Pagsulong sa Memorya ng Ni₄W: Walang Magnet na Pagpalit

Ang pinakabagong mga pag-unlad sa teknolohiya, mula sa malalaking datos hanggang sa artificial intelligence (AI) at Internet of Things (IoT), ay nangongolekta at nagpoproseso ng napakaraming datos. Dahil dito, kailangan nila ng mataas na kahusayan sa enerhiya, mababang latency na paglilipat ng datos, at mabilis na pagproseso. 

Dito, ang mga pag-unlad sa high-performance computing (HPC) ay mahalaga sa pagpapabuti ng kakayahan sa pagproseso ng datos, kung saan ginagamit nila ang parallel processing, makapangyarihang hardware, at sopistikadong software.

Gayunpaman, ang pag-access sa memorya ay kadalasang nagiging bottleneck, kaya’t nagkakaroon ng matinding pangangailangan para sa teknolohiya ng memorya na tugma sa mga kahilingang ito.

Ang teknolohiya ng memorya ay nagbibigay-daan sa pag-access, pag-imbak, at pagbabago ng datos. Ang impormasyong ito ay kinakatawan ng mga koleksyon ng mga bit, kung saan ang bawat bit ay zero o isa (alternatibong totoo o mali).

Sa ideal na sitwasyon, ang pagbasa at pagsulat ng memorya ay nangyayari sa napakakaunting oras, kumukonsumo ng kaunting enerhiya, sumasakop ng hindi mahalagang puwang, at nananatili ang nakaimbak na halaga nang walang hanggan. Ngunit siyempre, sa praktika, walang teknolohiyang memorya ang nakakamit ang mga ideal na kundisyong ito. Ang iba’t ibang teknolohiya ay may kani-kanilang kalakasan at kahinaan, at walang iisang pinakamagandang teknolohiya ng memorya.

Ang teknolohiya ng memorya ay pangunahing hinahati sa dalawang kategorya:

• Volatile
• Non-volatile

Ito ay batay sa disenyo ng selula. Ang mga selula ay ang pangunahing yunit ng memorya, aktwal na isang ‘array’ ng mga memorya ‘selula’, kung saan ang bawat selula ay naglalaman ng isang bit ng datos, at ang mga katangian ng isang solong selula ay sumasalamin sa kabuuang array.

Ang volatile memory ay isang uri na gumagana hangga’t may kuryente at nawawalan ng nakaimbak na impormasyon kapag pinatay ang kuryente. Kaya, ang uri ng memoryang ito ay maaaring gamitin para pansamantalang mag-imbak ng datos.

Sa kabilang banda, ang non-volatile memory ay pinananatili ang nakaimbak na halaga kahit na tinanggal na ang kuryente. Para sa ganitong uri ng memorya, ginagamit ang sopistikadong teknolohiyang semiconductor, dahil mas mahirap itong gawin at mas kumplikado ang elektronikong pagsulat.

Sa patuloy na pagdami ng mas sopistikadong teknolohiya ng memorya sa merkado, ang pagkakaiba sa pagitan ng dalawang kategoryang ito ay nagiging mas malabo.

Mga Pagsulong sa Teknolohiya ng Memorya

Sa pagtingin sa kahalagahan ng teknolohiya ng memorya para sa operasyon at pagganap ng iba’t ibang elektronikong aparato at sistema, dahil ito ay nagbibigay-daan sa mga computer at iba pang aparato na mag-imbak at kumuha ng impormasyong kailangan para magamit, patuloy na sinusuri ng mga mananaliksik ang mga bagong paraan upang gawing mas epektibo ito.

Sa paglipas ng mga taon, ilang breakthrough ang nagbago ng teknolohiya. Sa layuning lampasan ang mga limitasyon ng kasalukuyang RAM at storage solutions, ang patuloy na pananaliksik ay nagtutulak ng mas mabilis, mas matipid na pag-compute at nagbibigay-daan sa mga bagong aplikasyon sa mga larangan tulad ng AI at neuromorphic computing.

PCM at Mga Inobasyon sa Mababang Konsumo ng Enerhiya

Ang ilan sa mga pangunahing pag-unlad sa larangang ito ay kinabibilangan ng mga bagong materyales ng PCM (Phase Change Memory) para lumikha ng isang uri ng memorya na pinagsasama ang bilis ng RAM at ang non-volatility ng flash storage.

Sa larangan ng PCM, noong huling bahagi ng nakaraang taon, natuklasan ng mga siyentipiko isang bagong teknik¹ upang pababain ang pangangailangan sa enerhiya ng PCM ng hanggang 1 bilyong beses.

