6G क्रांति को अगले‑पीढ़ी के GaN अर्धचालकों के साथ अनलॉक करना

सेमीकंडक्टर इलेक्ट्रॉनिक और इंटरनेट ऑफ थिंग्स (IoT) उपकरणों और टेलीकम्युनिकेशन उपकरणों की नींव हैं।

वे सामग्री हैं जो विद्युत धारा के प्रवाह को नियंत्रित करती हैं। उनका अनोखा गुण, चालक और इन्सुलेटर के बीच की चालकता, उन्हें डायोड, ट्रांज़िस्टर और इंटीग्रेटेड सर्किट जैसे उपकरणों में एक प्रमुख घटक बनाता है। 

सेमीकंडक्टर की मांग तेज़ी से बढ़ रही है। वे स्मार्टफ़ोन, कंप्यूटर, घरेलू उपकरण, चिकित्सा उपकरण और गेमिंग हार्डवेयर में उपयोग होते हैं। फिर कृत्रिम बुद्धिमत्ता (AI) तकनीकों की बढ़ती लोकप्रियता और उपयोग भी चिप विकास में प्रगति को तेज़ कर रहे हैं और सेमीकंडक्टर उत्पादन को बढ़ा रहे हैं।

5G के निरंतर तैनाती की गति भी सेमीकंडक्टर चिप की स्वस्थ मांग प्रवृत्तियों को चलाने वाला एक और कारक है।

“पाँचवीं पीढ़ी” का सेलुलर नेटवर्क तकनीक, जिसे 2019 से मोबाइल ऑपरेटरों द्वारा विश्वभर में लागू किया गया है, उच्च डाउनलोड गति और कम लेटेंसी प्रदान करता है, जिससे लगभग त्वरित संचार संभव हो जाता है। 

5G की अल्ट्रा‑लो लेटेंसी और उच्च विश्वसनीयता अत्याधुनिक प्रगति के लिए अत्यंत महत्वपूर्ण हैं। 5G नेटवर्क, इस बीच, इन लाभों को प्रदान करने के लिए सेमीकंडक्टर पर निर्भर करता है।

सेमीकंडक्टर घटकों की यहाँ आवश्यकता डेटा ले जाने वाले संकेतों को प्रोसेस करने के लिए होती है। बेस स्टेशन से लेकर स्मार्टफ़ोन और IoT उपकरणों तक, ये चिप तेज़ संकेत प्रसंस्करण, विस्तृत बैंडरैडियो फ़्रीक्वेंसी (RF) ट्रांसमिशन और सुरक्षित कनेक्टिविटी को सक्षम करती हैं।

जबकि 5G अभी भी तैनाती चरण में है, उद्योग के खिलाड़ी पहले ही छठी पीढ़ी (6G) के विकास पर चर्चा करना शुरू कर चुके हैं। हालांकि, इसके लिए ऐसे सेमीकंडक्टर तकनीक में महत्वपूर्ण प्रगति की आवश्यकता है जो अत्यंत कम लेटेंसी, अल्ट्रा‑हाई डेटा दर, उच्च ऊर्जा दक्षता, टेराहर्ट्ज़ (THz) फ़्रीक्वेंसी समर्थन, और बेशक बड़े पैमाने पर कनेक्टिविटी को संभाल सके।

जैसे कंपनियाँ और शोधकर्ता सेमीकंडक्टर क्षमताओं को बढ़ाने पर काम कर रहे हैं, एक हालिया तकनीकी突破 ने संचार के तरीके को बदलने की बड़ी संभावनाएँ दिखाई हैं।

6G मोबाइल नेटवर्क को सुपरचार्ज करके तेज़ गति, अधिक कुशल संचार और वर्तमान पीढ़ी (5G) से कहीं अधिक व्यापक कवरेज प्रदान करने से यह नवीनतम प्रगति एक ऐसा भविष्य वादा करती है जो कई विज्ञान‑कथा को वास्तविकता में बदल देगा।

