वाष्प-निधारित पेरोव्स्काइट्स द्वारा अगली पीढ़ी के अर्धचालकों को शक्ति देना

इलेक्ट्रॉनिक्स ने आधुनिक समाज पर गहरा प्रभाव डाला है, न केवल दूरसंचार और मनोरंजन में बल्कि शिक्षा, स्वास्थ्य देखभाल, परिवहन, विनिर्माण, कंप्यूटिंग और सुरक्षा में भी।

इलेक्ट्रिक उपकरणों में एक महत्वपूर्ण घटक अर्धचालक है, जिसे चिप भी कहा जाता है। अर्धचालक वह पदार्थ है जिसमें इंसुलेटर और कंडक्टर दोनों की कुछ विशेषताएँ होती हैं। इसे उस इलेक्ट्रॉनिक घटक की विशिष्ट आवश्यकताओं के अनुसार संशोधित किया जा सकता है जिसमें यह स्थित होता है। इसके कार्यों में संकेतों का प्रवर्धन, स्विचिंग, और ऊर्जा रूपांतरण शामिल हैं।

अर्धचालक उद्योग छोटे, तेज़ और सस्ते उत्पाद विकसित करने पर केंद्रित है और इन लक्ष्यों को प्राप्त करने तथा अगली पीढ़ी के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों को आगे बढ़ाने के लिए निरंतर नए पदार्थों की खोज कर रहा है।

अविषैली टिन (Sn)-आधारित पेरोव्स्काइट्स का अन्वेषण अर्धचालकों के लिए

उभरते अर्धचालकों में, धातु‑हैलाइड पेरोव्स्काइट ने अपनी उत्कृष्ट चार्ज ट्रांसपोर्ट गुणों और कम तापमान पर बड़े‑क्षेत्रीय, कम लागत वाले निक्षेपण क्षमता के कारण लोकप्रियता हासिल की है। 

धातु‑हैलाइड वे यौगिक हैं जो धातु और हैलोजन तत्वों के संयोजन से बनते हैं। उदाहरण के तौर पर सोडियम क्लोराइड (नमक) और यूरेनियम हेक्साफ्लोराइड (न्यूक्लियर ऊर्जा रिएक्टरों में उपयोग होने वाला ईंधन) शामिल हैं। 

पेरोव्स्काइट्स वह पदार्थ वर्ग है जिसका क्रिस्टल संरचना ABO3 होती है। यहाँ A एक दुर्लभ पृथ्वी तत्व है, जबकि B एक संक्रमण धातु है। इन पदार्थों का उत्पादन एसीटेट, नाइट्रेट और कार्बोनेट के थर्मल डीकम्पोजिशन द्वारा 600 से 900 °C के उच्च तापमान पर किया जाता है।

धातु‑हैलाइड पेरोव्स्काइट्स में, अविषैली टिन (Sn)-आधारित उम्मीदवार अपने अनोखे क्रिस्टल संरचना के कारण आशाजनक बनकर उभरे हैं। टिन‑आधारित अर्धचालक कम विषाक्तता और बायोकम्पैटिबिलिटी के कारण ऊर्जा अनुप्रयोगों के लिए अत्यधिक वांछनीय हैं।

एक अध्ययन¹ जो आयोवा स्टेट यूनिवर्सिटी के शोधकर्ताओं द्वारा किया गया, टिन‑आधारित चैल्कोहैलाइड्स की ओर मुड़ा, जिन्हें कई अनुप्रयोगों के लिए अर्धचालकों के रूप में खोजा जा रहा है। इनमें ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक गुण होते हैं, अंतर्निहित उच्च स्थिरता दिखाते हैं, और पावर रूपांतरण दक्षता प्रदान करते हैं।

यह अध्ययन मल्टिनरी टिन चैल्कोहैलाइड अर्धचालकों के विकास पर केंद्रित था, जो लीड‑फ्री विकल्पों के रूप में बहु‑रूप समाधान‑फेज विधि का उपयोग करता है। इसने सिद्ध किया कि टिन चैल्कोहैलाइड्स पर्यावरणीय परिस्थितियों में उल्लेखनीय जल स्थिरता और समय के साथ हीलाइड पेरोव्स्काइट्स की तुलना में उत्कृष्ट तापीय प्रतिरोध दर्शाते हैं। इस कार्य के माध्यम से अधिक स्थिर और बायोकम्पैटिबल अर्धचालकों और उपकरणों को इंजीनियर करने में मदद करने का लक्ष्य रहा है।

