Ni₄W Bellek Atılımı Manyetsiz Anahtarlamayı Sağlıyor

En son teknolojik gelişmeler, büyük veri, yapay zeka (AI) ve Nesnelerin İnterneti (IoT) gibi alanları kapsayarak tonlarca veriyi toplar ve işler. Bunun için yüksek güç verimliliği, düşük gecikmeli veri transferi ve yüksek hızlı işlemeye ihtiyaç duyarlar.

Burada, yüksek performanslı bilgi işlem (HPC) alanındaki ilerlemeler, veri işleme yeteneklerini artırmada kritik öneme sahiptir; bunun için paralel işlem, güçlü donanım ve karmaşık yazılımlardan yararlanırlar.

Ancak, bellek erişimi genellikle darboğaz oluşturur; bu da bu taleplere uygun bellek teknolojisine güçlü bir ihtiyaç yaratır.

Bellek teknolojisi, veriye erişim, depolama ve değiştirme imkanı sağlar. Buradaki bilgi, her biri sıfır ya da bir (alternatif olarak doğru ya da yanlış) olan bit koleksiyonlarıyla temsil edilir.

İdeal olarak, bellek okuma ve yazma işlemleri ihmal edilebilir bir sürede gerçekleşir, çok az güç tüketir, önemsiz bir alan kaplar ve depoladığı değeri süresiz olarak korur. Ancak elbette, pratikte hiçbir bellek teknolojisi bu ideal koşulları tam olarak karşılamaz. Farklı teknolojilerin kendi güçlü ve zayıf yönleri vardır; tek bir en iyi bellek teknolojisi yoktur.

Bellek teknolojisi temel olarak iki kategoriye ayrılır:

• Uçucu
• Uçucu olmayan

Bu, hücre tasarımına dayanır. Hücreler, aslında bir bellek ‘hücreleri’ dizisi olan bellek birimlerinin temel birimleridir; her hücre bir bit veri tutar ve tek bir hücrenin özellikleri, tüm dizinin özelliklerini yansıtır.

Uçucu bellek, güç verildiği sürece çalışan ve güç kapatıldığında depolanan bilgiyi kaybeden bir bellek türüdür. Bu nedenle, bu bellek türü verileri geçici olarak depolamak için kullanılabilir.

Uçucu olmayan bellek ise, gücün kesilmesi durumunda bile depolanan değerini korur. Bu bellek türü için, üretimi daha zorlu ve elektronik olarak yazması güç olduğundan, gelişmiş yarı iletken teknolojisi uygulanır.

Piyasada daha fazla gelişmiş bellek teknolojisinin artan bulunabilirliğiyle, bu iki bellek kategorisi arasındaki ayrım giderek bulanıklaşmaktadır.

Bellek Teknolojisindeki Atılımlar

Bellek teknolojisinin çeşitli elektronik cihazların ve sistemlerin çalışması ve performansı için önemi, bilgisayarların ve diğer cihazların gerekli bilgiyi depolayıp geri almasını sağladığından, araştırmacılar onu daha verimli hâle getirmek için sürekli yeni yollar araştırmaktadır.

Yıllar içinde, çeşitli atılımlar teknolojiyi devrim niteliğinde değiştirdi. Mevcut RAM ve depolama çözümlerinin sınırlamalarını aşma hedefiyle, devam eden araştırmalar daha hızlı, daha enerji verimli bilgi işlem sağlıyor ve AI ve nöromorfik bilgi işlem gibi alanlarda yeni uygulamaları mümkün kılıyor.

PCM ve Düşük Güç Yenilikleri

Bu alandaki temel ilerlemelerden bazıları, RAM’in hızını flash depolamanın kalıcı olmayan özelliğiyle birleştiren tek bir bellek türü oluşturmak için yeni PCM (Phase Change Memory) malzemeleridir.