भविष्यवादी अवधारणाएँ जैसे महाद्वीप के पार रहने वाले प्रियजनों को महसूस करना या घर से बाहर निकले बिना तुरंत स्वास्थ्य निदान प्राप्त करना, सभी इस बात पर निर्भर करती हैं कि हम मौजूदा नेटवर्क की तुलना में बहुत तेज़ गति से विशाल डेटा को संचारित और स्थानांतरित कर सकें।

ब्रिस्टल विश्वविद्यालय के भौतिकविदों ने इसे तेज़ करने का एक नया तरीका खोजा है।

“अगले दशक के भीतर, पहले लगभग अकल्पनीय तकनीकें जो मानव अनुभवों की एक विस्तृत श्रृंखला को बदल सकती हैं, व्यापक रूप से उपलब्ध हो सकती हैं।”

– सह‑मुख्य लेखक मार्टिन कुबॉल, ब्रिस्टल विश्वविद्यालय के प्रोफेसर ऑफ़ फिज़िक्स।

संभव लाभों के बारे में बात करते हुए, जिन्हें उन्होंने “विस्तृत” कहा, कुबॉल ने स्वास्थ्य‑सेवा में दूरस्थ निदान और सर्जरी, वर्चुअल क्लासरूम, वर्चुअल अवकाश पर्यटन, औद्योगिक स्वचालन के लिए अधिक दक्षता, और उन्नत ड्राइवर सहायता प्रणाली (ADAS) के माध्यम से सड़क सुरक्षा में सुधार जैसे प्रगति का उल्लेख किया।

“6G अनुप्रयोगों की संभावनाओं की सूची अनंत है, सीमा केवल मानव कल्पना है। इसलिए हमारे नवाचारी सेमीकंडक्टर खोजें अत्यधिक रोमांचक हैं और इन विकासों को गति और पैमाने पर आगे बढ़ाने में मदद करेंगी।”

– कुबॉल 

जो 6G की ओर बदलाव की आवश्यकता है, वह सेमीकंडक्टर तकनीक, सिस्टम, सर्किट और संबंधित एल्गोरिदम का एक मूलभूत उन्नयन है। 

GaN‑आधारित ट्रांज़िस्टर का उदय

तेज़ी से विकसित हो रहे सेमीकंडक्टर क्षेत्र में, गैलियम नाइट्राइड (GaN) को मुख्य सेमीकंडक्टर घटक के रूप में उपयोग किया जा रहा है। 

यह यौगिक सेमीकंडक्टर बहुत कठोर, यांत्रिक रूप से स्थिर और विस्तृत बैंडगैप वाला है, जिससे यह उच्च‑शक्ति, उच्च‑फ़्रीक्वेंसी अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनता है। सिलिकॉन के बाद, GaN सबसे महत्वपूर्ण सेमीकंडक्टर में से एक है, और यह उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स में व्यापक अपनाया जा रहा है। 

GaN वास्तव में सिलिकॉन की तुलना में विस्तृत बैंड गैप के लिए जाना जाता है। परिणामस्वरूप, GaN डिवाइस उच्च शक्ति घनत्व को संभाल सकते हैं, जिससे छोटे और हल्के डिज़ाइन संभव होते हैं और उच्च दक्षता तथा बेहतर विश्वसनीयता मिलती है।

वर्तमान पाँचवीं‑पीढ़ी संचार प्रणालियों में, ये डिवाइस धीरे‑धीरे नया मानक बन रहे हैं। और अब, शोधकर्ता इसे 6G मोबाइल और वायरलेस इन्फ्रास्ट्रक्चर अनुप्रयोगों के लिए खोज रहे हैं। 

उनकी उच्च आउटपुट पावर और उच्च फ़्रीक्वेंसी संचालन क्षमता के कारण GaN‑आधारित हाई‑इलेक्ट्रॉन‑मोबिलिटी ट्रांज़िस्टर (HEMTs) ने वायरलेस और सैन्य संचार में क्रांति लाई है। 

यह मुख्यतः उच्च क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फ़ील्ड, अच्छा रूम‑टेम्परेचर मोबिलिटी और उच्च सैचुरेशन वेग जैसे सामग्री पैरामीटरों के कारण है। फ़ील्ड प्लेट डिज़ाइन में नवाचारों ने GaN HEMTs के प्रदर्शन को और बढ़ाया है, जिससे 4 GHz पर 40 W mm⁻¹ तक की शक्ति और 60 % पावर‑ऐडेड एफिशिएंसी प्राप्त हुई है। 

