Bilişim
Spintronik ve Grafen, Nesil-Üstü Kuantum Devrelerini Nasıl Güçlendiriyor

Spintronik Bilgisayarları Devrimleştirebilir
Progressively, the world of hardware computing is starting to look beyond silicon chips, or even classical forms of binary computing altogether. This is because the usual chips and memory in our computers and data centers are getting increasingly difficult to build, with the latest generation having transistors barely a few nanometers in size.
Bir diğer faktör, özellikle yapay zeka sistemleri için bilgisayar gücü talebinin artmaya devam etmesiyle enerji tüketiminin bir sorun haline gelmesidir.
Önerilen birçok çözüm bulunmakta; kuantum bilişim ve fotonik, ya bilgisayar talebini azaltmak ya da daha hızlı ve daha az enerji tüketen bir sistem sağlamak için en önde gelen seçeneklerdir.
Diğer bir seçenek ise elektronların akım (elektron akışı) yerine spinini kullanan spintroniktir.
Hollanda’daki Delft Teknoloji Üniversitesi, Japonya’daki Tsukuba Ulusal Malzeme Bilimi Enstitüsü, İspanya’daki Valencia Üniversitesi, Almanya’daki Regensburg Üniversitesi ve ABD’deki Harvard Üniversitesi araştırmacıları yeni bir spintronik grafen cihazı geliştirdi.
Bu teknolojinin önceki sürümünün aksine, güçlü manyetikler gerektirmediği için diğer elektronik bileşenlerle çok daha uyumlu. Sonuçlarını Nature Communications1 dergisinde “Manyetik grafende kuantum spin Hall etkisi” başlığıyla yayınladılar.
Spintronik Potansiyeli
Electronic components like transistors are traditionally built out of silicon and rely on semiconductors. The 0 and 1 signals in binary indicate the passing or blocking of an electric current.
Hesaplamanın alternatif bir yolu, elektrik akımı (elektron akışı) yerine elektronların spini (temel bir kuantum özelliği) üzerine çalışan spintronik cihazlardır.

Kaynak: Insight IAS
Spintronik, klasik elektronik sistemlere göre birkaç avantaja sahiptir, özellikle:
- Daha hızlı veri, çünkü spin çok daha hızlı değiştirilebilir.
- Daha az enerji tüketimi, çünkü spin, akım oluşturmak için elektron akışını sürdürmekten daha az güçle değiştirilebilir.
- Karmaşık yarı iletken malzemeler yerine basit metaller kullanılabilir.
Spintronik zaten sabit disklerde kullanılmakta ve son on yılda depolama kapasitesinin artmasını sağlamıştır.
“Spin, elektronların kuantum mekaniksel bir özelliğidir; elektronlar tarafından taşınan, yukarı ya da aşağı yönelen küçük bir mıknatıs gibidir.
Elektronların spinini, sözde spintronik cihazlarda bilgi aktarımı ve işleme için kullanabiliriz.
Talieh Ghiasi – Postdoc Researcher at Delft University of Technology
Kuantum Bilişim İçin Spintronik
Kuantum Devreleri İçin Spintronik’in Ana Faydaları
Spin, bir elektrik akımı değil, elektronların temel bir kuantum özelliğidir; kuantum bilgisi spinin yönünde depolanır.
Spintronik’in temel avantajı, elektronların transferi yerine manyetik momentlerin taşınmasıyla ilgilenmesidir. Böylece bilgi aktarımı için madde hareket etmesine gerek yoktur.
Ve bu zaten başlangıçta bir kuantum unsur olduğu için, bir spin kübiti oluşturma fikri ilgi çekicidir. Sıkça kuantum bilişim sistemlerinde olduğu gibi, bu bilginin yeterince uzun süre ve mesafelerde korunması sorunudur.
Ve bu, araştırmacıların bu çalışmada grafen kullanarak çözüm buldukları şey olabilir.
Spintronik İçin Grafen
Grafen, bir karbonun 2D tabakası şeklinde “mucize madde”dir. Sadece bilişimde değil, aynı zamanda süperiletkenlik, telekomünikasyon, malzeme bilimleri ve kataliz alanlarında da potansiyele sahiptir.
Şimdiye kadar, dikkat çekici elektriksel özelliklerine rağmen, grafen spintronik için pek kullanılmamıştır. Bunun nedeni, grafende kuantum spin akımlarının tespitinin her zaman büyük manyetik alanlar gerektirmesi ve bu alanların çip üzerine entegre edilmesinin pratikte imkânsız olmasıdır.
Araştırmacılar, grafeni iki boyutlu antiferromanyetik bir yarı iletken olan CrPS₄ (kromiyum tiophosphate) üzerine katmanlayarak dış manyetik alan ihtiyacını aşabildiler.
Bu manyetik katman, grafenin elektronik özelliklerini önemli ölçüde değiştirdi ve grafende kuantum spin Hall (QSH) etkisinin ortaya çıkmasını sağladı.
“Grafende spin taşımasının, komşu CrPS4 tarafından değiştirildiğini ve böylece grafende elektron akışının elektronların spin yönüne bağımlı hale geldiğini gözlemledik.”
Talieh Ghiasi – Postdoc Researcher at Delft University of Technology
QSH etkisi, elektronların grafenin kenarları boyunca sorunsuz bir şekilde hareket etmesini sağlar; tüm spinleri aynı yönde hizalanmıştır.
“Şimdi dış manyetik alanlara ihtiyaç duymadan kuantum spin akımlarını elde etmemizin, bu kuantum spintronik cihazların gelecekteki uygulamaları için yolu açtığı gerçeği.”
Talieh Ghiasi – Postdoc Researcher at Delft University of Technology
Grafen Tabanlı Spintronik İçin Gelecek Görünümü
Kuantum spin akımları “topolojik olarak korunmuş” olduğundan, devrede spin bilgisini kaybetmeden onlarca mikrometre uzunluğunda mesafeler kat edebilir.
“Bu topolojik olarak korunan spin akımları, bozukluk ve kusurlara karşı dayanıklıdır; bu da onları kusurlu koşullarda bile güvenilir kılar. Bilgi kaybı olmadan spin sinyalini korumak, spintronik devreler inşa etmek için hayati önemdedir.”
Talieh Ghiasi – Postdoc Researcher at Delft University of Technology
Bu keşif, ultra ince, grafen tabanlı spintronik devrelere giden yolu açıyor. Grafendeki spin akımları, kuantum bilgisayar bileşenlerini birbirine bağlamak için şimdiye kadar ışık kullanımına sınırlı olan verimli ve tutarlı bir kuantum bilgi transferi sağlayabilir, şimdiye kadar ışık kullanarak kuantum bilişim bileşenlerini birbirine bağlamaya sınırlı.
Dolayısıyla hâlâ geliştirme aşamasında olsa da, bu keşif kuantum bilgisayarların ve kuantum ağların nihai tasarımının henüz belirlenmediğini gösteriyor; grafen gibi malzemeler uzun vadede (malzeme kategorisi olarak grafen yarı iletkenleri kapsamında daha büyük bir parça olarak) ve genel olarak spintronik önemli bir rol oynayabilir.
Grafen Şirketlerine Yatırım
Grafen Üretim Grubu (GMG)
(GMG.V )
GMG, ısı kaplamaları ve yağlayıcılar gibi kanıtlanmış grafen tabanlı ürünlere odaklanarak endüstriyel ekipmanların verimliliğini artıran bir grafen üreticisidir.