PCM alanında, geçen yılın sonlarında bilim insanları, PCM’in enerji gereksinimlerini bir milyar kata kadar azaltan yeni bir teknik keşfettiler.¹

“Phase-change bellek cihazlarının yaygın olarak kullanılmamasının nedenlerinden biri, gereken enerji miktarıdır,” dedi yazar Ritesh Agarwal, Penn Engineering’de malzeme bilimi ve mühendisliği profesörü. Bu, yeni tekniğin bulgularının düşük güç tüketimli bellek cihazları tasarlamak için “muazzam” bir potansiyele sahip olduğu anlamına geliyor.

Bu keşif, hem piezoelektrik (elektrik yüküne maruz kaldığında fiziksel olarak şekil değiştiren) hem de ferroelectric (harici bir yük gerektirmeden iç elektrik alanı üretebilen) özellikler gösteren bir yarı iletken olan indiyum selenür (In2Se3) maddesinin benzersiz özelliklerine dayanıyor.

İndiyum selenür sürekli bir akıma maruz bırakıldığında, araştırmacılar onun bazı bölümlerinin amorflaştığını, kristal yapıyı bozduğunu ve bu özelliklerin bir araya geldiğinde bir malzemede gerçekleşebilecek yapısal dönüşümler üzerine yeni bir alan açtığını gözlemlediler.

Multiferroikler ve Verimli Veri Depolama

Araştırmacılar, hem ferroelectric hem de ferromanyetik özellikler gösteren ve yıpratıcı olmayan veri depolama sağlayan multiferroik malzemeleri de inceliyor.

Bu tür bir malzeme, güçlü manyetoelektirik bağlamaya sahip olan ve veriyi enerji verimli bir şekilde yazmaya olanak tanıyan kobalt ile değiştirilmiş BiFeO3 (BiFe0.9Co0.1O3, BFCO) dir. Geçen yıl, Tokyo Teknoloji Enstitüsü’nden araştırmacılar, tek ferroelectric ve ferromanyetik alanlara sahip BFCO nanodotları geliştirdiler.²

Bu yıl, araştırmacılar ilerleme kaydederek, yönlendirilmiş ince filmlerde gerçek dünya anahtarlama işlevselliğini gösterdiler. Dinamik kontrol, daha cihaz uyumlu bir formatta gerçek elektrik alanı ile yönlendirilen manyetizasyon anahtarlamasını ortaya koymaktadır.

Ferroelectric Çözümler ve Yeni Bellek Tasarımları

Chiplet teknolojisi, bir alt tabakaya monte edilen birden fazla daha küçük çip ya da chiplet’in birbirine bağlanmasıyla daha yüksek bellek bant genişliği ve yoğunluğu sağlayan başka bir yaklaşımdır. Bu arada, NAND flash ve DRAM teknolojilerindeki ilerlemeler, daha küçük proses düğümlerine doğru devam ederken, bant genişliğini ve güç verimliliğini artırmaya odaklanmaktadır.

NAND flash belleği, hücreleri 3D yapı içinde istifleyerek aynı alanda daha fazla veri depolama yeteneği sayesinde büyük veri depolama için en yaygın teknolojilerden biridir; ancak veri depolamak için yük tuzaklarına dayanır, bu da daha yüksek çalışma voltajları ve daha yavaş hızlar anlamına gelir.

Buna yönelik umut verici bir çözüm, hafniyum oksit (Hafnium oxide) tabanlı ferroelectric bellek olmakla birlikte, bu belleklerin veri depolama kapasitesinin sınırlı olması bir zorluktur.

POSTECH’ten bir ekip, ferroelectric malzemelere alüminyum ekleyerek bu sorunu çözdü ve yüksek performanslı ferroelectric ince filmler yarattı. Ayrıca, tipik MFS yapısı yerine yenilikçi bir metal-ferroelectric-metal-ferroelectric-semiconductor (MFMFS) yapısı kullandılar.⁴

Bu, katmanların kalınlığı ve alan oranı gibi faktörleri ince ayar yaparak her katmanda voltajı başarılı bir şekilde kontrol etmelerini sağladı. Sonuç olarak, ekip geleneksel cihazlarda sadece 2V iken, 10 volt (V) üzerindeki bir bellek penceresi elde etti.