उच्च-प्रदर्शन P-चैनल TFTs गति और दक्षता के लिए

जब बात अविषैली टिन (Sn)-आधारित cTin (Sn2+)-हैलाइड पेरोव्स्काइट्स की आती है, तो सीज़ियम टिन ट्रायोडाइड (CsSnI3), फॉर्मामिडीनियम टिन ट्रायोडाइड (FASnI3), और मेथाइलामोनियम टिन ट्रायोडाइड (MASnI3) जैसे पदार्थ उच्च-प्रदर्शन P-चैनल थिन‑फ़िल्म ट्रांज़िस्टर (TFTs) के विकास में संभावनाएँ दिखाते हैं।

TFTs सबसे अधिक लिक्विड‑क्रिस्टल डिस्प्ले (LCDs) में उपयोग होते हैं और स्मार्टफ़ोन, टैबलेट, लैपटॉप, डेस्कटॉप और एचडी टीवी के फ्लैट‑पैनल डिस्प्ले का मुख्य चालक हैं।

हमारे उपकरणों का उपयोग करते समय, हजारों सूक्ष्म घटक, अर्थात ट्रांज़िस्टर, पर्दे के पीछे निरंतर काम करते हैं, विद्युत धारा को नियंत्रित करके छवियों को प्रदर्शित करते हैं और सुगम संचालन सुनिश्चित करते हैं। 

अब, ट्रांज़िस्टर को n‑type (इलेक्ट्रॉन ट्रांसपोर्ट) और p‑type (होल ट्रांसपोर्ट) में वर्गीकृत किया जाता है। n‑type उपकरण आमतौर पर बेहतर प्रदर्शन दिखाते हैं। लेकिन यदि हम उच्च गति कंप्यूटिंग को कम ऊर्जा खपत के साथ हासिल करना चाहते हैं, तो p‑type ट्रांज़िस्टर को भी तुलनीय दक्षता प्राप्त करनी होगी।

इसलिए ध्यान उच्च-प्रदर्शन P-चैनल थिन‑फ़िल्म ट्रांज़िस्टर पर केंद्रित है। TFTs बनाने के लिए आमतौर पर सिलिकॉन या धातु‑ऑक्साइड जैसे अर्धचालक और एक डाइलेक्ट्रिक लेयर, जो आमतौर पर अकार्बनिक पदार्थों की होती है, को कांच या प्लास्टिक जैसे गैर‑चालक सब्सट्रेट पर निक्षेपित किया जाता है।

यदि हम पेरोव्स्काइट्स को चैनल लेयर (अर्थात अर्धचालक पदार्थ) के रूप में थिन‑फ़िल्म ट्रांज़िस्टर अनुप्रयोगों में उपयोग करना चाहते हैं, तो हमें उनकी अत्यधिक होल सांद्रता को समायोजित करना होगा। हमें क्रिस्टलीकरण प्रक्रिया को नियंत्रित करके स्कैटरिंग समय को बढ़ाना भी आवश्यक है। 

Sn2+-हैलाइड पेरोव्स्काइट प्रीकर्सर्स के नाभिकीयकरण और क्रिस्टलीकरण को नियंत्रित करने के लिए संरचना इंजीनियरिंग विधियों का उपयोग किया जाता है। ये विधियाँ TFTs को उच्च होल फील्ड‑इफ़ेक्ट मोबिलिटी प्राप्त करने में सक्षम बनाती हैं, जो कम‑तापमान पॉलीक्रिस्टलीन उपकरणों के स्तर पर होती है, जो मुख्यतः सौर फोटोवोल्टाइक और इलेक्ट्रॉनिक उद्योगों में उपयोग होते हैं।

Sn2+-हैलाइड पेरोव्स्काइट पतली परतों के लिए मुख्य निक्षेपण तकनीक समाधान‑प्रसंस्करण है, जो कागज़ में स्याही को भिगोने जैसा है। यह तकनीक तेज़ अनुकूलन परीक्षणों को लागत‑प्रभावी ढंग से प्रदान करती है।

यह तेज़ प्रगति प्रयोगशाला में और भविष्य में कम‑लागत, उच्च‑थ्रूपुट निर्माण की संभावनाएँ इस कारण हैं कि अधिकांश शोध हॉलाइड पेरोव्स्काइट पदार्थों के ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स में उपयोग के आसपास मुख्यतः समाधान‑आधारित निक्षेपण विधियों पर केंद्रित है।

