Αποκτώντας την Επανάσταση του 6G με τους Επόμενης Γενιάς Ημιαγωγούς GaN

Οι ημιαγωγοί αποτελούν τη βάση των ηλεκτρονικών και των Διαδίκτυο των Πραγμάτων (IoT) συσκευών και του εξοπλισμού τηλεπικοινωνιών.

Αποτελούν υλικά που ελέγχουν τη ροή του ηλεκτρικού ρεύματος. Η μοναδική τους ιδιότητα να έχουν αγωγιμότητα μεταξύ εκείνης ενός αγωγού και ενός μονωτήρα τα καθιστά βασικό στοιχείο σε συσκευές όπως δίοδοι, τρανζίστορ και ολοκληρωμένα κυκλώματα.

Η ζήτηση για ημιαγωγούς αυξάνεται ραγδαία. Χρησιμοποιούνται σε smartphones, υπολογιστές, οικιακές συσκευές, ιατρικό εξοπλισμό και εξοπλισμό παιχνιδιών. Επιπλέον, η αυξανόμενη δημοτικότητα και χρήση των τεχνολογιών τεχνητής νοημοσύνης (AI) ενισχύουν περαιτέρω τις εξελίξεις στην ανάπτυξη τσιπ και αυξάνουν την παραγωγή ημιαγωγών.

Ο σταθερός ρυθμός υλοποίησης του 5G αποτελεί ακόμη έναν παράγοντα που οδηγεί σε υγιείς τάσεις ζήτησης για ημιαγωγικά τσιπ.

Η «πέμπτη γενιά» της τεχνολογίας κυψελοειδών δικτύων, η οποία έχει υλοποιηθεί από παρόχους κινητής τηλεφωνίας παγκοσμίως από το 2019, προσφέρει υψηλότερες ταχύτητες λήψης και χαμηλότερη καθυστέρηση, επιτρέποντας σχεδόν άμεση επικοινωνία.

Η υπερ‑χαμηλή καθυστέρηση και η υψηλή αξιοπιστία του 5G είναι εξαιρετικά σημαντικές για τεχνολογικές προόδους υψηλής τεχνολογίας. Το δίκτυο 5G, εν τω μεταξύ, βασίζεται σε ημιαγωγούς για να προσφέρει αυτά τα οφέλη.

Τα ημιαγωγικά εξαρτήματα απαιτούνται εδώ για την επεξεργασία των σημάτων που μεταφέρουν τα δεδομένα. Από τους σταθμούς βάσης έως τα smartphones και τις συσκευές IoT, είναι τα τσιπ που επιτρέπουν γρήγορη επεξεργασία σήματος, ευρυζωνική μετάδοση ραδιοσυχνοτήτων (RF) και ασφαλή συνδεσιμότητα.

Ενώ το 5G βρίσκεται ακόμη στη φάση υλοποίησης, οι παίκτες της βιομηχανίας έχουν ήδη αρχίσει να συζητούν για την ανάπτυξη της έκτης γενιάς (6G). Αυτό, ωστόσο, απαιτεί σημαντικές προόδους στην τεχνολογία ημιαγωγών που μπορούν να διαχειριστούν εξαιρετικά χαμηλή καθυστέρηση, υπερ‑υψηλές ταχύτητες δεδομένων, υψηλή ενεργειακή αποδοτικότητα, υποστήριξη συχνοτήτων τεραχέρτζ (THz) και, φυσικά, μαζική συνδεσιμότητα.

Καθώς εταιρείες και ερευνητές εργάζονται για τη βελτίωση των δυνατοτήτων των ημιαγωγών, μια πρόσφατη πρόοδος στην τεχνολογία παρουσιάζει τεράστιο δυναμικό για να μετασχηματίσει τον τρόπο που επικοινωνούμε.

Ανυψώνοντας το 6G του κινητού δικτύου ώστε να προσφέρει ταχύτερες ταχύτητες, πιο αποδοτική επικοινωνία και πολύ ευρύτερη κάλυψη από την τρέχουσα γενιά (5G), αυτή η τελευταία πρόοδος υπόσχεται ένα μέλλον που θα κάνει πολλά από τα επιστημονικά φανταστικά σενάρια πραγματικότητα.