Spin-Orbit Torku ve Manyetik Bellek Evrimi

Kuantum bilişim bile, geleceğin daha güçlü, daha verimli ve çok yönlü bilgi işlem cihazlarına yol açan yeni bir teknoloji olarak büyük ilgi görüyor.

Ardından, elektrik akımlarının manyetik durumları değiştirdiği ve yüksek hız ile düşük güç tüketimi sağladığı enerji verimli Spin-Orbit Torque Manyetik Rastgele Erişim Belleği (SOT-MRAM) geliyor.

Bu yılın başlarında, JGU Fizik Enstitüsü’nden bir araştırmacı ekibi, SOT-MRAM temelli yeniliklerini paylaştı; bu teknoloji enerji tüketimini %50’nin üzerinde azaltma ve verimliliği %30 artırma potansiyeline sahip. Ayrıca, veriyi depolamak için gereken manyetik anahtarlama giriş akımını %20 azaltıyor ve veri depolama ömrünü güvence altına alan termal stabilite sağlıyor.⁵

Fotonic ve Magneto-Optik Bellek

Işık ve manyetik alanlarla optik bellek çiplerini kontrol etmek, işlem hızı ve verimliliği artırmanın bir başka yoludur.

Bir gelişmede, bilim insanları silikon fotonik platformu üzerine kurulmuş programlanabilir bir fotonik latch tasarladılar. Sistemdeki her bellek birimi kendi ışık kaynağıyla çalıştırılıyor, bu da birden fazla birimin bağımsız olarak işlev görmesini sağlıyor. Bu, optik güç kaybının neden olabileceği sinyal bozulmasını önleyerek mimarinin daha büyük sistemler için ölçeklenebilirliğini artırıyor.

Farshid Ashtiani (Nokia Bell Labs) potansiyeli şöyle açıkladı:

“ChatGPT gibi büyük dil modelleri, öğrenmek ve yanıt üretmek için yinelemeli olarak gerçekleştirilen çarpma ve toplama gibi basit matematiksel işlemlerin büyük miktarına dayanır.”

Tam ölçekli optik bilgisayarlar hâlâ yıllar uzakta olsa da, bu optik bellek bu yönde önemli bir adımı temsil ediyor.

Bu arada, başka bir ekip, sezyumla değiştirilmiş itriyum demir garnit (Ce:YIG) kullanan yeni bir magneto‑optik bellek teknolojisi gösterdi. Bu malzeme, manyetik alanlara maruz kaldığında ayarlanabilir optik davranış sergiler. Mikroskobik manyetikler yerleştirerek, araştırmacılar ışık yayılımındaki değişiklikler aracılığıyla veri depolayıp manipüle edebildiler.

Bu şekilde, gelişmiş fotonik entegre teknolojiden 100 kat daha hızlı anahtarlama hızına ve gücün yaklaşık onda birini tüketen yeni bir magneto‑optik bellek sınıfı tanıttılar. Magneto‑optik bellekler ayrıca 2,3 milyar kezden fazla yeniden yazılabilir.

Ni₄W: Manyetsiz Manyetizasyon Başarıyla Gerçekleşti

University of Minnesota Twin Cities’ten araştırmacılar, bellek teknolojisinde yeni bir başarı bildirdiler.

Hakemli bilimsel dergi Advanced Materials’ta yayınlanan çalışma, nikel ve tungsten alaşımı Ni₄W’nin kullanımını içeren geliştirmeyi ayrıntılı olarak açıkladı. Bu metal, manyetizmayı manyetlere ihtiyaç duymadan tersine çeviriyor ve bu nedenle bir sonraki nesil elektroniklere güç sağlama potansiyeli gösteriyor.