वास्तविक दुनिया में, हालांकि, ऐसा बिल्कुल नहीं है। क्योंकि प्रयोगशाला से औद्योगिक वातावरण में इस तकनीक को स्थानांतरित करना चुनौतीपूर्ण है। जब इसे ऑप्टो‑इलेक्ट्रॉनिक औद्योगिक उत्पादन श्रृंखला में लागू किया जाता है, तो यहाँ तक कि सबसे अनुभवी लोग भी इस विधि के साथ पर्याप्त उत्पादन उपज और पुनरुत्पादकता हासिल करने में संघर्ष करते हैं।

इसलिए, जबकि समाधान‑प्रसंस्कृत टिन (Sn2+)-हैलाइड पेरोव्स्काइट्स P-चैनल TFTs के लिए व्यावसायिक कम‑तापमान पॉली‑सिलिकॉन तकनीक के तुल्य प्रदर्शन के साथ व्यवहार्य हैं, समस्या न केवल निरंतर गुणवत्ता में बल्कि स्केलेबिलिटी और व्यावसायीकरण में भी उत्पन्न होती है, क्योंकि उनकी मौजूदा फ्लैट‑पैनल डिस्प्ले और अर्धचालक उपकरण निर्माण प्रक्रियाओं के साथ कम संगतता है। 

वाष्प-आधारित निक्षेपण तकनीकें प्रमुखता लेती हैं

वाष्प निक्षेपण ने थिन‑फ़िल्म ट्रांज़िस्टर (TFTs) को उत्पादन करने के लिए समाधान‑आधारित तकनीकों का एक वैकल्पिक विकल्प के रूप में उभरा है।

यह वास्तव में वाणिज्यिक थिन‑फ़िल्म इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए एक लोकप्रिय और अग्रणी तकनीक है, क्योंकि यह सरलता, सटीकता में उत्कृष्टता, शानदार फिल्म गुणवत्ता, और पारंपरिक उत्पादन प्रक्रियाओं के साथ संगतता प्रदान करती है। 

थिन‑फ़िल्म की मोटाई और रूप‑रचना का डिवाइस के प्रदर्शन पर महत्वपूर्ण प्रभाव पड़ता है, और वाष्प निक्षेपण इनको सटीक रूप से नियंत्रित करने की अनुमति देता है।

भौतिक वाष्प निक्षेपण (PVD) और रासायनिक वाष्प निक्षेपण (CVD) दोनों फिल्म की मोटाई, संरचना और गुणों पर उत्कृष्ट नियंत्रण प्रदान करते हैं। 

समाधान‑आधारित तकनीकों की सीमाओं के कारण, वाष्प‑आधारित निक्षेपण तकनीकें वास्तविक औद्योगिक वातावरण में, विशेषकर फोटोवोल्टाइक निर्माण में, सबसे अधिक उपयोग की जाती हैं। उदाहरण के तौर पर, प्रमुख PV सौर ऊर्जा समाधान प्रदाता, First Solar (FSLR ), वाष्प प्रक्रिया का उपयोग करके अपने कैडमियम टेल्यूराइड सौर सेल बनाते हैं। एक अन्य उदाहरण Heliatek GmbH है, जो अपने वाणिज्यिक ऑर्गेनिक फोटोवोल्टाइक के लिए थर्मल इवैपोरेशन का उपयोग करता है।

लेकिन, बेशक, वाष्प‑आधारित निक्षेपण तकनीकों के बिना चुनौतियाँ नहीं हैं। इनमें उच्च लागत, प्रक्रिया जटिलता, सीमित थ्रूपुट, और सब्सट्रेट आकार एवं आकार पर सीमाएँ शामिल हैं।

पिछले वर्ष का एक अध्ययन एक नया तरीका प्रस्तुत करता है² जिसे निरंतर फ्लैश सब्लिमेशन (CFS) कहा जाता है, ताकि वाष्प निक्षेपण की सीमाओं को पार करके उच्च‑गुणवत्ता वाले अकार्बनिक हैलाइड पेरोव्स्काइट फ़िल्मों का उत्पादन किया जा सके।

उनकी CFS तकनीक ने तेज़ और निरंतर निक्षेपण को सक्षम किया, जिससे निर्माण समय घटा और फ़िल्म की समानता बढ़ी, जो पेरोव्स्काइट‑आधारित उपकरणों के स्केलेबल निर्माण के लिए महत्वपूर्ण है। 