Φουτουριστικές έννοιες όπως το να νιώθεις την αφή των αγαπημένων σου που ζουν σε διαφορετική ήπειρο ή η άμεση διάγνωση υγείας χωρίς να βγείς από το σπίτι εξαρτώνται από τη δυνατότητα επικοινωνίας και μεταφοράς τεράστιων ποσοτήτων δεδομένων σε πολύ υψηλότερη ταχύτητα από ό,τι μπορούν τα υπάρχοντα δίκτυα.

Φυσικοί από το Πανεπιστήμιο του Μπρίστολ βρήκαν έναν καινοτόμο τρόπο για να επιταχύνουν αυτή τη διαδικασία.

«Μέσα στην επόμενη δεκαετία, τεχνολογίες που μέχρι πρότινος ήταν σχεδόν αδιανόητες για τη μεταμόρφωση ενός ευρέος φάσματος ανθρώπινων εμπειριών θα μπορούσαν να είναι ευρέως διαθέσιμες.»

– Συν‑κύριος συγγραφέας Μάρτιν Κουμπάλ, Καθηγητής Φυσικής στο Πανεπιστήμιο του Μπρίστολ.

Αναφερόμενος στα πιθανά οφέλη, τα οποία σημείωσε ως «μακροπρόθεσμα», ο Κουμπάλ τόνισε τις προόδους στην υγειονομική περίθαλψη με απομακρυσμένη διάγνωση και χειρουργική, εικονικές τάξεις, εικονικό τουρισμό, βιομηχανική αυτοματοποίηση για μεγαλύτερη αποδοτικότητα και εξελιγμένα συστήματα υποβοήθησης οδηγού (ADAS) για τη βελτίωση της οδικής ασφάλειας.

«Η λίστα των πιθανών εφαρμογών του 6G είναι ατελείωτη, με το όριο να είναι μόνο η ανθρώπινη φαντασία. Έτσι, οι καινοτόμες ανακαλύψεις μας στον τομέα των ημιαγωγών είναι εξαιρετικά συναρπαστικές και θα βοηθήσουν στην προώθηση αυτών των εξελίξεων με ταχύτητα και κλίμακα.»

– Κουμπάλ

Αυτό που απαιτεί αυτή η μετάβαση στο 6G είναι μια ριζική αναβάθμιση της τεχνολογίας ημιαγωγών, των συστημάτων, των κυκλωμάτων και των συναφών αλγορίθμων.

Η Άνοδος των Τρανζίστορ Βασισμένων σε GaN

Στον ταχέως εξελισσόμενο τομέα των ημιαγωγών, το Γαλλίου Νιτρικό (GaN) χρησιμοποιείται ως κύριο ημιαγωγικό υλικό.

Αυτό το σύνθετο ημιαγωγό είναι πολύ σκληρό, μηχανικά σταθερό και διαθέτει ευρύ ενεργειακό χάσμα, καθιστώντας το κατάλληλο για εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας. Μετά το πυρίτιο, το GaN είναι ένα από τα πιο κρίσιμα ημιαγωγά, και βλέπουμε αυξανόμενη υιοθέτησή του στα καταναλωτικά ηλεκτρονικά.

Το GaN είναι γνωστό για το ευρύτερο ενεργειακό του χάσμα σε σύγκριση με το πυρίτιο. Ως αποτέλεσμα, οι συσκευές GaN μπορούν να χειριστούν υψηλότερες πυκνότητες ισχύος, οδηγώντας σε μικρότερα και ελαφρύτερα σχέδια, καθώς και σε υψηλότερη αποδοτικότητα και καλύτερη αξιοπιστία.

Στα τρέχοντα συστήματα επικοινωνίας πέμπτης γενιάς, αυτές οι συσκευές γίνονται όλο και περισσότερο το νέο πρότυπο. Και τώρα, ερευνητές τις εξετάζουν για εφαρμογές υποδομής κινητής και ασύρματης επικοινωνίας 6G.

Χάρη στην υψηλή ισχύ εξόδου και τη λειτουργία σε υψηλές συχνότητες, τα τρανζίστορ υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων (HEMT) βασισμένα σε GaN έχουν επαναστατικοποιήσει τις ασύρματες και στρατιωτικές επικοινωνίες.

