Samsung og ASML udvider High NA EUV-partnerskabet for næste generations chips

Samsung Electronics og ASML annoncerede en udvidelse af deres mangeårige strategiske partnerskab den 8. september 2026, som uddyber samarbejdet om High NA EUV-litografi og avancerede fremstillingsteknologier for halvledere. I henhold til den udvidede aftale vil Samsung deltage i en brancheinitiativer for at fremme næste generations 12‑tommers fotomasketeknologi og planlægger at indføre ASML’s High NA ekstreme ultraviolette litografi i fremtidig DRAM‑produktion i stor skala inden 2028, en første gang i branchen, ifølge den fælles meddelelse fra virksomhederne.

De to virksomheder sagde, at de vil arbejde sammen om at fremskynde udviklingen og implementeringen af teknologier, der understøtter de stigende krav til ydeevne og effektivitet i avanceret halvlederfremstilling. Samarbejdet bygger på mange års samarbejde mellem den hollandske litografileverandør og den sydkoreanske chipproducent.

12‑tommers fotomaskinitiativ

Samsung vil deltage i brancheinitiativet for at fremme næste generations 12‑tommers fotomasketeknologi til fremtidig fremstilling. Halvlederindustrien har i årtier benyttet 6‑tommers fotomaskformatet. Med High NA EUV forventes overgangen til større, 12‑tommers masker yderligere at øge fab‑produktiviteten, sænke omkostningerne ved chipproduktion og fjerne samlingsbegrænsninger, ifølge meddelelsen.

Det større maskformat er beregnet til at gøre det muligt for avancerede chipproducenter at udnytte fordelene ved High NA EUV fuldt ud, så kommende generationer af førende chips bliver mere omkostningseffektive. Samsung oplyser, at de vil arbejde tæt sammen med branchepartnere om at udvikle den nødvendige masketeknologi og den tilhørende infrastruktur, idet de trækker på deres lederskab inden for både hukommelses- og foundry‑produktion samt deres omfattende erfaring med avanceret EUV-litografi.

High NA EUV i DRAM‑produktion

Samsung planlægger også at indføre ASML’s High NA EUV-litografi i fremtidig DRAM‑produktion i stor skala for første gang i branchen inden 2028. Virksomheden sagde, at skridtet viser, at High NA‑teknologien er klar til at understøtte avancerede hukommelses- og logikapplikationer. High NA EUV forventes at udvide DRAM‑skaleringens roadmap, idet den forbedrede opløsning muliggør procesforenkling og øget effektivitet, ifølge meddelelsen.

High NA EUV‑systemer øger den numeriske blænde for projektionsoptikken fra 0,33 til 0,55, hvilket gør det muligt at printe finere strukturer på waferen.

Virksomhederne beskrev meddelelsen som et udtryk for en fælles forpligtelse til innovation, teknologisk lederskab og langsigtet partnerskab. Samsung og ASML forventer at fortsætte med at undersøge samarbejdsmuligheder inden for områder som avanceret hukommelse og innovative fremstillingsmetoder.

Udtalelser fra ledelsen

Young Hyun Jun, viceformand og administrerende direktør for Samsung Electronics, sagde, at AI‑æraen transformerer halvlederindustrien og øger betydningen af teknologisk innovation i hele værdikæden. »Samsung er forpligtet til at opretholde lederskabet inden for avanceret halvlederfremstilling, herunder hukommelse og foundry, gennem banebrydende teknologier og stærke partnerskaber«, sagde Jun. »Ved yderligere at styrke vores samarbejde med ASML hjælper vi med at lægge grundlaget for næste generation af AI‑ og halvlederinnovation.«

Christophe Fouquet, præsident og administrerende direktør for ASML, sagde, at Samsung i mange år har været en af ASML’s vigtigste innovationspartnere, og at virksomhederne har bidraget til at fremme de teknologier, der understøtter moderne halvlederfremstilling. »Når industrien træder ind i en ny æra drevet af kunstig intelligens, bliver tæt samarbejde med vores kunder endnu vigtigere«, sagde Fouquet. »Vi ser frem til at arbejde sammen med Samsung for at muliggøre den næste bølge af halvlederinnovation.«

Samsung offentliggjorde en tilsvarende meddelelse i sit globale nyhedsrum med de samme vilkår og ledelsesudtalelser, dateret den 8. september 2026, fra Seoul, Korea, og Veldhoven, Holland.

Fremadskuende status

Den planlagte indførelse af High NA EUV i DRAM‑produktion i stor skala i 2028 samt de forventede fordele ved overgangen til 12‑tommers fotomasker er fremadskuende udtalelser fra virksomhederne pr. udgivelsesdatoen. ASML bemærkede i pressemeddelelsen, at sådanne udtalelser indebærer risici og usikkerheder, herunder risici relateret til det strategiske samarbejde, fotomaskovergangen samt implementeringen og fordelene ved High NA EUV‑teknologien, og at de ikke påtager sig nogen forpligtelse til at opdatere dem efter dokumentets dato, medmindre loven kræver det. Virksomheden henviste til risikofaktorerne, der er indeholdt i deres seneste årsrapport på Form 20‑F og andre indberetninger til den amerikanske Securities and Exchange Commission.

ASML, med hovedkontor i Veldhoven, Holland, leverer hardware, software og tjenester, der bruges til masseproduktion af mønstre i integrerede kredsløb. Virksomheden beskæftiger mere end 44.000 medarbejdere på kontorer i EMEA, USA og Asien, og deres aktier handles på Euronext Amsterdam og NASDAQ under symbolet ASML.