Ekip, cihazlarda manyetizasyonu kontrol etmek için spin akımları üretme yolunu göstererek, çalışmanın daha ucuz, daha hızlı ve daha verimli bilgisayar bellek ve mantık cihazlarının kapısını açtığını belirtiyor.

Manyetler Olmadan Metalin Manyetizmasının Anahtarlanması

Yeni bellek teknolojilerine olan talep artarken, araştırmacılar mevcut bellek çözümlerine alternatif olarak, günlük teknolojinin işlevselliğini artırıp daha az enerji tüketebilecek farklı seçenekleri aktif olarak araştırıyorlar.

Bu yüzden, University of Minnesota araştırmacıları, bilgisayar belleğini daha hızlı ve daha enerji verimli hâle getirmek için yeni bir malzemeye yöneldiler.

Bu malzeme, yüksek yoğunluk, dayanıklılık ve aşınma ve korozyona karşı dirençle tanınan bir nikel‑tungsten alaşımıdır. Bu alaşımlarda, metallerin belirli bileşimi özelliklerini etkiler.

Bu çalışmada, araştırmacılar güçlü manyetik kontrol özellikleri gösteren Ni₄W’yi kullandılar.

Ni₄W’yi seçmek için ekip, önce I4/m uzay grubunda stabil fazlara sahip potansiyel adayları bulmak amacıyla malzeme veri tabanını taradı, ardından yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) hesaplamaları yaptı; bu hesaplamalar, büyük teorik SOT verimliliği göstermesi ve Ni‑W ikili intermetalik sisteminin temel durumu olması nedeniyle Ni₄W’yi en umut verici aday olarak belirledi.

Ekip, Ni₄W (100) ve Ni₄W (211) için geleneksel olmayan spin Hall iletkenliğini (USHC) doğruladı, ancak daha yüksek SOT verimliliği gösterdiği ve birincisini aştığı için deneysel çabalarını ikincisine odakladı.

“Teorik hesaplamalar, Ni₄W (211)’in USHC için en uygun kristal yönelim olduğunu doğruluyor” diye belirtti çalışma ve bunun hekzagonal benzeri kafes yapısının deneysel olarak büyütülmesini kolaylaştırdığını ekledi.

Bu malzeme, bilgisayar belleğini daha hızlı hâle getirebilir ve elektronik cihazlarda enerji kullanımını önemli ölçüde azaltabilir. Araştırmacılar bu teknoloji için bir patent almışlardır.

University of M’de Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği (ECE) Bölümü’nde Seçkin McKnight Profesörü ve Robert F. Hartmann Kürsüsü sahibi olan kıdemli yazar Jian-Ping Wang, ‘Ni₄W, veri yazma için güç tüketimini azaltıyor ve elektroniklerde enerji kullanımını önemli ölçüde düşürebilir’ dedi.

Geleneksel malzemelerin aksine, düşük simetrili Ni₄W ‘manyetsiz’ anahtarlamayı mümkün kılar. Bu, malzemenin manyetik durumlarını manyetlere ihtiyaç duymadan değiştirebileceği anlamına gelir. Ni₄W, çok yönlü spin akımları üreterek manyetik durumları dış manyetik alan gerektirmeden ‘manyetsiz’ bir şekilde tersine çevirebilir.

Çalışmalarında ekip, bu nikel ve tungsten kombinasyonunu kullanarak küçük elektronik cihazlarda manyetizasyonu kontrol etmenin daha etkili bir yolunu gösterirken, malzeme hakkında yeni bir anlayış sunuyor.

Çalışmaya göre, araştırmacılar Ni₄W’nin güçlü spin‑orbit torku (SOT) ürettiğini bulmuşlar; bu, gelecek nesil bellek teknolojilerinde manyetizmayı manipüle etmenin bir yoludur.

SOT, elektronların içsel spinini ve yükünü kullanan spintronic cihazların bilgiyi depolayıp manipüle etmesini verimli bir şekilde sağlayan yeni bir teknolojidir.