Αυτό οφείλεται κυρίως σε παραμέτρους υλικού όπως το υψηλό κρίσιμο ηλεκτρικό πεδίο, η καλή κινητικότητα σε θερμοκρασία δωματίου και η υψηλή ταχύτητα κορεσμού. Καινοτομίες στο σχεδιασμό των πλακών πεδίου έχουν βελτιώσει ακόμη περισσότερο την απόδοση των GaN HEMT, οδηγώντας σε ισχύ έως 40 W mm−1 στα 4 GHz και απόδοση προστιθέμενης ισχύος 60%.

Ωστόσο, αυτό δεν είναι αρκετό για να υποστηρίξει μελλοντικές εφαρμογές. Το GaN πρέπει να είναι ακόμη ταχύτερο και πιο αξιόπιστο, και να εκπέμπει μεγαλύτερη ισχύ για να επιτρέψει την έκτη γενιά ασύρματης επικοινωνίας.

Απαιτούνται βελτιώσεις στην ισχύ εξόδου για τη διατήρηση της ακεραιότητας του σήματος σε μεγάλες αποστάσεις, με φιλόδοξα έργα να θέτουν στόχους επίτευξης 81 W mm−1.

Σε αυτό το πλαίσιο, η διεθνής ομάδα μηχανικών και επιστημόνων ανέπτυξε και δοκίμασε μια νέα αρχιτεκτονική που αύξησε τις δυνατότητες των ειδικών ενισχυτών GaN.

Τέτοια αποτελέσματα επιτεύχθηκαν εντοπίζοντας το φαινόμενο λαστιγίου (latch effect) στο GaN, το οποίο ξεκλείδωσε εξαιρετικά υψηλές επιδόσεις ραδιοσυχνοτήτων. Αυτή η επόμενη γενιά συσκευών χρησιμοποιεί παράλληλα κανάλια που απαιτούν πλευρικές πτερύγες μικρότερες από 100 nm, έναν τύπο τρανζίστορ που ελέγχει τη ροή του ρεύματος μέσω των συσκευών.

Στην πιο πρόσφατη έρευνα, η ομάδα χρησιμοποίησε πάνω από 1000 πτερύγες με πλάτος κάτω των 100 nm σε SLCFETs για την ενίσχυση του ρεύματος. Σύμφωνα με τον συν‑κύριο συγγραφέα Δρ. Ακίλ Σάτζι, Επίκειος Ερευνητικός Συνεργάτης στο Πανεπιστήμιο του Μπρίστολ:

«Έχουμε δοκιμάσει μια τεχνολογία συσκευής, συνεργαζόμενοι με συνεργάτες, που ονομάζεται υπερπλέγματος (superlattice) καστέλ‑σχηματισμένα τρανζίστορ πεδίου (SLCFETs).»

Τα SLCFETs βασισμένα σε GaN έχουν τη δυνατότητα να χρησιμοποιηθούν για την επίτευξη των στόχων υψηλής ισχύος εξόδου (81 W mm−1) που έχουν θέσει τα έργα. Τα SLCFETs με έως δέκα στοιβαγμένες δισδιάστατες αεροηλεκτρικές (2DEG) κανάλια μπορούν στην πραγματικότητα να παρέχουν αύξηση κατά 10 φορές των φορέων φορτίου σε σύγκριση με τα μονοκάναλα GaN HEMT.

Η νέα αρχιτεκτονική, σύμφωνα με τη μελέτη, προσφέρει χαμηλή τάση knee, καθιστώντας την ιδανική για μεγάλες διακυμάνσεις τάσης εξόδου συνδυασμένες με υψηλή πυκνότητα ρεύματος.

Τα SLCFETs έχουν επιδείξει ισχύ εξόδου πάνω από 10 W mm−1 στα 94 GHz με 12 V στο ντουρίνο και πάνω από 40% απόδοση προστιθέμενης ισχύος, υποστηριζόμενα από πυκνότητα ρεύματος 4,8 A mm−1 με ελάχιστη διασπορά και κατάρρευση ρεύματος.

Σε αυτήν την υψηλή ισχύ, η πρόκληση είναι ο έλεγχος της αποβολής θερμότητας, χωρίς όμως να αυξάνεται το αποτύπωμα της συσκευής. Ενώ η ισχύς μπορεί να ενισχυθεί αυξάνοντας την τάση αποστράγγισης (VDS), η επίδραση ιοντισμού μπορεί να υποβαθμίσει τα χαρακτηριστικά των SLCFET.