लेकिन यह भविष्य के अनुप्रयोगों को सक्षम करने के लिए पर्याप्त नहीं है। GaN को और तेज़, अधिक विश्वसनीय और अधिक शक्ति उत्पन्न करने की आवश्यकता है ताकि छठी पीढ़ी के वायरलेस संचार को सक्षम किया जा सके।

दीर्घ दूरी पर सिग्नल इंटेग्रिटी बनाए रखने के लिए आउटपुट पावर में सुधार आवश्यक है, और महत्वाकांक्षी परियोजनाएँ पहले ही 81 W mm⁻¹ हासिल करने के लक्ष्य निर्धारित कर चुकी हैं।

इन परिस्थितियों के बीच, इंजीनियरों और वैज्ञानिकों की अंतरराष्ट्रीय टीम ने एक नई आर्किटेक्चर विकसित और परीक्षण की, जिसने विशेष GaN एम्प्लीफ़ायर की क्षमताओं को बढ़ाया। 

ऐसे परिणाम GaN में “लैच इफ़ेक्ट” खोजने से प्राप्त हुए, जिसने अत्यधिक उच्च रेडियो‑फ़्रीक्वेंसी डिवाइस प्रदर्शन को अनलॉक किया। इस नई पीढ़ी के डिवाइस समानांतर चैनलों का उपयोग करते हैं जिनमें सब‑100 nm साइड फिन्स की आवश्यकता होती है, जो वर्तमान में प्रवाह को नियंत्रित करने वाले ट्रांज़िस्टर का एक प्रकार है।

नवीनतम शोध में, टीम ने SLCFETs में सब‑100 nm चौड़ाई वाले 1000 से अधिक फिन्स का उपयोग करके करंट को चलाया। सह‑मुख्य लेखक डॉ. अखिल शाजी, यूनिवर्सिटी ऑफ़ ब्रिस्टल के ऑनररी रिसर्च एसोसिएट ने कहा:

“हमने एक डिवाइस तकनीक, सहयोगियों के साथ, सुपरलेटरल कास्टेलेटेड फ़ील्ड इफ़ेक्ट ट्रांज़िस्टर (SLCFETs) को पायलट किया है।” 

GaN‑आधारित SLCFETs के पास उन उच्च आउटपुट पावर लक्ष्यों (81 W mm⁻¹) को हासिल करने की क्षमता है जो परियोजनाओं ने निर्धारित किए हैं। दस तक स्टैक किए गए दो‑आयामी इलेक्ट्रॉन गैस (2DEG) चैनलों वाले SLCFETs एकल‑चैनल GaN HEMTs की तुलना में चार्ज कैरियर्स में 10‑गुना वृद्धि प्रदान कर सकते हैं।

अध्ययन के अनुसार नई आर्किटेक्चर कम नी वोल्टेज प्रदान करती है, जिससे यह बड़े आउटपुट वोल्टेज स्विंग्स के साथ उच्च करंट घनत्व के लिए आदर्श बनती है। 

SLCFETs ने 94 GHz पर 12 V ड्रेन पर 10 W mm⁻¹ से अधिक आउटपुट पावर और 40 % से अधिक पावर‑ऐडेड एफिशिएंसी दिखायी है, जो 4.8 A mm⁻¹ की करंट घनत्व द्वारा समर्थित है, न्यूनतम डिस्पर्शन और करंट कोलैप्स के साथ।

इतनी बड़ी शक्ति पर, चुनौती हीट डिसिपेशन को नियंत्रित करने में आती है, लेकिन डिवाइस फुटप्रिंट को बढ़ाए बिना। जबकि पावर को ड्रेन वोल्टेज (VDS) बढ़ाकर बढ़ाया जा सकता है, इम्पैक्ट आयनाइज़ेशन SLCFET की विशेषताओं को बिगाड़ सकता है। 