Bu mekanizma, anomalous Hall etkisi (AHE), spin Hall etkisi (SHE) ve Rashba etkisi gibi spin‑orbit kuplajının (SOC) etkilerinden ortaya çıkar ve verimlilik ve hız açısından üstün performans gösterir.

SOT, manyetik alan olmadan kalıcı manyetizmaya sahip ferromanyetik malzemelerin manyetizasyonunu bellek cihazlarında verimli bir şekilde manipüle etme imkanı sunsa da, ağır metaller ve topolojik izolatörler gibi geleneksel SOT malzemeleri yüksek kristal simetrileri nedeniyle sınırlıdır.

Sonuç olarak, araştırmacılar ya düşük simetrili malzemeler kullanıyor ya da yüksek simetriyi dış manyetik alanla kırarak geleneksel olmayan spin akımları üretiyor ve bu da dikey manyetizasyonun manyetsiz deterministik anahtarlamasını sağlıyor.

İlerlemeye rağmen, bu malzemelerin SOT verimliliği düşük kalmaya devam ediyor ve pratik uygulamalarını sınırlıyor. Ancak yeni malzeme, oda sıcaklığında 0,3 gibi büyük bir SOT verimliliği gösterdiği için bu durum geçerli değil.

“Ni₄W’de tek başına ve tungsten ile katmanlandığında çok yönlü yüksek SOT verimliliği gözlemledik; bu, düşük güç ve yüksek hızlı spintronic cihazlarda kullanım potansiyelinin güçlü olduğunu gösteriyor.”

– Makalenin ortak birinci yazarı Yifei Yang, Wang grubunda beşinci sınıf doktora öğrencisi

W/Ni₄W (5 nm) içinde 0,73’lik büyük bir SOT verimliliği de gözlemlendi, ancak bu dışsal etkilerden kaynaklanıyor olabilir.

Özellikle, yeni malzeme yaygın metallerden yapıldığı için standart endüstriyel süreçlerle üretilebilir. Bu üretim kolaylığı, düşük maliyetli bir süreç olmasını sağlar ve Ni₄W’yi endüstri ortakları için çekici kılar.

Bu aynı zamanda teknolojinin telefonlar ve akıllı saatler gibi günlük ürünlere kolayca ve yakın gelecekte entegre edilebileceği anlamına geliyor.

“Malzemenin seçimini ve SOT deneysel gözlemini doğrulayan hesaplamalarımızı görmekten çok heyecan duyuyoruz.”

– Makalenin ortak birinci yazarı Seungjun Lee, ECE’de postdoktora araştırmacısı

Bu nedenle, çalışma Ni₄W’nin enerji verimli spintronic cihazlar için umut verici bir geleneksel olmayan SOT malzemesi olduğunu ortaya koydu. Üretimi ucuz olduğu için telefonlar ve veri merkezleri gibi cihazlarda geniş çapta uygulanabilir; bu da geleceğin elektroniklerini daha akıllı ve daha sürdürülebilir hâle getiriyor.

İlerleyen aşamalarda ekip, bu malzemeleri önceki çalışmalarından daha küçük bir cihaza büyütecek.

Bellek Teknolojisine Yatırım

Micron Technology (MU ), DRAM, NAND ve yüksek bant genişliği bellek çözümlerinde önde gelen bir oyuncu, AI iş yükleri için HBM gibi bir sonraki nesil bellek yatırımlarına yoğun şekilde yatırım yapıyor. Gelecekte, şirketin ticari olarak uygulanabilir hale geldiklerinde spintronic ya da SOT tabanlı bellek gibi yeni çözümleri entegre etmesini bekleyebiliriz.

Micron Technology (MU )

Piyasa değeri 126,7 milyar dolar olan MU hisseleri şu anda 112,78 dolar seviyesinde işlem görüyor ve bu yıl %34,54 artış kaydetti. Hisse başına kazanç (TTM) 5,52 ve fiyat/kazanç (TTM) 20,53. Paydaşların elde edebileceği temettü getirisi %0,41.