Στη συνέχεια υπάρχει το λαστιγιοποίηση του τρανζίστορ. Εδώ, η συσκευή παραμένει σε κατάσταση ενεργοποίησης παρόλο που είναι υπό bias εκτός λειτουργίας (VGS), ένα φαινόμενο γνωστό σε τρανζίστορ βασισμένα σε πυρίτιο. Ωστόσο, το υψηλό ενεργειακό χάσμα του GaN ελαχιστοποιεί τον ιοντισμό. Οι ερευνητές έχουν προηγουμένως επιβεβαιώσει την εμφάνιση ιοντισμού στην κατάσταση ενεργοποίησης των SLCFET.

Βελτιώνοντας την Απόδοση του GaN μέσω του Φαινομένου Λαστιγίου

Τα SLCFETs βασισμένα σε αλουμίνιο‑γαλίου νιτρικό (AlGaN) ή γαλίου νιτρικό (GaN) δείχνουν υποσχόμενα ως θεμέλιο για ενισχυτές υψηλής ισχύος RF και διακόπτες σε προηγμένα ραντάρ του μέλλοντος.

Αυτά τα τρανζίστορ έχουν παρουσιάσει την καλύτερη απόδοση στην περιοχή συχνοτήτων W‑band, που κυμαίνεται από 75 GHz έως 110 GHz. Η επιστήμη πίσω από αυτό, ωστόσο, ήταν άγνωστη μέχρι τώρα.

Σύμφωνα με τη μελέτη που δημοσιεύτηκε στο περιοδικό Nature Electronics¹, είναι «ένα φαινόμενο λαστιγίου στο GaN, το οποίο επιτρέπει την υψηλή απόδοση ραδιοσυχνοτήτων».

Με το φαινόμενο πλέον αναγνωρισμένο, η ομάδα συνέχισε να εντοπίσει πού ακριβώς εμφανίζεται. Χρησιμοποίησαν εξαιρετικά ακριβείς ηλεκτρικές μετρήσεις και οπτική μικροσκοπία ταυτόχρονα για να μελετήσουν περαιτέρω το φαινόμενο και να το κατανοήσουν καλύτερα.

Αναλύοντας πάνω από 1.000 πτερύγες, οι ερευνητές εντόπισαν το φαινόμενο στην πιο πλατιά πτέρυγα. Για περαιτέρω επαλήθευση των παρατηρήσεων, η ομάδα δημιούργησε ένα 3D μοντέλο χρησιμοποιώντας προσομοιωτή.

«Οι μετρήσεις ρεύματος‑τάσης, οι προσομοιώσεις και η συσχετισμένη εκπομπή ηλεκτροφωτισμού στην κατάσταση λαστιγίου υποδεικνύουν ότι η ενεργοποίηση της εξαρτημένης από το πλάτος της πτέρυγας τοπικής ιοντισμού είναι υπεύθυνη για το λαστιγίο», σημειώνει η μελέτη, προσθέτοντας ότι αυτή η τοπικοποίηση αποδίδεται στην παρουσία διακύμανσης στο πλάτος της πτέρυγας, που οφείλεται στην μεταβλητότητα της διαδικασίας κατασκευής.

Στη συνέχεια, η ομάδα αντιμετώπισε τις πτυχές αξιοπιστίας του φαινομένου για πρακτικές εφαρμογές. Οι εντατικές δοκιμές της συσκευής για μεγάλο χρονικό διάστημα έδειξαν ότι το φαινόμενο λαστιγίου δεν έχει επιβλαβή επίδραση στην απόδοση ή την αξιοπιστία της συσκευής.

Η κατάσταση λαστιγίου, σύμφωνα με τη μελέτη, είναι αναστρέψιμη και μη υποβαθμιστική και μπορεί να οδηγήσει σε βελτίωση των χαρακτηριστικών μεταγωγικότητας των τρανζίστορ, υποδηλώνοντας αυξημένη γραμμικότητα και ισχύ σε ενισχυτές ισχύος ραδιοσυχνοτήτων.

«Βρήκαμε ότι ένα βασικό στοιχείο που οδηγεί σε αυτήν την αξιοπιστία ήταν μια λεπτή στρώση διηλεκτρικού επικάλυψης γύρω από κάθε πτέρυγα.»