फिर ट्रांज़िस्टर लैचिंग आता है। यहाँ, डिवाइस ऑफ‑स्टेट गेट बायस (VGS) में बायस होने के बावजूद ऑन‑स्टेट रहता है, जो सिलिकॉन‑आधारित डिवाइसों में ज्ञात प्रभाव है। हालांकि, GaN का उच्च बैंडगैप इम्पैक्ट आयनाइज़ेशन को न्यूनतम करता है। शोधकर्ताओं ने पहले SLCFETs के ऑन‑स्टेट संचालन में इम्पैक्ट आयनाइज़ेशन की घटना की पुष्टि की है।

लैच इफ़ेक्ट के माध्यम से GaN प्रदर्शन को बढ़ाना

एल्यूमिनियम गैलियम नाइट्राइड (AlGaN) या गैलियम नाइट्राइड (GaN)‑आधारित SLCFETs भविष्य के उन्नत रडार में हाई‑पावर RF एम्प्लीफ़ायर और स्विच के आधार के रूप में आशाजनक दिखते हैं। 

इन ट्रांज़िस्टरों ने W‑बैंड फ़्रीक्वेंसी रेंज (75 GHz से 110 GHz) में सर्वश्रेष्ठ प्रदर्शन दिखाया है। इस पीछे का विज्ञान अब तक अज्ञात था। 

अध्ययन के अनुसार, जो जर्नल Nature Electronics¹ में प्रकाशित हुआ, यह “GaN में एक लैच‑इफ़ेक्ट है, जो हाई रेडियो‑फ़्रीक्वेंसी प्रदर्शन को सक्षम करता है।”

इफ़ेक्ट को पहचानने के बाद, टीम ने पता लगाने की कोशिश की कि यह ठीक कहाँ होता है। उन्होंने अल्ट्रा‑प्रेसिशन इलेक्ट्रिकल माप और ऑप्टिकल माइक्रोस्कोपी को एक साथ उपयोग करके इस इफ़ेक्ट का अध्ययन किया और इसे बेहतर समझा।

1,000 से अधिक फिन्स का विश्लेषण करने के बाद, शोधकर्ताओं ने सबसे चौड़े फिन पर इस इफ़ेक्ट को पाया। अवलोकनों की पुष्टि के लिए, टीम ने एक सिम्युलेटर का उपयोग करके 3D मॉडल बनाया।

“करंट‑वोल्टेज माप, सिमुलेशन, और लैचिंग कंडीशन पर सहसंबंधित इलेक्ट्रोल्यूमिनेसेंट उत्सर्जन संकेत देते हैं कि फिन‑चौड़ाई‑निर्भर स्थानीयकृत इम्पैक्ट आयनाइज़ेशन का ट्रिगर होना लैचिंग का कारण है,” अध्ययन ने कहा, यह जोड़ते हुए कि यह स्थानीयकरण फिन‑चौड़ाई में विविधता के कारण है, जो निर्माण प्रक्रिया में परिवर्तनशीलता के कारण उत्पन्न होती है।

अगला, टीम ने व्यावहारिक अनुप्रयोगों के लिए इफ़ेक्ट की विश्वसनीयता पहलुओं को संबोधित किया। डिवाइस की लंबी अवधि तक कठोर परीक्षण ने दिखाया कि लैच इफ़ेक्ट डिवाइस के प्रदर्शन या विश्वसनीयता पर कोई हानिकारक प्रभाव नहीं डालता।

अध्ययन के अनुसार लैचिंग कंडीशन उलटने योग्य और गैर‑डिग्रेडिंग है और यह ट्रांज़िस्टर के ट्रांसकंडक्टेंस विशेषताओं में सुधार कर सकती है, जिससे RF पावर एम्प्लीफ़ायर में रैखिकता और शक्ति में वृद्धि होती है।

“हमने पाया कि इस विश्वसनीयता को चलाने वाला एक प्रमुख पहलू प्रत्येक फिन के चारों ओर पतली डाइइलेक्ट्रिक कोटिंग की परत थी।”