Şirketin finansal konumuna gelince, 2025 mali yılı üçüncü çeyreği (29 Mayıs 2025’te sona eren) için 9,30 milyar dolar gelir bildirdi. Bu, bir önceki çeyreğe göre %15,5 ve geçen yılın aynı dönemine göre %36,5 artış anlamına geliyor.

Bu dönem için GAAP net gelir 1,89 milyar dolar, yani seyreltilmiş hisse başına 1,68 dolar; GAAP dışı net gelir ise 2,18 milyar dolar, yani seyreltilmiş hisse başına 1,91 dolar oldu. İşletme nakit akışı da 4,61 milyar dolara yükseldi.

Micron çeyrek sonunda nakit, likit yatırımlar ve kısıtlı nakit olarak 12,22 milyar dolar bulunduruyordu.

Kayıt gelir, CEO Sanjay Mehrotra’nın belirttiği gibi, tüm zamanların en yüksek DRAM gelirinden kaynaklandı; HBM gelirinde neredeyse %50 ardışık büyüme de dahil. Veri merkezlerinden elde edilen gelir de çeyrekte rekor seviyeye ulaştı, tüketici odaklı son pazarlar ise güçlü ardışık büyüme kaydetti.

“2025 mali yılında sağlam kârlılık ve serbest nakit akışıyla rekor gelir elde etme yolunda ilerliyoruz; aynı zamanda AI odaklı bellek talebinin artmasını karşılamak için teknoloji liderliğimizi ve üretim mükemmeliyetimizi güçlendirecek disiplinli yatırımlar yapıyoruz.”

– CEO Sanjay Mehrotra

Tüm bunların ortasında, şirket HBM3E 36GB 12‑yüksek teklifinin AMD’nin bir sonraki nesil GPU’larına (Instinct™ MI350 Serisi) entegre edileceğini duyurdu; bu, büyük AI modellerinin eğitimi ve veri işleme ve hesaplamalı modelleme gibi karmaşık HPC iş yüklerinin yönetimi için kritik öneme sahip.

Micron, yerel bellek üretimi ve Ar‑Ge’yi içeren 200 milyar dolarlık bir ABD genişleme planı duyurdu; bu planın 90.000 doğrudan ve dolaylı istihdam yaratması bekleniyor. Aynı zamanda CHIPS Yasası kapsamında 275 milyon dolarlık doğrudan bir fonlamayı tamamladı.

En Son Micron Technology (MU) Hisse Haberleri ve Gelişmeler

Bellek Teknolojisinin Geleceği Üzerine Son Düşünceler

Bellek teknolojisi evrimleşmeye devam ediyor ve modern bilişimin temellerini yeniden şekillendiriyor. Phase‑change yeniliklerinden spintronic atılımlara kadar, tüm bu gelişmeler AI, büyük veri ve bir sonraki nesil tüketici elektroniği için daha hızlı, daha enerji verimli ve ölçeklenebilir çözümler vaat ediyor.

Manyetsiz manyetizasyon anahtarlamasına sahip Ni₄W alaşımının son keşfi, maliyet etkinliği ile yüksek performanslı bellek çözümleri arasındaki boşluğu kapatarak bir dönüm noktası olabilir ve önümüzdeki yıllarda ana akım elektroniklerde spin‑orbit torku belleklerinin yaygın olarak benimsenmesine zemin hazırlayabilir.

En üst düzey silikon dışı bilişim şirketlerinin listesi için buraya tıklayın.