– Καθηγητής Κουμπάλ, Πρόεδρος του Royal Academy of Engineering για τις Αναδυόμενες Τεχνολογίες

Ως επικεφαλής του Κέντρου Θερμογραφίας Συσκευών και Αξιοπιστίας (CDTR), ο Κουμπάλ βοηθά στην ανάπτυξη επόμενης γενιάς ημιαγωγικών ηλεκτρονικών συσκευών για επικοινωνίες και τεχνολογία ραντάρ, και για την επίτευξη μηδενικών εκπομπών. Το CDTR εργάζεται επίσης στη βελτίωση της θερμικής διαχείρισης της συσκευής, της ηλεκτρικής απόδοσης και της αξιοπιστίας μέσω ευρέων και υπερευρέων ενεργειακών χάσματων ημιαγωγών.

Το κύριο συμπέρασμα της έρευνας, σημείωσε ο Κουμπάλ, «ήταν σαφές – το φαινόμενο λαστιγίου μπορεί να αξιοποιηθεί για αμέτρητες πρακτικές εφαρμογές, που θα μπορούσαν να μεταμορφώσουν τη ζωή των ανθρώπων με πολλούς διαφορετικούς τρόπους τα επόμενα χρόνια».

Τώρα, στο μέλλον, η ομάδα θα επικεντρωθεί στην περαιτέρω αύξηση της πυκνότητας ισχύος που μπορούν να παραδώσουν οι συσκευές. Αυτό θα τους επιτρέψει να προσφέρουν ακόμη υψηλότερη απόδοση και να εξυπηρετήσουν ευρύτερο κοινό.

Επιπλέον, οι βιομηχανικοί εταίροι θα βοηθήσουν να διατεθούν εμπορικά αυτές οι συσκευές επόμενης γενιάς.

Επενδύστε στην Καινοτομία Ημιαγωγών

Όσον αφορά τις επενδύσεις στην τεχνολογία GaN, η MACOM (MTSI ) είναι μία από τις λίγες αμερικανικές δημόσιες εταιρείες που προσφέρουν άμεση έκθεση σε αυτήν. Χρησιμοποιεί τόσο τεχνολογίες GaN‑on‑SiC όσο και GaN‑on‑Si για να επιτρέψει αρχιτεκτονικές συστημάτων επόμενης γενιάς σε ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών. Η εταιρεία προσφέρει καινοτόμους ενισχυτές χαμηλού θορύβου, ενισχυτές ισχύος GaN και διακόπτες που καλύπτουν συχνότητες από DC έως πάνω από 100 GHz.

MACOM Technology Solutions Holdings Inc (MTSI )

Η MACOM Technology Solutions Holdings είναι κατασκευαστής υψηλής απόδοσης ημιαγωγικών προϊόντων για τηλεπικοινωνίες καθώς και για άλλες βιομηχανίες.

Η εταιρεία εξυπηρετεί περισσότερους από 6.000 πελάτες ετησίως με το ευρύ χαρτοφυλάκιο προϊόντων της που περιλαμβάνει τεχνολογίες αναλογικών, μικροκυμάτων, ραδιοσυχνοτήτων (RF), μικτής‑σήματος και οπτικών ημιαγωγών. Η MACOM εξειδικεύεται σε εφαρμογές, κατασκευή σύνθετων ημιαγωγών, συμπεριλαμβανομένων των GaAs, GaN, InP και εξειδικευμένου πυριτίου, σχεδίαση κυκλωμάτων αναλογικών και μικτής‑σήματος, προχωρημένη συσκευασία και συναρμολόγηση/δοκιμή στο back‑end.

Η εταιρεία έχει αποκτήσει αρκετές πιστοποιήσεις, συμπεριλαμβανομένου του αεροδιαστημικού προτύπου AS9100D, του αυτοκινητοβιομηχανικού προτύπου IATF16949, του διεθνούς προτύπου ποιότητας ISO9001 και του προτύπου περιβαλλοντικής διαχείρισης ISO14001.

Όσον αφορά την απόδοση της MCOM στην αγορά, με κεφαλαιοποίηση 9 δισεκατομμυρίων δολαρίων, οι μετοχές MTSI διαπραγματεύονται αυτή τη στιγμή στα 123,41 $. Ενώ η MTSI έχει υποχωρήσει κατά 6,37 % φέτος μέχρι στιγμής, έχει αυξηθεί κατά 46,7 % από το χαμηλό του στις αρχές Απριλίου και βρίσκεται περίπου 15,5 % μακριά από το κορυφαίο επίπεδο που έφτασε μόλις φέτος τον Ιανουάριο. Με αυτά, το EPS (TTM) είναι -1,22 και το P/E (TTM) είναι -99,66.