अध्ययन के निष्कर्षों के अनुसार, व्यावहारिक सौर कोशिकाओं में CFS‑उत्पन्न फ़िल्मों का उपयोग करने से प्रदर्शन न केवल समाधान‑निक्षेपित फ़िल्मों के स्तर पर था, बल्कि पहले रिपोर्ट किए गए वाष्प‑निक्षेपित सभी‑अकार्बनिक पेरोव्स्काइट उपकरणों से भी श्रेष्ठ था।

शोध ने 15 % की पावर रूपांतरण दक्षता रिपोर्ट की, जिससे “सबसे कुशल वाष्प‑प्रसंस्कृत सौर कोशिकाएँ जो अकार्बनिक हैलाइड पेरोव्स्काइट एब्जॉर्बर का उपयोग करती हैं” प्राप्त हुईं, जबकि वाष्प‑प्रसंस्कृत पेरोव्स्काइट सौर कोशिकाओं की चुनौतियों, जैसे अत्यधिक लंबा प्रसंस्करण समय और निरंतर निक्षेपण की कमी, को भी हल किया गया, जो औद्योगिक पैमाने पर वाष्प‑आधारित दृष्टिकोणों के तेज़ अनुप्रयोग में बाधा बनते थे।

वाष्पित CsSnI3 परतों के साथ अर्धचालकों में क्रांति

वाष्प निक्षेपण की क्रिस्टलीकरण प्रक्रियाएँ धीमी ठोस प्रतिक्रियाएँ होती हैं, जबकि समाधान प्रसंस्करण में तेज़ आयनिक प्रतिक्रियाएँ होती हैं।

यह वाष्प निक्षेपण के माध्यम से उपयुक्त होल घनत्व वाले उच्च‑गुणवत्ता, उच्च‑मोबिलिटी Sn2+-पेरोव्स्काइट चैनलों को प्राप्त करने में चुनौती बनाता है।

इन सीमाओं को पार करने के लिए, पोस्टेक (POSTECH) के रसायन अभियांत्रिकी विभाग के डॉ. यूजिन रियो और प्रोफेसर यॉन्ग‑यॉन्ग नोह की टीम ने एक क्रांतिकारी तकनीक विकसित की है।

टीम ने थर्मल इवैपोरेशन दृष्टिकोण का उपयोग करके CsSnI3 (अकार्बनिक सीज़ियम टिन आयोडाइड) को P‑चैनल Sn2+-हैलाइड पेरोव्स्काइट TFTs बनाने के लिए उपयोग किया, जो अगली पीढ़ी के डिस्प्ले और इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में क्रांति लाने की क्षमता दर्शाते हैं। 

यह अध्ययन, जो प्रोफेसर हुहुई झू और प्रोफेसर आओ लियू (चीन के इलेक्ट्रॉनिक विज्ञान और प्रौद्योगिकी विश्वविद्यालय, UESTC) के साथ सहयोग में किया गया, Nature Electronics में प्रकाशित हुआ³ और कोरियाई सरकार, चीन की राष्ट्रीय प्राकृतिक विज्ञान निधि, तथा सैमसंग डिस्प्ले कॉरपोरेशन से समर्थन प्राप्त किया।

टीम ने थर्मल इवैपोरेशन को सफलतापूर्वक लागू किया, जो अर्धचालक चिप्स और OLED टीवी के निर्माण में व्यापक रूप से उपयोग होता है, ताकि उच्च‑गुणवत्ता वाले CsSnI3 अर्धचालक लेयर बनाए जा सकें।

इस विधि में, पदार्थों को उच्च तापमान पर वाष्पित किया जाता है और सब्सट्रेट पर पतली परत बनती है।

अकार्बनिक CsSnI3‑आधारित P‑चैनल TFTs को वाष्प‑निक्षेपित करने के अलावा, टीम ने लीड क्लोराइड (PbCl2) को एडिटिव के रूप में उपयोग किया। केवल थोड़ी मात्रा में PbCl2 जोड़ने से पेरोव्स्काइट पतली फ़िल्मों की समानता और क्रिस्टलीयता में सुधार हुआ। 