Kaynak: GMG
Bu, GMG’yi grafen pazarına doğrudan maruz kalmak isteyen ve grafeni kitlesel üretim yapan, mevcut üretim yöntemini geliştiren bir şirket arayan yatırımcılar için iyi bir seçenek haline getiriyor.
Grafen, bilişim gibi diğer uygulamalarda büyük ölçekli kullanılmaya başlanırsa, mevcut grafen şirketlerinin deneyimi ve üretim kapasitesi bu pazarlara girmek için bir avantaj olacaktır.
Diğer bazı uygulamalar, grafen yarı iletkenlerinin oluşturulması (bkz. “Grafen Yarı İletkenler – Sonunda Burada mı?”) ya da hatta oda sıcaklığında süperiletkenler olabilir. Grafen kaplaması ayrıca bataryalarda ve hidrojen basınçlı kap teknolojilerinde de kullanılabilir.
GMG, grafenini metan + hidrojen kombinasyonundan üretir; bu, doğal grafit yataklarından üreten çoğu rakibinden farklıdır. Bu yöntem daha yüksek saflık, daha fazla ölçeklenebilirlik ve düşük maliyetli üretim sağlar.

Kaynak: GMG
Şirket, 2023 yılında Avustralya’da ilk üretim tesisini devreye aldı; yılda 1 milyon litre ısı değiştirici kaplama üretimi kapasitesine sahip. Şimdi ise yıllık 10 milyon ton üretim hedefiyle genişlemektedir.
Şirketin bir sonraki adımı, grafen alüminyum iyonuna dayalı batarya teknolojisi olacak; grafen süspansiyonu lityum-iyon bataryalarının katotlarına katkı maddesi olarak kullanılacak. Uzun vadede, grafit tabanlı katotların tamamen yerine geçebilir.
Şirket, 290 Wh/kg enerji yoğunluğuna ulaşabilen bir grafen katot kullanarak grafen alüminyum iyon bataryaları geliştiriyor. Bu, madencilik devi Rio Tinto ile ortaklıkta geliştirilmekte ve ilk olarak ağır sanayilerde (örneğin madencilik) kullanılabilecek, EV pazarlarından ziyade bir uygulama alanı bulabilir.

Kaynak: GMG
Batarya geliştirme yol haritası, 2025’te pilot tesislerin inşasını, 2026’da ticari ölçekli bir fabrika yatırımı kararı alınmasını ve 2027’de müşterilere ilk sevkiyatın gerçekleşmesini öngörüyor.
Bu batarya pazarına giriş, GMG için büyük bir risk olabilir, ancak grafen için enerji depolama ve diğer güçle ilgili uygulamaları içeren gelecekteki pazarda benzersiz bir fırsat da sunuyor.
Referans Çalışma
1. Ghiasi, T.S., Petrosyan, D., Ingla-Aynés, J. et al. Manyetik grafende kuantum spin Hall etkisi. Nature Communications 16, 5336 (2025). https://doi.org/10.1038/s41467-025-60377-1












