conséquent, ce type de mémoire peut être utilisé pour stocker des données temporairement.

Une mémoire non volatile, en revanche, conserve sa valeur stockée même lorsque l’alimentation est supprimée. Pour ce type de mémoire, une technologie de semi-conducteurs sophistiquée est appliquée, car il est plus difficile à fabriquer et difficile à écrire électroniquement.

Avec la disponibilité croissante de technologies de mémoire plus sophistiquées sur le marché, la distinction entre ces deux catégories de mémoire devient de plus en plus floue.

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