यह काम इस प्रकार किया गया कि अस्थायी क्लोराइड को यहाँ प्रतिक्रिया प्रारंभकर्ता के रूप में उपयोग किया गया, जिससे वाष्पित पेरोव्स्काइट यौगिकों की ठोस‑स्थिति प्रतिक्रियाएँ हुईं, जो पूर्ण पेरोव्स्काइट चरण निर्माण तक विस्तारित हुईं। परिणामस्वरूप, क्रमिक रूप से घने, बड़े‑ग्रेन वाले संरचनाएँ बनीं। 

समान रूप से उच्च‑गुणवत्ता वाली पेरोव्स्काइट फ़िल्मों के निर्माण को सुविधाजनक बनाने के अलावा, यह उच्च होल घनत्व को भी मोड्यूलेट करता है, जिससे वे चैनल लेयर के उपयोग के लिए उपयुक्त बनते हैं।

अध्ययन के अनुकूलित TFTs (CsSnI3:PbCl2 TFTs) ने दीर्घकालिक भंडारण स्थिरता (150 दिन से अधिक) और उत्कृष्ट प्रदर्शन दिखाया, जिसमें 33.8 cm² V⁻¹ s⁻¹ से अधिक होल मोबिलिटी और 10⁸ से अधिक ऑन/ऑफ़ करंट अनुपात (Ion/Ioff) प्राप्त हुआ। यह प्रदर्शन वर्तमान में व्यावसायिक n‑type ऑक्साइड अर्धचालकों के तुल्य है, जो स्विचिंग के दौरान तेज़ संकेत प्रसंस्करण और कम ऊर्जा खपत का संकेत देता है।

इसके अतिरिक्त, टीम ने बड़े‑पैमाने पर समान Sn2+-हैलाइड पेरोव्स्काइट TFT एरे निर्मित किया। इस उपलब्धि के साथ, डिवाइस स्थिरता को बढ़ाते हुए, POSTECH की नवाचार UESTC शोधकर्ताओं के सहयोग से समाधान‑आधारित विधियों की प्रमुख तकनीकी सीमाओं को प्रभावी रूप से पार कर गई।

विशेष रूप से, क्योंकि यह मौजूदा OLED डिस्प्ले उत्पादन उपकरणों के साथ संगत है, यह तकनीक लागत घटाने और निर्माण प्रक्रियाओं को सुव्यवस्थित करने की महत्वपूर्ण संभावनाएँ प्रस्तुत करती है।

अध्ययन के अनुसार, वाष्प‑निक्षेपित TFTs को ऑर्गेनिक लाइट‑एमिटिंग डायोड डिस्प्ले (OLEDs) के बैक‑प्लेन या लो‑प्रोसेस तापमान की आवश्यकता वाले मोनोलिथिक 3D इंटीग्रेशन के लॉजिक डिवाइस और सर्किट में उपयोग किया जा सकता है।

“यह तकनीक स्मार्टफ़ोन, टीवी, वर्टिकली स्टैक्ड इंटीग्रेटेड सर्किट और यहां तक कि पहनने योग्य इलेक्ट्रॉनिक्स में अल्ट्रा‑थिन, लचीले और उच्च‑रिज़ॉल्यूशन डिस्प्ले के व्यावसायीकरण के लिए रोमांचक संभावनाएँ खोलती है, क्योंकि प्रक्रिया तापमान 300 °C से नीचे रहता है।”

– प्रोफेसर यॉन्ग‑यॉन्ग नोह

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अर्धचालकों में निवेश

अर्धचालक दुनिया में, Intel (INTC ) सबसे बड़े कंपनियों में से एक है, और यह उन्नत चिप तकनीकों के विकास में भारी निवेश कर रहा है। जैसे ही उद्योग छोटे, अधिक कुशल ट्रांज़िस्टर की ओर बढ़ रहा है, वाष्प‑निक्षेपित पेरोव्स्काइट जैसी नवाचार Intel के लिए अत्यधिक रुचिकर हैं, जो विशिष्ट अनुप्रयोगों में सिलिकॉन के विकल्पों की तलाश में है।

इसके अलावा, Intel लगातार नई सामग्रियों को चिप डिज़ाइन में एकीकृत करने पर काम कर रहा है ताकि प्रदर्शन और समग्र चिप आर्किटेक्चर को बढ़ाया जा सके। 

Intel Corporation (INTC )

