Datorer
Samsung och ASML utökar High NA EUV‑partnerskapet för nästa generations chips
Lägg till Securities.io bland dina föredragna källor på Google
Samsung Electronics och ASML meddelade en utvidgning av deras långvariga strategiska partnerskap den 8 september 2026, vilket fördjupar samarbetet kring High NA EUV‑litografi och avancerade tillverkningstekniker för halvledare. Enligt det utökade avtalet kommer Samsung att ansluta sig till ett branschinitiativ för att driva nästa generations 12‑tum fotomaskteknik och planerar att införa ASML:s High NA extremultraviolett‑litografi i framtida högvolymtillverkning av DRAM senast 2028, en först i branschen, enligt företagets gemensamma pressmeddelande.
De två företagen sade att de kommer att samarbeta för att påskynda utvecklingen och införandet av teknologier som stödjer de ökande prestanda‑ och effektivitetskraven inom avancerad halvledartillverkning. Samarbetet bygger på flera år av samarbete mellan den nederländska leverantören av litografisk utrustning och den sydkoreanska chipstillverkaren.
Initiativ för 12‑tum fotomask
Samsung kommer att ansluta sig till branschinitiativet för att driva nästa generations 12‑tum fotomaskteknik för framtida tillverkning. Halvledarindustrin har i årtionden förlitat sig på 6‑tum fotomaskformatet. Med High NA EUV förväntas övergången till större, 12‑tum maskar ytterligare öka fabriksproduktiviteten, sänka kostnaderna för chipproduktion och eliminera limningsbegränsningar, enligt meddelandet.
Det större maskformatet är avsett att möjliggöra för avancerade chipstillverkare att fullt utnyttja fördelarna med High NA EUV, vilket gör framtida generationer av ledande chips mer kostnadseffektiva. Samsung sade att de kommer att arbeta nära branschpartner för att utveckla den nödvändiga maskteknologin och den stödjande infrastrukturen, med stöd av deras ledarskap inom både minnes‑ och foundry‑tillverkning samt deras omfattande erfarenhet av avancerad EUV‑litografi.
High NA EUV i DRAM‑tillverkning
Samsung planerar också att införa ASML:s High NA EUV‑litografi i framtida högvolymtillverkning av DRAM för första gången i branschen senast 2028. Företaget sade att detta steg visar att High NA‑tekniken är redo att stödja avancerade minnes‑ och logikapplikationer. High NA EUV förväntas förlänga DRAM:s skalningsplan, med förbättrad upplösning som möjliggör förenkling av processen och ökad effektivitet, enligt meddelandet.
High NA EUV‑system höjer den numeriska aperturen på projektionoptiken från 0,33 till 0,55, vilket möjliggör finare strukturer på kiselplåten.
Företagen beskrev meddelandet som ett uttryck för ett gemensamt engagemang för innovation, teknologiskt ledarskap och långsiktigt partnerskap. Samsung och ASML förväntar sig att fortsätta utforska samarbetsmöjligheter inom områden som avancerat minne och innovativa tillverkningsmetoder.
Verkställande uttalanden
Young Hyun Jun, vice ordförande och VD för Samsung Electronics, sade att AI‑eran omformar halvledarindustrin och ökar vikten av teknisk innovation i hela värdekedjan. ”Samsung är engagerat i att behålla ledarskapet inom avancerad halvledartillverkning, inklusive minne och foundry, genom banbrytande teknologier och starka partnerskap,” sade Jun. ”Genom att ytterligare stärka vårt samarbete med ASML hjälper vi till att lägga grunden för nästa generation av AI‑ och halvledarinnovation.”
Christophe Fouquet, president och VD för ASML, sade att Samsung har varit en av ASML:s viktigaste innovationspartner i många år och att företagen har hjälpt till att driva fram de teknologier som ligger till grund för modern halvledartillverkning. ”När industrin går in i en ny era driven av artificiell intelligens blir ett nära samarbete med våra kunder ännu viktigare,” sade Fouquet. ”Vi ser fram emot att samarbeta med Samsung för att möjliggöra nästa våg av halvledarinnovation.”
Samsung publicerade ett motsvarande meddelande i sitt globala nyhetsrum med samma villkor och verkställande uttalanden, daterat den 8 september 2026, från Seoul, Korea, och Veldhoven, Nederländerna.
Framtidsutsikter
Den planerade införandet av High NA EUV i DRAM:s högvolymtillverkning år 2028 samt de förväntade fördelarna med övergången till 12‑tum fotomasker är framtidsinriktade uttalanden som företagen gjort per datumet för meddelandet. ASML påpekade i pressmeddelandet att sådana uttalanden innebär risker och osäkerheter, inklusive risker relaterade till det strategiska samarbetet, fotomaskövergången samt antagandet och fördelarna med High NA EUV‑teknik, och att de inte har någon skyldighet att uppdatera dem efter dokumentets datum förutom när lagen kräver det. Företaget hänvisade till riskfaktorer som ingår i deras senaste årsredovisning på formulär 20‑F och andra inlagor till den amerikanska Securities and Exchange Commission.
ASML, med huvudkontor i Veldhoven, Nederländerna, levererar hårdvara, mjukvara och tjänster som används för massproduktion av integrerade kretsmönster. Företaget har mer än 44 000 anställda på kontor i EMEA, USA och Asien, och dess aktier handlas på Euronext Amsterdam och NASDAQ under symbolen ASML.