– प्रोफेसर कुबॉल, रॉयल एकेडमी ऑफ़ इंजीनियरिंग चेयर इन इमर्जिंग टेक्नोलॉजीज़

डिवाइस थर्मोग्राफी और रिलायबिलिटी सेंटर (CDTR) का नेतृत्व करते हुए, कुबॉल संचार और रडार तकनीक के लिए अगली पीढ़ी के सेमीकंडक्टर इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस विकसित करने, और नेट‑ज़ीरो उत्सर्जन हासिल करने में मदद कर रहे हैं। CDTR व्यापक और अल्ट्रा‑वाइड बैंडगैप सेमीकंडक्टर के माध्यम से डिवाइस के थर्मल मैनेजमेंट, इलेक्ट्रिकल प्रदर्शन और विश्वसनीयता को सुधारने पर भी काम करता है। 

शोध का मुख्य निष्कर्ष, कुबॉल ने कहा, “स्पष्ट था – लैच इफ़ेक्ट को अनगिनत व्यावहारिक अनुप्रयोगों के लिए उपयोग किया जा सकता है, जो आने वाले वर्षों में लोगों के जीवन को कई विभिन्न तरीकों से बदलने में मदद कर सकता है।”

अब, भविष्य के कार्य में, टीम डिवाइसों की पावर डेंसिटी को और बढ़ाने पर ध्यान केंद्रित करेगी। इससे वे और उच्च प्रदर्शन प्रदान कर सकेंगे और व्यापक दर्शकों की सेवा कर सकेंगे। 

इसके अलावा, उद्योग साझेदार इन अगली पीढ़ी के डिवाइसों को व्यावसायिक रूप से उपलब्ध कराने में मदद करेंगे।

सेमीकंडक्टर नवाचार में निवेश करें

GaN तकनीक में निवेश के बारे में बात करें तो, MACOM (MTSI ) उन कुछ अमेरिकी सार्वजनिक कंपनियों में से एक है जो इसमें सीधे एक्सपोज़र प्रदान करती है। यह GaN‑on‑SiC और GaN‑on‑Si दोनों प्रोसेस तकनीकों का उपयोग करके विभिन्न अनुप्रयोगों में अगली पीढ़ी की सिस्टम आर्किटेक्चर को सक्षम करता है। कंपनी नवाचारी लो‑नॉइज़ एम्प्लीफ़ायर, GaN पावर एम्प्लीफ़ायर और स्विच प्रदान करती है जो DC से 100 GHz से अधिक फ़्रीक्वेंसी तक विस्तृत हैं।

MACOM Technology Solutions Holdings Inc (MTSI )

MACOM Technology Solutions Holdings टेलीकम्युनिकेशन और अन्य उद्योगों के लिए हाई‑परफ़ॉर्मेंस सेमीकंडक्टर उत्पादों का निर्माता है। 

कंपनी अपने व्यापक उत्पाद पोर्टफ़ोलियो के साथ सालाना 6,000 से अधिक ग्राहकों की सेवा करती है, जिसमें एनालॉग, माइक्रोवेव, रेडियो फ़्रीक्वेंसी (RF), मिश्रित‑सिग्नल और ऑप्टिकल सेमीकंडक्टर तकनीकें शामिल हैं। MACOM अनुप्रयोग‑उन्मुख, यौगिक सेमीकंडक्टर फ़ैब्रिकेशन में विशेषज्ञता रखती है, जिसमें GaAs, GaN, InP और विशेष सिलिकॉन, एनालॉग और मिश्रित‑सिग्नल सर्किट डिज़ाइन, उन्नत पैकेजिंग, तथा बैक‑एंड असेंबली और परीक्षण शामिल हैं।

कंपनी ने कई प्रमाणपत्र प्राप्त किए हैं, जिनमें AS9100D एयरोस्पेस मानक, IATF16949 ऑटोमोटिव मानक, ISO9001 अंतर्राष्ट्रीय गुणवत्ता मानक, और ISO14001 पर्यावरण प्रबंधन मानक शामिल हैं।