कंपनी तीन खंडों के माध्यम से संचालित होती है। Intel Products में नेटवर्क और एज (NEX), डेटा सेंटर और AI (DCAI), तथा क्लाइंट कंप्यूटिंग ग्रुप (CCG) शामिल हैं। Intel Foundry एक अन्य खंड है, जबकि All Other खंड में Altera, Mobileye आदि शामिल हैं।

संयुक्त राज्य अमेरिका की सबसे बड़ी चिप निर्माता प्रमुख पीसी निर्माताओं जैसे Dell, Lenovo, और HP को अपने ग्राहकों के रूप में गिनती करती है। यह अमेरिकी रक्षा विभाग के लिए अत्याधुनिक चिप्स भी बनाती है। इसके अलावा, Intel ने Microsoft (MSFT ), Cisco, SAP, और Amazon जैसी कंपनियों के साथ साझेदारी सुरक्षित की है। 

Intel का मार्केट कैप $91.23 बिलियन है, और इसके शेयर वर्तमान में $20.93 पर ट्रेड हो रहे हैं, इस वर्ष अब तक 4.6 % बढ़े हैं। इसका EPS (TTM) -4.48 है, और P/E (TTM) -4.68 है, लेकिन शेयरधारकों को कोई डिविडेंड यील्ड नहीं दिया जाता।

जबकि INTC का प्रदर्शन इस वर्ष सकारात्मक हो गया है, शेयर कीमतें अभी भी 2021 के लगभग $67.5 के शिखर से बहुत दूर हैं। 2023 Intel स्टॉक्स के लिए एक अच्छा साल था। लेकिन पिछले साल कठिन रहा, क्योंकि कीमतें $19 से नीचे गिर गईं, और इस वर्ष टैरिफ़ और संभावित व्यापार युद्ध से उत्पन्न अनिश्चितता ने व्यापक स्टॉक मार्केट को प्रभावित किया है।

“वर्तमान मैक्रो पर्यावरण उद्योग में बढ़ी हुई अनिश्चितता पैदा कर रहा है,” CFO डेविड ज़िन्स्नर ने कहा। जबकि कंपनी ने विश्लेषकों के साथ एक कॉल में “अनुशासित और सतर्क दृष्टिकोण” अपनाया, ज़िन्स्नर ने उल्लेख किया कि व्यापार नीतियों और नियामक जोखिमों ने “आर्थिक मंदी की संभावना बढ़ा दी है, जिससे मंदी की संभावना बढ़ रही है।”

हालाँकि, कुछ सकारात्मक समाचार ट्रम्प प्रशासन की तैयारी में देखे जा सकते हैं, जो अमेरिकी चिप निर्यात प्रतिबंधों को उलटने के लिए ‘AI डिफ्यूज़न नियम’ को रद्द करने की दिशा में है। यह उन प्रतिबंधों को समाप्त करेगा जो बाइडेन प्रशासन ने चिप निर्माताओं पर लगाए थे और 15 May को प्रभावी होने वाले हैं।

इस नियम के तहत, देशों को तीन विभिन्न स्तरों में व्यवस्थित किया गया है, और सभी को इस बात में प्रतिबंधित किया गया है कि क्या उन्नत AI चिप्स जैसे Intel और Nvidia (NVDA ) के बनाए गए चिप्स को बिना लाइसेंस के उस देश में भेजा जा सकता है।

“बाइडेन AI नियम अत्यधिक जटिल, अत्यधिक नौकरशाहीपूर्ण है, और अमेरिकी नवाचार को रोक देगा। हम इसे एक बहुत सरल नियम से बदलेंगे जो अमेरिकी नवाचार को मुक्त करेगा और अमेरिकी AI प्रभुत्व को सुनिश्चित करेगा।”

– Department of Commerce spokesperson

Intel के वित्तीय आंकड़ों के अनुसार, 2025 की Q1 में YoY वृद्धि स्थिर रही, राजस्व $12.7 बिलियन रहा जबकि प्रति शेयर आय (EPS) $(0.19) और गैर‑GAAP EPS $0.13 था। यह पूरे 2024 में $53.1 बिलियन राजस्व दर्ज करने के बाद आया, जो YoY 2 % घटा, जबकि EPS $(4.38) और गैर‑GAAP EPS $(0.13) था।

धीमी गति अगले तिमाही में जारी रहने की उम्मीद है, Intel ने राजस्व $11.2 बिलियन से $12.4 बिलियन के बीच का अनुमान लगाया है। हालांकि, कंपनी ने अगले वर्ष खर्चों में कटौती की योजना की घोषणा की है, जो CEO Lip‑Bu Tan के तहत पहला कदम है। 2025 के संचालन खर्च $17 बिलियन और 2026 के खर्च $16 बिलियन होने की उम्मीद है।

