Komputasi
Samsung dan ASML Perluas Kemitraan High NA EUV untuk Chip Generasi Berikutnya
Tambahkan Securities.io ke sumber pilihan Anda di Google
Samsung Electronics dan ASML mengumumkan perluasan kemitraan strategis jangka panjang mereka pada 8 September 2026, memperdalam kolaborasi pada litografi High NA EUV dan teknologi manufaktur semikonduktor canggih. Berdasarkan perjanjian yang diperluas, Samsung akan bergabung dengan inisiatif industri untuk mengembangkan teknologi fotomask 12‑inch generasi berikutnya dan berencana memperkenalkan litografi ultraviolet ekstrim High NA milik ASML ke dalam produksi volume tinggi DRAM masa depan pada 2028, sebuah pertama bagi industri, menurut pengumuman bersama perusahaan.
Kedua perusahaan menyatakan bahwa mereka akan bekerja sama untuk mempercepat pengembangan dan penerapan teknologi yang mendukung peningkatan kebutuhan kinerja dan efisiensi manufaktur semikonduktor canggih. Kolaborasi ini dibangun atas bertahun‑tahun kerja sama antara pemasok peralatan litografi Belanda dan pembuat chip Korea Selatan.
Inisiatif Fotomask 12‑Inci
Samsung akan bergabung dengan inisiatif industri untuk mengembangkan teknologi fotomask 12‑inch generasi berikutnya bagi manufaktur masa depan. Industri semikonduktor telah bergantung pada format fotomask 6‑inch selama beberapa dekade. Dengan High NA EUV, transisi ke mask yang lebih besar, 12‑inch, diharapkan dapat meningkatkan produktivitas pabrik, menurunkan biaya pembuatan chip, dan menghilangkan batasan stitching, menurut pengumuman.
Format mask yang lebih besar dimaksudkan untuk memungkinkan produsen chip canggih memanfaatkan sepenuhnya keunggulan High NA EUV, menjadikan generasi chip terdepan di masa depan lebih ekonomis. Samsung menyatakan akan bekerja sama erat dengan mitra industri untuk mengembangkan teknologi mask yang diperlukan serta infrastruktur pendukung, dengan memanfaatkan kepemimpinannya dalam manufaktur memori dan foundry serta pengalaman luasnya dengan litografi EUV canggih.
High NA EUV dalam Manufaktur DRAM
Samsung juga berencana memperkenalkan litografi High NA EUV milik ASML ke dalam produksi volume tinggi DRAM masa depan untuk pertama kalinya di industri pada 2028. Perusahaan menyatakan langkah tersebut menunjukkan kesiapan teknologi High NA untuk mendukung aplikasi memori dan logika canggih. High NA EUV diharapkan memperpanjang peta jalan skala DRAM, dengan resolusi yang lebih baik memungkinkan penyederhanaan proses dan peningkatan efisiensi, menurut pengumuman.
Sistem High NA EUV meningkatkan apertur numerik optik proyeksi dari 0,33 menjadi 0,55, memungkinkan pencetakan fitur yang lebih halus pada wafer.
Kedua perusahaan menggambarkan pengumuman tersebut sebagai cerminan komitmen bersama terhadap inovasi, kepemimpinan teknologi, dan kemitraan jangka panjang. Samsung dan ASML berharap terus mengeksplorasi peluang kolaborasi di bidang termasuk memori canggih dan pendekatan manufaktur inovatif.
Pernyataan Eksekutif
Young Hyun Jun, Wakil Ketua dan CEO Samsung Electronics, mengatakan era AI sedang mengubah industri semikonduktor dan meningkatkan pentingnya inovasi teknologi di seluruh rantai nilai. “Samsung berkomitmen untuk mempertahankan kepemimpinan dalam manufaktur semikonduktor canggih, termasuk memori dan foundry, melalui teknologi terobosan dan kemitraan yang kuat,” kata Jun. “Dengan memperkuat kolaborasi kami dengan ASML, kami membantu meletakkan dasar bagi generasi berikutnya dari inovasi AI dan semikonduktor.”
Christophe Fouquet, Presiden dan Chief Executive Officer ASML, mengatakan Samsung telah menjadi salah satu mitra inovasi terpenting ASML selama bertahun‑tahun dan bahwa kedua perusahaan telah membantu memajukan teknologi yang menjadi dasar manufaktur semikonduktor modern. “Seiring industri memasuki era baru yang didorong oleh kecerdasan buatan, kolaborasi erat dengan pelanggan kami menjadi semakin penting,” kata Fouquet. “Kami menantikan kerja sama dengan Samsung untuk mewujudkan gelombang inovasi semikonduktor berikutnya.”
Samsung menerbitkan pengumuman serupa di ruang berita globalnya dengan istilah dan pernyataan eksekutif yang sama, bertanggal 8 September 2026, dari Seoul, Korea, dan Veldhoven, Belanda.
Status yang Mengarah ke Depan
Pengenalan High NA EUV pada produksi volume tinggi DRAM pada 2028 yang direncanakan serta manfaat yang diharapkan dari transisi fotomask 12‑inch merupakan pernyataan ke depan yang dibuat oleh perusahaan pada tanggal pengumuman. ASML mencatat dalam rilis tersebut bahwa pernyataan semacam itu melibatkan risiko dan ketidakpastian, termasuk risiko terkait kolaborasi strategis, transisi fotomask, serta adopsi dan manfaat teknologi High NA EUV, dan bahwa perusahaan tidak berkewajiban memperbarui pernyataan tersebut setelah tanggal dokumen kecuali diwajibkan oleh hukum. Perusahaan merujuk pada faktor risiko yang tercantum dalam Laporan Tahunan terbaru pada Formulir 20‑F dan pengajuan lain ke Komisi Sekuritas dan Bursa Amerika Serikat.
ASML, yang berkantor pusat di Veldhoven, Belanda, menyediakan perangkat keras, perangkat lunak, dan layanan yang digunakan untuk memproduksi massal pola sirkuit terintegrasi. Perusahaan mempekerjakan lebih dari 44.000 orang di kantor-kantor di EMEA, Amerika Serikat, dan Asia, dan sahamnya diperdagangkan di Euronext Amsterdam serta NASDAQ dengan simbol ASML.