MCOM के बाजार प्रदर्शन की बात करें तो, $9 बिलियन के मार्केट कैपिटलाइज़ेशन के साथ, MTSI शेयर वर्तमान में $123.41 पर ट्रेड हो रहे हैं। जबकि MTSI इस साल अब तक 6.37 % गिरा है, यह अपने शुरुआती‑अप्रैल लो से 46.7 % ऊपर है और केवल लगभग 15.5 % अपने जनवरी में इस साल के शिखर से दूर है। इसके साथ, इसका EPS (TTM) -1.22 और P/E (TTM) -99.66 है।

कंपनी के वित्तीय आंकड़ों की बात करें तो, MACOM ने हाल ही में 4 अप्रैल 2025 को समाप्त वित्तीय द्वितीय तिमाही के परिणाम रिपोर्ट किए, जिसमें उसने $235.9 मिलियन की राजस्व दर्ज की, जो पिछले वर्ष की समान तिमाही से 30.2 % बढ़ी।

ऑपरेशन्स से आय $34.9 मिलियन थी, जो राजस्व का 14.8 % है, जबकि शुद्ध आय $31.7 मिलियन थी, या प्रति डाइल्यूटेड शेयर $0.42। इस अवधि में ग्रॉस मार्जिन 2.7 % बढ़कर 55.2 % हो गया, जबकि समायोजित ग्रॉस मार्जिन 0.4 % बढ़कर 57.5 % हुआ। 

कंपनी के “सॉलिड Q2 परफ़ॉर्मेंस” पर टिप्पणी करते हुए, अध्यक्ष और CEO स्टीफ़न G. डैली ने इस सफलता को सक्षम करने के लिए “पूरे MACOM संगठन में असाधारण टीमवर्क” की प्रशंसा की।

इन संख्याओं के बाद “एक अच्छा शुरुआत” आई, जैसा कि Q1 में देखा गया, जिसमें डैली ने कहा, कंपनी का फोकस ग्राहकों की सेवा और “एक मजबूत, व्यापक और अधिक प्रतिस्पर्धी उत्पाद पोर्टफ़ोलियो बनाने” पर बना हुआ है।

1Q25 में, MACOM की राजस्व $218.1 मिलियन थी, जो 1Q24 से 38.8 % बढ़ी, और ऑपरेशन्स से आय $17.5 मिलियन थी, या राजस्व का 8 %। पिछले तिमाही में, कंपनी ने वास्तव में $167.5 मिलियन का शुद्ध नुकसान दर्ज किया, या प्रति डाइल्यूटेड शेयर $2.30 का नुकसान, क्योंकि उसने ऋण उन्मूलन पर $193.1 मिलियन का एक‑बार का नुकसान उठाया।

अब, 4 जुलाई 2025 को समाप्त वित्तीय तृतीय तिमाही के लिए, MACOM $246 मिलियन से $254 मिलियन के बीच राजस्व का पूर्वानुमान लगा रहा है। यह समायोजित ग्रॉस मार्जिन को 56.5 % से 58.5 % के बीच और समायोजित प्रति डाइल्यूटेड शेयर आय को $0.87 से $0.91 के बीच अनुमानित कर रहा है, 3 % गैर‑GAAP आयकर दर और 76.5 मिलियन पूर्ण‑डाइल्यूटेड शेयरों का उपयोग करते हुए।

इन सबके बीच, MACOM ने निवेशों के माध्यम से अपने व्यवसाय का विस्तार जारी रखा। इस साल जनवरी में, MACOM ने अपने मैसाचुसेट्स और नॉर्थ कैरोलिना वेफ़र फ़ैब्रिकेशन सुविधाओं में पाँच वर्षों की अवधि में $345 मिलियन तक निवेश करने की रणनीतिक योजना की घोषणा की। इस निवेश का लक्ष्य मौजूदा सुविधाओं को आधुनिक बनाना और RF, माइक्रोवेव और मिलिमीटर वेव तकनीकों के लिए उन्नत निर्माण क्षमताएँ पेश करना है, ताकि MACOM के डेटा‑सेंटर, टेलीकम्युनिकेशन और रक्षा उद्योगों के लिए उत्पाद पेशकशें बढ़ सकें। 

विशेष रूप से अपने मैसाचुसेट्स सुविधा में, कंपनी 150 mm GaN‑on‑SiC निर्माण क्षमता स्थापित करेगी।