Όσον αφορά τα οικονομικά της εταιρείας, η MACOM ανέφερε πρόσφατα αποτελέσματα για το οικονομικό δεύτερο τρίμηνο που έληξε στις 4 Απριλίου 2025, όπου κατέγραψε έσοδα 235,9 εκατομμύρια δολάρια, αύξηση 30,2 % σε σχέση με το ίδιο τρίμηνο του προηγούμενου έτους.

Το εισόδημα από λειτουργίες ήταν 34,9 εκατομμύρια δολάρια, ή 14,8 % των εσόδων, ενώ το καθαρό εισόδημα ήταν 31,7 εκατομμύρια δολάρια, ή 0,42 $ ανά αραίωση μετοχής. Το μικτό περιθώριο, σε αυτήν την περίοδο, αυξήθηκε κατά 2,7 % στο 55,2 % ενώ το προσαρμοσμένο μικτό περιθώριο σημείωσε άλμα 0,4 % στο 57,5 %.

Σχολιάζοντας την «συνεπή απόδοση του Q2», ο Πρόεδρος και Διευθύνων Σύμβουλος Stephen G. Daly επαίνεσε την «εξαιρετική ομαδική δουλειά σε όλη την οργάνωση της MACOM» που επέτρεψε αυτήν την επιτυχία.

Αυτοί οι αριθμοί ακολούθησαν ένα «καλό ξεκίνημα» του οικονομικού έτους στο Q1, όπου ο Daly δήλωσε ότι η εστίαση της εταιρείας συνεχίζει να είναι στην εξυπηρέτηση των πελατών και στην «κατασκευή ενός ισχυρότερου, ευρύτερου και πιο ανταγωνιστικού χαρτοφυλακίου προϊόντων».

Στο 1Q25, τα έσοδα της MACOM ανήλθαν σε 218,1 εκατομμύρια δολάρια, άλμα 38,8 % σε σχέση με το 1Q24, και το εισόδημα από λειτουργίες ήταν 17,5 εκατομμύρια δολάρια, ή 8 % των εσόδων. Στο προηγούμενο τρίμηνο, η εταιρεία ανέφερε καθαρή ζημία 167,5 εκατομμύρια δολάρια, ή ζημία 2,30 $ ανά αραίωση μετοχής, λόγω μιας εφάπαξ ζημίας 193,1 εκατομμυρίων δολαρίων από την εξάλειψη χρέους.

Τώρα, για το οικονομικό τρίτο τρίμηνο που λήγει στις 4 Ιουλίου 2025, η MACOM προβλέπει έσοδα μεταξύ 246 εκατομμυρίων και 254 εκατομμυρίων δολαρίων. Αναμένει το προσαρμοσμένο μικτό περιθώριο μεταξύ 56,5 % και 58,5 % και προσαρμοσμένα κέρδη ανά αραίωση μετοχής μεταξύ 0,87 $ και 0,91 $, χρησιμοποιώντας φορολογικό συντελεστή 3 % μη‑GAAP και 76,5 εκατομμύρια πλήρως αραίωμένες μετοχές.

Παρά όλα αυτά, η MACOM συνέχισε να επεκτείνει την επιχείρησή της μέσω επενδύσεων. Τον Ιανουάριο αυτού του έτους, η MACOM ανακοίνωσε ένα στρατηγικό σχέδιο να επενδύσει έως 345 εκατομμύρια δολάρια σε διάστημα πέντε ετών στις εγκαταστάσεις κατασκευής wafer στη Μασαχουσέτη και τη Βόρεια Καρολίνα. Ο στόχος της επένδυσης είναι η εκσυγχρονισμός των υφιστάμενων εγκαταστάσεων και η εισαγωγή προηγμένων δυνατοτήτων κατασκευής για τεχνολογίες RF, μικροκυμάτων και κυματικού κύματος, προκειμένου να ενισχύσει τις προσφορές προϊόντων της MACOM για κέντρα δεδομένων, τηλεπικοινωνίες και βιομηχανία άμυνας.

