Computação
Samsung e ASML Expandem Parceria de High NA EUV para Chips de Próxima Geração
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Samsung Electronics e ASML anunciou a expansão de sua parceria estratégica de longa data em 8 de setembro de 2026, aprofundando a colaboração em litografia High NA EUV e tecnologias avançadas de fabricação de semicondutores. Sob o acordo ampliado, a Samsung ingressará em uma iniciativa da indústria para avançar a tecnologia de fotomáscara de 12 polegadas de próxima geração e planeja introduzir a litografia de ultra‑violeta extremo High NA da ASML na produção em grande volume de DRAM futuro até 2028, um primeiro na indústria, de acordo com o anúncio conjunto das empresas.
As duas empresas disseram que trabalharão juntas para acelerar o desenvolvimento e a implantação de tecnologias que atendam aos crescentes requisitos de desempenho e eficiência da fabricação avançada de semicondutores. A colaboração baseia‑se em anos de cooperação entre o fornecedor holandês de equipamentos de litografia e o fabricante sul‑coreano de chips.
Iniciativa de Fotomáscara de 12 Polegadas
Samsung ingressará na iniciativa da indústria para avançar a tecnologia de fotomáscara de 12 polegadas de próxima geração para a fabricação futura. A indústria de semicondutores tem dependido do formato de fotomáscara de 6 polegadas por décadas. Com High NA EUV, a transição para máscaras maiores, de 12 polegadas, deve aumentar ainda mais a produtividade das fábricas, reduzir os custos de fabricação de chips e eliminar as restrições de emenda, afirma o anúncio.
O formato maior de máscara tem como objetivo permitir que os fabricantes avançados de chips aproveitem plenamente as vantagens do High NA EUV, tornando as futuras gerações de chips de ponta mais econômicas. A Samsung afirmou que trabalhará estreitamente com parceiros da indústria para desenvolver as tecnologias de máscara necessárias e a infraestrutura de suporte, baseando‑se em sua liderança tanto na fabricação de memória quanto de fundição e em sua ampla experiência com litografia EUV avançada.
High NA EUV na Fabricação de DRAM
A Samsung também planeja introduzir a litografia High NA EUV da ASML na produção em grande volume de DRAM futura, pela primeira vez na indústria, até 2028. A empresa afirmou que a medida demonstra a prontidão da tecnologia High NA para apoiar aplicações avançadas de memória e lógica. Espera‑se que o High NA EUV amplie a trajetória de escalonamento da DRAM, com resolução aprimorada permitindo simplificação de processos e maior eficiência, segundo o anúncio.
Os sistemas High NA EUV aumentam a abertura numérica da ótica de projeção de 0,33 para 0,55, permitindo que recursos mais finos sejam impressos no wafer.
As empresas descreveram o anúncio como reflexo de um compromisso conjunto com a inovação, liderança tecnológica e parceria de longo prazo. Samsung e ASML esperam continuar explorando oportunidades de colaboração em áreas que incluem memória avançada e abordagens inovadoras de fabricação.
Declarações Executivas
Young Hyun Jun, Vice Chairman e CEO da Samsung Electronics, disse que a era da IA está transformando a indústria de semicondutores e aumentando a importância da inovação tecnológica em toda a cadeia de valor. “A Samsung está comprometida em manter a liderança na fabricação avançada de semicondutores, incluindo memória e fundição, por meio de tecnologias revolucionárias e parcerias sólidas”, afirmou Jun. “Ao fortalecer ainda mais nossa colaboração com a ASML, estamos ajudando a estabelecer as bases para a próxima geração de IA e inovação em semicondutores.”
Christophe Fouquet, Presidente e Chief Executive Officer da ASML, disse que a Samsung tem sido um dos parceiros de inovação mais importantes da ASML por muitos anos e que as empresas ajudaram a avançar as tecnologias que sustentam a fabricação moderna de semicondutores. “À medida que a indústria entra em uma nova era impulsionada pela inteligência artificial, a colaboração estreita com nossos clientes torna‑se ainda mais importante”, afirmou Fouquet. “Estamos ansiosos para trabalhar com a Samsung para viabilizar a próxima onda de inovação em semicondutores.”
Samsung publicou um anúncio em sua sala de imprensa global contendo os mesmos termos e declarações executivas, datado de 8 de setembro de 2026, de Seul, Coreia, e Veldhoven, Países Baixos.
Status Prospectivo
A introdução planejada para 2028 do High NA EUV na produção em grande volume de DRAM e os benefícios esperados da transição para fotomáscaras de 12 polegadas são declarações prospectivas feitas pelas empresas na data do anúncio. A ASML observou no comunicado que tais declarações envolvem riscos e incertezas, incluindo riscos relacionados à colaboração estratégica, à transição das fotomáscaras e à adoção e aos benefícios da tecnologia High NA EUV, e que não assume obrigação de atualizá‑las após a data do documento, exceto quando exigido por lei. A empresa referiu‑se aos fatores de risco incluídos em seu Relatório Anual mais recente no Formulário 20‑F e em outros registros junto à Comissão de Valores Mobiliários dos EUA.
A ASML, com sede em Veldhoven, Países Baixos, fornece hardware, software e serviços usados para produzir em massa os padrões de circuitos integrados. A empresa emprega mais de 44.000 pessoas em escritórios na região EMEA, nos Estados Unidos e na Ásia, e suas ações são negociadas na Euronext Amsterdã e na NASDAQ sob o símbolo ASML.