Referanslar:

1. Modi, G.; Parate, S. K.; Kwon, C.; Han, S. H.; Kim, Y.; Wang, X.; Lee, S.; Wu, L.; Kwon, J.; Kim, K.; Zhang, Y.; Milliron, D. J.; Duerloo, K.-A. N.; Kim, M. J.; Jeong, Y.; Park, J. Electrically Driven Long-Range Solid-State Amorphization in Ferroic In₂Se₃. Nature, 635, 847–853 (2024). Çevrimiçi yayınlanma tarihi 6 Kasım 2024. https://doi.org/10.1038/s41586-024-08156-8
2. Ozawa, K.; Nagase, Y.; Katsumata, M.; Shigematsu, K.; Azuma, M. Electric-Field Control of the Magneto-Optical Effect in a Transparent Perovskite Oxide. ACS Applied Materials & Interfaces, 16 (16), 20930–20936 (2024). Çevrimiçi yayınlanma tarihi 24 Nisan 2024. https://doi.org/10.1021/acsami.4c01232
3. Itoh, T.; Shigematsu, K.; Das, H.; Meisenheimer, P.; Maeda, K.; Lee, K.; Manna, M.; Reddy, S. P.; Susarla, S.; Stevenson, P.; Ramesh, R.; Azuma, M. Electric‑Field‑Driven Reversal of Ferromagnetism in (110)‑Oriented, Single‑Phase, Multiferroic Co‑Substituted BiFeO₃ Thin Films. Advanced Materials, published online April 28, 2025, e2419580. https://doi.org/10.1002/adma.202419580
4. Kim, I.–J.; Lee, J.–S.; … Lee, J.–S. Unlocking Large Memory Windows and 16-Level Data‑Per‑Cell Memory Operations in Hafnia‑Based Ferroelectric Transistors. Science Advances, published online 7 Haziran 2024, 10 (23): eadn1345. https://doi.org/10.1126/sciadv.adn1345
5. Gupta, R.; Bouard, C.; Kammerbauer, F.; Ledesma‑Martín, J. O.; Bose, A.; Kononenko, I.; Martin, S.; Usé, P.; Jakob, G.; Drouard, M.; Kläui, M. Harnessing Orbital Hall Effect in Spin‑Orbit Torque MRAM. Nature Communications, 16, 130 (2025). Alındı 18 Eylül 2024; Kabul edildi 12 Aralık 2024; Yayınlandı 2 Ocak 2025. https://doi.org/10.1038/s41467-024-55437-x
6. Goto, T.; Onbaşli, M. C.; Ross, C. A. Magneto-Optical Properties of Cerium‑Substituted Yttrium Iron Garnet Films with Reduced Thermal Budget for Monolithic Photonic Integrated Circuits. Optics Express, 20 (27), 28507–28517 (2012). Alındı 24 Ekim 2012; Revize edildi 20 Kasım 2012; Kabul edildi 21 Kasım 2012; Çevrimiçi yayınlanma tarihi 10 Aralık 2012. https://doi.org/10.1364/OE.20.028507
7. Pintus, P.; Dumont, M.; Shah, V.; Murai, T.; Shoji, Y.; Huang, D.; Moody, G.; Bowers, J. E.; Youngblood, N. Integrated Non‑Reciprocal Magneto‑Optics with Ultra‑High Endurance for Photonic In‑Memory Computing. Nature Photonics, 19, 54–62 (2025). Alındı 18 Ocak 2024; Kabul edildi 14 Eylül 2024; Yayınlandı 23 Ekim 2024. https://doi.org/10.1038/s41566-024-01549-1
8. Yang, Y.; Lee, S.; Chen, Y. C.; Jia, Q.; Dixit, B.; Sousa, D.; Odlyzko, M.; Garcia‑Barriocanal, J.; Yu, G.; Haugstad, G.; Fan, Y.; Huang, Y. H.; Lyu, D.; Cresswell, Z.; Liang, S.; Benally, O. J.; Low, T.; Wang, J. P. Large Spin‑Orbit Torque with Multi‑Directional Spin Components in Ni₄W. Advanced Materials, published online May 15, 2025, e2416763. https://doi.org/10.1002/adma.202416763