Computación
Samsung y ASML Amplían la Alianza de EUV de Alta NA para Chips de Próxima Generación
Añade Securities.io a tus fuentes preferidas en Google
Samsung Electronics y ASML anunciaron una ampliación de su asociación estratégica de larga data el 8 de septiembre de 2026, profundizando la colaboración en litografía EUV de alta NA y tecnologías avanzadas de fabricación de semiconductores. Según el anuncio conjunto de las compañías, bajo el acuerdo ampliado, Samsung se unirá a una iniciativa de la industria para impulsar la tecnología de fotomáscara de 12 pulgadas de próxima generación y planea introducir la litografía de ultravioleta extremo de alta NA de ASML en la fabricación de gran volumen de DRAM futura para 2028, un primer paso para la industria.
Ambas compañías declararon que trabajarán juntas para acelerar el desarrollo y la implementación de tecnologías que respalden los crecientes requisitos de rendimiento y eficiencia de la fabricación avanzada de semiconductores. La colaboración se basa en años de cooperación entre el proveedor holandés de equipos de litografía y el fabricante surcoreano de chips.
Iniciativa de Fotomáscara de 12 Pulgadas
Samsung se unirá a la iniciativa de la industria para impulsar la tecnología de fotomáscara de 12 pulgadas de próxima generación para la fabricación futura. La industria de semiconductores ha dependido del formato de fotomáscara de 6 pulgadas durante décadas. Con High NA EUV, se espera que la transición a máscaras más grandes, de 12 pulgadas, aumente aún más la productividad de la fábrica, reduzca los costos de fabricación de chips y elimine las limitaciones de costura, según el anuncio.
El formato de máscara más grande está destinado a permitir que los fabricantes de chips avanzados aprovechen plenamente las ventajas de High NA EUV, haciendo que las futuras generaciones de chips de vanguardia sean más rentables. Samsung declaró que trabajará estrechamente con socios de la industria para desarrollar las tecnologías de máscara requeridas y la infraestructura de apoyo, basándose en su liderazgo tanto en la fabricación de memoria como de fundición y su amplia experiencia con litografía EUV avanzada.
High NA EUV en la Fabricación de DRAM
Samsung también planea introducir la litografía High NA EUV de ASML en la fabricación de gran volumen de DRAM futura, por primera vez en la industria, para 2028. La compañía afirmó que esta medida demuestra la preparación de la tecnología High NA para respaldar aplicaciones avanzadas de memoria y lógica. Se espera que High NA EUV amplíe la hoja de ruta de escalado de DRAM, con una resolución mejorada que permita simplificar el proceso y aumentar la eficiencia, según el anuncio.
Los sistemas High NA EUV aumentan la apertura numérica de la óptica de proyección de 0,33 a 0,55, lo que permite imprimir características más finas en la oblea.
Las compañías describieron el anuncio como un reflejo del compromiso compartido con la innovación, el liderazgo tecnológico y la asociación a largo plazo. Samsung y ASML esperan seguir explorando oportunidades de colaboración en áreas que incluyen memoria avanzada y enfoques de fabricación innovadores.
Declaraciones Ejecutivas
Young Hyun Jun, Vicepresidente y CEO de Samsung Electronics, dijo que la era de la IA está transformando la industria de semiconductores y aumentando la importancia de la innovación tecnológica en toda la cadena de valor. “Samsung está comprometida a mantener el liderazgo en la fabricación avanzada de semiconductores, incluida la memoria y la fundición, mediante tecnologías revolucionarias y asociaciones sólidas”, afirmó Jun. “Al fortalecer aún más nuestra colaboración con ASML, estamos ayudando a sentar las bases para la próxima generación de innovación en IA y semiconductores.”
Christophe Fouquet, Presidente y Director Ejecutivo de ASML, dijo que Samsung ha sido uno de los socios de innovación más importantes de ASML durante muchos años y que las compañías han ayudado a avanzar las tecnologías que sustentan la fabricación moderna de semiconductores. “A medida que la industria entra en una nueva era impulsada por la inteligencia artificial, la colaboración estrecha con nuestros clientes se vuelve aún más importante”, afirmó Fouquet. “Esperamos trabajar con Samsung para habilitar la próxima ola de innovación en semiconductores.”
Samsung publicó un anuncio correspondiente en su sala de prensa global con los mismos términos y declaraciones ejecutivas, fechado el 8 de septiembre de 2026, desde Seúl, Corea, y Veldhoven, Países Bajos.
Estado Prospectivo
La introducción prevista para 2028 de High NA EUV en la fabricación de gran volumen de DRAM y los beneficios esperados de la transición a fotomáscaras de 12 pulgadas son declaraciones prospectivas realizadas por las compañías a la fecha del anuncio. ASML señaló en el comunicado que dichas declaraciones implican riesgos e incertidumbres, incluidos los riesgos relacionados con la colaboración estratégica, la transición de fotomáscaras y la adopción y los beneficios de la tecnología High NA EUV, y que no asume ninguna obligación de actualizarlas después de la fecha del documento, salvo lo exigido por la ley. La compañía se refirió a los factores de riesgo incluidos en su informe anual más reciente en el Formulario 20-F y otras presentaciones ante la Comisión de Bolsa y Valores de EE. UU.
ASML, con sede en Veldhoven, Países Bajos, suministra hardware, software y servicios utilizados para producir en masa los patrones de circuitos integrados. La compañía emplea a más de 44.000 personas en oficinas de EMEA, Estados Unidos y Asia, y sus acciones cotizan en Euronext Ámsterdam y NASDAQ bajo el símbolo ASML.