“यह योजना MACOM की घरेलू सेमीकंडक्टर निर्माण क्षमताओं को मजबूत करेगी,” डैली ने कहा, यह जोड़ते हुए कि यह कंपनी की विकास रणनीति को भी तेज़ करेगा।

यह पहल CHIPS प्रोग्राम ऑफिस के साथ एक प्रारंभिक समझौते द्वारा समर्थित है, जिसने संयुक्त राज्य में सुविधाओं और उपकरणों में निवेश के लिए प्रोत्साहन प्रदान करने के लिए कुल $39 बिलियन समर्पित किए हैं। यह CHIPS और साइंस एक्ट के तहत MACOM को $180 मिलियन फंडिंग और टैक्स क्रेडिट प्रस्तावित करता है।

इससे कुछ महीने पहले, MACOM ने ENGIN‑IC नामक एक फॅब्लेस सेमीकंडक्टर कंपनी का अधिग्रहण किया, जो उन्नत GaN MMICs (मोनोलिथिक माइक्रोवेव इंटीग्रेटेड सर्किट्स) डिजाइन करती है, ताकि अपने लक्षित बाजारों की बेहतर सेवा कर सके और बाजार हिस्सेदारी बढ़ा सके।

ENGIN‑IC का फोकस वास्तव में अमेरिकी रक्षा उद्योग की सेवा करना है और इसके पास 60 से अधिक मानक MMICs और कई कस्टम MMICs का उत्पाद पोर्टफ़ोलियो है।

“ENGIN‑IC की असाधारण वाइडबैंड और हाई‑एफ़िशिएंसी MMIC और मॉड्यूल डिज़ाइन विशेषज्ञता हमें अपने पारस्परिक ग्राहकों को बेहतर समर्थन देने में सक्षम करेगी,” डैली ने उस समय कहा, जबकि ENGIN‑IC के सह‑स्थापक और CTO स्टीफ़न नेल्सन ने “MACOM के प्रयासों का हिस्सा बनने के लिए उत्साहित” कहा, “जो GaN सेमीकंडक्टर प्रक्रियाओं और उत्पादों में उद्योग को अग्रणी बनाने के लिए है।”

निष्कर्ष

6G वायरलेस संचार के लिए अगली पीढ़ी की तकनीक है, जो और भी तेज़ गति और अधिक कुशल संचार का वादा करती है। इस वैश्विक संचार, स्वचालन और इमर्सिव वर्चुअल अनुभवों के भविष्य को साकार करने के लिए, सेमीकंडक्टर में प्रगति आवश्यक है। सेमीकंडक्टर सामग्री GaN, अपनी उच्च गति, कम प्रतिरोध और उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज जैसी अनोखी विशेषताओं के साथ, इलेक्ट्रॉनिक्स और संचार को क्रांतिकारी बनाने की अपनी संभावनाएँ प्रदर्शित करती है।

GaN‑आधारित SLCFETs में नवीनतम突破, जो नई ट्रांज़िस्टर आर्किटेक्चर का लाभ उठाता है और लैच‑इफ़ेक्ट के यांत्रिकी को उजागर करता है, हाई‑फ़्रीक्वेंसी सेमीकंडक्टर प्रदर्शन में संभव की सीमाओं को आगे बढ़ाता है।

यह नवाचार 6G को वास्तविकता की ओर ले जाने का मार्ग पहले से अधिक स्पष्ट बनाता है, स्केलेबल प्रदर्शन और मजबूत विश्वसनीयता दोनों को उजागर करके।

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उद्धृत अध्ययन:

1. Kumar, A. S., Dalcanale, S., Uren, M. J., & अन्य। (2025). गैलियम नाइट्राइड मल्टी‑चैनल डिवाइस विद लैच‑इंड्यूस्ड सब‑60 mV‑पर‑डेकेड सबथ्रेशोल्ड स्लोप्स फ़ॉर रेडियोफ़्रीक्वेंसी एप्लिकेशन्स। Nature Electronics। https://doi.org/10.1038/s41928-025-01391-5