“पहला क्वार्टर सही दिशा में एक कदम था, लेकिन तेज़ समाधान नहीं हैं क्योंकि हम बाजार हिस्सेदारी पुनः प्राप्त करने और सतत विकास को चलाने के रास्ते पर वापस आने की कोशिश कर रहे हैं,” टैन ने कहा, जिन्होंने सैकड़ों चीनी तकनीकी कंपनियों में निवेश किया। उनके तहत, कंपनी “बेहतर निष्पादन और संचालन दक्षता को तेज़ी से चलाने के लिए त्वरित कदम उठा रही है, जबकि हमारे इंजीनियरों को बेहतरीन उत्पाद बनाने के लिए सशक्त बना रही है।”

इसलिए, Intel स्पष्ट रूप से एक चुनौतीपूर्ण अवधि से गुजर रहा है। घटते राजस्व और असंतोषजनक बाजार प्रदर्शन के अलावा, कंपनी बाजार हिस्सेदारी खो रही है, और फाउंड्री व्यवसाय में उसके निवेश अभी तक महत्वपूर्ण परिणाम नहीं दे पाए हैं। Intel ने नए उत्पाद लॉन्च करने में भी निष्पादन विफलताएँ देखी हैं।

लेकिन नई नेतृत्व के तहत आक्रामक पुनर्संरचना, जिसमें संभावित छंटनी, स्पिन‑ऑफ़ या फाउंड्री ऑपरेशन को TSMC को बेचने की अटकलें, और Intel 18A के साथ अपनी नेतृत्व स्थिति को पुनः प्राप्त करने की संभावना, जो पहले ही Microsoft के समर्थन को सुरक्षित कर चुका है और Nvidia तथा Google द्वारा भी देखा जा रहा है, Intel को एक सार्थक वापसी में मदद कर सकती है, हालांकि निष्पादन यहाँ महत्वपूर्ण होगा।

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निष्कर्ष

अर्धचालक आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स की नींव हैं। और सस्ते, तेज़ और छोटे उपकरणों की बढ़ती मांग के साथ, सामग्री नवाचार पहले से अधिक महत्वपूर्ण हो गया है।

इन पृष्ठभूमि में, नवीनतम अध्ययन द्वारा हासिल किया गया ब्रेकथ्रू पारंपरिक थिन‑फ़िल्म ट्रांज़िस्टर तकनीकों को बाधित करने की बड़ी संभावनाएँ दर्शाता है। वाष्प‑निक्षेपित Sn2+-हैलाइड पेरोव्स्काइट TFTs में थर्मल स्थिरता और मौजूदा OLED निर्माण विधियों के साथ संगतता में सुधार ने लचीले और 3D इलेक्ट्रॉनिक्स में पेरोव्स्काइट‑आधारित अर्धचालकों के एकीकरण के लिए आशाजनक भविष्य को उजागर किया है। 

ऐसे निरंतर नवाचारों के माध्यम से, हम अत्यधिक कॉम्पैक्ट, ऊर्जा‑कुशल और लचीले स्मार्ट डिवाइसों के भविष्य की ओर प्रगति कर रहे हैं।

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संदर्भित अध्ययन:

1. Roth, A. N., Porter, A. P., Horger, S., Ochoa‑Romero, K., Guirado, G., Rossini, A. J., & Vela, J. (2024). Lead‑free semiconductors: Phase‑evolution and superior stability of multinary tin chalcohalides. Chemistry of Materials, 36(9), 4542–4552. https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.4c00209

2. Abzieher, T., Muzzillo, C. P., Mirzokarimov, M., Lahti, G., Kau, W. F., Kroupa, D. M., Cira, S. G., Hillhouse, H. W., Kirmani, A. R., Schall, J., Kern, D., Luther, J. M., & Moore, D. T. (2024). Continuous flash sublimation of inorganic halide perovskites: overcoming rate and continuity limitations of vapor deposition. Journal of Materials Chemistry A, 12, 8405–8419. https://doi.org/10.1039/D3TA05881F

3. Reo, Y., Zou, T., Choi, T., et al. (2025). Vapour‑deposited high‑performance tin perovskite transistors. Nature Electronics. https://doi.org/10.1038/s41928-025-01380-8