Computing
Samsung en ASML breiden High NA EUV‑partnerschap uit voor chips van de volgende generatie
Voeg Securities.io toe aan je voorkeursbronnen op Google
Samsung Electronics en ASML kondigden op 8 september 2026 een uitbreiding van hun langdurige strategische partnerschap aan, waarmee de samenwerking op het gebied van High NA EUV‑lithografie en geavanceerde halfgeleiderproductietechnologieën wordt verdiept. Volgens de gezamenlijke aankondiging van de bedrijven zal Samsung onder de uitgebreide overeenkomst deelnemen aan een branche‑initiatief om next‑generation 12‑inch fotomaskertechnologie te bevorderen en is het van plan om ASML’s High NA extreme ultraviolet lithografie in de toekomstige DRAM‑high‑volume productie tegen 2028 te introduceren, een primeur voor de sector.
De twee bedrijven zeiden dat ze zullen samenwerken om de ontwikkeling en inzet van technologieën die de toenemende prestatie‑ en efficiëntie‑eisen van geavanceerde halfgeleiderproductie ondersteunen, te versnellen. De samenwerking bouwt voort op jarenlange samenwerking tussen de Nederlandse lithografieleverancier en de Zuid‑Koreaanse chipfabrikant.
12‑inch Fotomaskerinitiatief
Samsung zal deelnemen aan het branche‑initiatief om next‑generation 12‑inch fotomaskertechnologie voor toekomstige productie te bevorderen. De halfgeleiderindustrie maakt al tientallen jaren gebruik van het 6‑inch fotomaskerformaat. Met High NA EUV wordt verwacht dat de overgang naar grotere, 12‑inch maskers de productiviteit van fabrieken verder zal verhogen, de kosten van chipproductie zal verlagen en de beperkingen van stitching zal wegnemen, aldus de aankondiging.
Het grotere maskformaat is bedoeld om geavanceerde chipfabrikanten in staat te stellen de voordelen van High NA EUV volledig te benutten, waardoor toekomstige generaties van toonaangevende chips kostenefficiënter worden. Samsung zei dat het nauw zal samenwerken met branche‑partners om de benodigde maskertechnologieën en ondersteunende infrastructuur te ontwikkelen, voortbouwend op zijn leiderschap in zowel geheugen‑ als foundry‑productie en zijn uitgebreide ervaring met geavanceerde EUV‑lithografie.
High NA EUV in DRAM‑productie
Samsung is ook van plan om ASML’s High NA EUV‑lithografie tegen 2028 voor het eerst in de sector in de toekomstige DRAM‑high‑volume productie te introduceren. Het bedrijf zei dat deze stap de gereedheid van High NA‑technologie aantoont om geavanceerde geheugen‑ en logica‑toepassingen te ondersteunen. Volgens de aankondiging wordt verwacht dat High NA EUV de DRAM‑schaalroadmap zal verlengen, doordat verbeterde resolutie procesvereenvoudiging en hogere efficiëntie mogelijk maakt.
High NA EUV‑systemen verhogen de numerieke opening van de projectie‑optiek van 0,33 naar 0,55, waardoor fijnere structuren op de wafer kunnen worden geprint.
De bedrijven beschreven de aankondiging als een weerspiegeling van een gedeelde toewijding aan innovatie, technologische leiderschap en een langdurige samenwerking. Samsung en ASML verwachten de verkenning van samenwerkingsmogelijkheden in onder meer geavanceerd geheugen en innovatieve productiebenaderingen voort te zetten.
Leidersverklaringen
Young Hyun Jun, Vice‑Chairman en CEO van Samsung Electronics, zei dat het AI‑tijdperk de halfgeleiderindustrie transformeert en het belang van technologische innovatie over de hele waardeketen vergroot. “Samsung zet zich in om leiderschap in geavanceerde halfgeleiderproductie, inclusief geheugen en foundry, te behouden door baanbrekende technologieën en sterke partnerschappen,” aldus Jun. “Door onze samenwerking met ASML verder te versterken, helpen we de basis te leggen voor de volgende generatie AI‑ en halfgeleiderinnovatie.”
Christophe Fouquet, President en Chief Executive Officer van ASML, zei dat Samsung al vele jaren een van ASML’s belangrijkste innovatie‑partners is en dat de bedrijven hebben bijgedragen aan de voortgang van de technologieën die de moderne halfgeleiderproductie ondersteunen. “Naarmate de sector een nieuw tijdperk ingaat dat wordt gedreven door kunstmatige intelligentie, wordt nauwe samenwerking met onze klanten nog belangrijker,” aldus Fouquet. “We kijken ernaar uit om met Samsung samen te werken om de volgende golf van halfgeleiderinnovatie mogelijk te maken.”
Samsung publiceerde een tegenhanger‑aankondiging in zijn wereldwijde newsroom met dezelfde voorwaarden en leidersverklaringen, gedateerd 8 september 2026, uit Seoul, Korea, en Veldhoven, Nederland. aankondiging
Vooruitzichten
De geplande introductie van High NA EUV in DRAM‑high‑volume productie in 2028 en de verwachte voordelen van de overgang naar 12‑inch fotomaskers zijn toekomstgerichte verklaringen die door de bedrijven zijn gedaan op de datum van de aankondiging. ASML merkte in het persbericht op dat dergelijke verklaringen risico’s en onzekerheden met zich meebrengen, waaronder risico’s gerelateerd aan de strategische samenwerking, de fotomasker‑overgang en de adoptie en voordelen van High NA EUV‑technologie, en dat het geen verplichting heeft om deze na de datum van het document bij te werken, behalve wanneer de wet dat vereist. Het bedrijf verwees naar risicofactoren die zijn opgenomen in het meest recente jaarverslag op formulier 20‑F en andere documenten bij de Amerikaanse Securities and Exchange Commission.
ASML, met het hoofdkantoor in Veldhoven, Nederland, levert hardware, software en diensten die worden gebruikt om de patronen van geïntegreerde schakelingen massaal te produceren. Het bedrijf heeft meer dan 44.000 werknemers in kantoren in EMEA, de Verenigde Staten en Azië, en haar aandelen worden verhandeld op Euronext Amsterdam en NASDAQ onder het symbool ASML.