Συγκεκριμένα, στη μονάδα της Μασαχουσέτης, η εταιρεία θα εγκαταστήσει δυνατότητα κατασκευής 150 mm GaN‑on‑SiC.

«Αυτό το σχέδιο θα ενισχύσει τις εγχώριες δυνατότητες κατασκευής ημιαγωγών της MACOM», δήλωσε ο Daly, προσθέτοντας ότι θα επιταχύνει επίσης τη στρατηγική ανάπτυξης της εταιρείας.

Αυτή η πρωτοβουλία υποστηρίζεται από μια προκαταρκτική συμφωνία με το CHIPS Program Office, το οποίο έχει διαθέσει συνολικά 39 δισεκατομμύρια δολάρια για την παροχή κινήτρων επένδυσης σε εγκαταστάσεις και εξοπλισμό στις ΗΠΑ. Προτείνει χρηματοδότηση 180 εκατομμυρίων δολαρίων και φορολογικές ελαφρύνσεις στην MACOM υπό το νόμο CHIPS and Science Act.

Μερικούς μήνες πριν από αυτό, η MACOM εξαγόρασε μια εταιρεία fabless ημιαγωγών με την ονομασία ENGIN‑IC, η οποία σχεδιάζει προηγμένα GaN MMIC (μονολιθικά μικροκυματικά ολοκληρωμένα κυκλώματα) με στόχο την καλύτερη εξυπηρέτηση των αγορών‑στόχων της και την αύξηση του μεριδίου αγοράς.

Η εστίαση της ENGIN‑IC είναι στην εξυπηρέτηση της αμερικανικής βιομηχανίας άμυνας και διαθέτει χαρτοφυλάκιο προϊόντων με πάνω από 60 τυπικά MMIC και πολλά περισσότερα προσαρμοσμένα MMIC.

«Η εξαιρετική εμπειρία της ENGIN‑IC σε σχεδίαση ευρυζωνικών και υψηλής απόδοσης MMIC και μονάδων θα μας επιτρέψει να υποστηρίξουμε καλύτερα τους κοινούς πελάτες μας», δήλωσε ο Daly εκείνη τη στιγμή, ενώ ο συνιδρυτής και CTO της ENGIN‑IC, Stephen Nelson, εξέφρασε τον ενθουσιασμό του για το «να είναι μέρος των προσπαθειών της MACOM να ηγηθεί της βιομηχανίας στις διαδικασίες και προϊόντα ημιαγωγών GaN».

Συμπέρασμα

Το 6G είναι η επόμενη γενιά τεχνολογίας για ασύρματες επικοινωνίες που υπόσχεται ακόμη ταχύτερες ταχύτητες και πιο αποδοτική επικοινωνία. Η υλοποίηση αυτού του μέλλοντος παγκόσμιας επικοινωνίας, αυτοματοποίησης και εμβληματικών εικονικών εμπειριών, όμως, εξαρτάται από τις προόδους στα ημιαγωγούς. Το ημιαγωγικό υλικό, GaN, με τις μοναδικές του ιδιότητες υψηλότερης ταχύτητας, χαμηλότερης αντίστασης και υψηλότερης τάσης διακοπής, δείχνει το δυναμικό του να επαναπροσδιορίσει τα ηλεκτρονικά και τις επικοινωνίες.

Η πιο πρόσφατη πρόοδος στα SLCFETs βασισμένα σε GaN, που εκμεταλλεύεται τις νέες αρχιτεκτονικές τρανζίστορ και αποκαλύπτει τη μηχανική του φαινομένου λαστιγίου, ωθεί τα όρια του δυνατού στην υψηλής συχνότητας απόδοση ημιαγωγών.

The innovation makes the path to 6G reality clearer than ever by revealing both scalable performance and robust reliability.

Κάντε κλικ εδώ για μια λίστα με τις κορυφαίες μετοχές εξοπλισμού ημιαγωγών.

Μελέτες Αναφοράς:

1. Kumar, A. S., Dalcanale, S., Uren, M. J., & others. (2025). Συσκευές πολλαπλών καναλιών από γαλλίου νιτρικό με φαινόμενο λαστιγίου που προκαλεί υπο‑60‑mV‑ανά‑δεκαετία κλίσεις υποκατωφθαλμικού ρεύματος για εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων. Nature Electronics. https://doi.org/10.1038/s41928-025-01391-5