“Isa sa mga dahilan kung bakit hindi pa naging malawak ang paggamit ng mga phase-change memory device ay dahil sa enerhiyang kinakailangan,” sabi ni Ritesh Agarwal, propesor ng material science at engineering sa Penn Engineering, na nangangahulugang ang potensyal ng mga natuklasan ng bagong teknik ay “napakalaki” para sa pagdidisenyo ng mga memorya na mababa ang konsumo ng enerhiya.

Ang partikular na pagtuklas na ito ay nakasalalay sa natatanging katangian ng indium selenide (In2Se3), isang semiconductor na nagpapakita ng parehong piezoelectric (mga materyal na nagbabago ng hugis kapag nalantad sa kuryente) at ferroelectric (mga materyal na maaaring lumikha ng internal na electric field nang hindi kailangan ng panlabas na karga) na katangian. 

Kapag ang indium selenide ay inilantad sa patuloy na kuryente, napansin ng mga mananaliksik na ang ilang bahagi nito ay nag-amorphize, na nagwasak sa kristal na estruktura at nagbukas ng “isang bagong larangan sa mga struktural na pagbabago na maaaring mangyari sa isang materyal kapag nagsama-sama ang lahat ng katangiang ito.”

Multiferroics at Mahusay na Pag-iimbak ng Datos

Ang mga multiferroic na materyales na nagpapakita ng parehong ferroelectric at ferromagnetic na katangian para sa hindi-nasirang pag-iimbak ng datos ay kasalukuyang ini-explore din ng mga mananaliksik. 

Isang ganitong materyal ay ang cobalt-substituted BiFeO3 (BiFe0.9Co0.1O3, BFCO), na nagpapakita ng malakas na magnetoelectric coupling, na nagbibigay-daan sa enerhiyang epektibong paraan ng pagsulat ng datos. Noong nakaraang taon, ang mga mananaliksik mula sa Tokyo Institute of Technology nag-develop² ng BFCO nanodots na may iisang ferroelectric at ferromagnetic domains.

Sa taong ito, ang mga mananaliksik gumawa ng progreso³, na nagpatuloy sa pananaliksik upang ipakita ang aktwal na switching functionality sa oriented thin films. Ang dynamic control ay nagpapakita ng totoong electric‑field‑driven magnetization switching sa mas device‑compatible na format.

Mga Solusyon sa Ferroelectric at Bagong Disenyo ng Memorya

Ang teknolohiyang chiplet ay isa pang pamamaraan kung saan maraming mas maliliit na chip, o chiplet, ay nakakabit sa isang substrate na nag-uugnay sa kanila, na nagbibigay-daan sa mas mataas na memory bandwidth at density. Samantala, ang mga pag-unlad sa NAND flash at DRAM ay patuloy na naglalayon patungo sa mas maliit na process nodes, na nakatuon sa pagtaas ng bandwidth at kahusayan sa enerhiya.

Habang ang NAND flash memory ay isa sa pinaka-karaniwang teknolohiya para sa mass data storage dahil sa kakayahang mag-imbak ng mas maraming datos sa parehong lugar sa pamamagitan ng pag-stack ng mga selula sa 3D na estruktura, ito ay nakadepende sa charge traps para mag-imbak ng datos, na nangangahulugang mas mataas na operating voltages at mas mabagal na bilis.

Isang pangakong solusyon dito ay ang hafnia (hafnium oxide)-based ferroelectric memory, ngunit ang hamon sa mga ito ay limitado ang memory para sa pag-iimbak ng datos.

Ang isang koponan mula sa POSTECH tinugunan ang isyung ito⁴ sa pamamagitan ng pag-doping ng ferroelectric materials ng aluminum, na lumikha ng high-performance ferroelectric thin films. Bukod dito, gumamit sila ng isang makabagong metal-ferroelectric-metal-ferroelectric-semiconductor (MFMFS) na istruktura, sa halip na tipikal na MFS na istruktura.

Ito ay nagbigay-daan sa kanila na matagumpay na kontrolin ang boltahe sa bawat layer sa pamamagitan ng pag-fine-tune ng mga factor tulad ng kapal at area ratio ng mga layer. Bilang resulta, nakamit ng koponan ang memory window na lampas sa 10 volts (V), kumpara sa 2V lamang sa tradisyunal na mga device.

Spin‑Orbit Torque at Ebolusyon ng Magnetic Memory

Kahit ang quantum computing ay nakakaranas ng malaking pag-usbong bilang isang umuusbong na teknolohiya na nagbubukas ng daan para sa mas makapangyarihan, mas matipid, at mas maraming gamit na mga computing device sa hinaharap.

Mayroon din ang energy‑efficient Spin‑Orbit Torque Magnetic Random Access Memory (SOT‑MRAM), kung saan ginagamit ang mga electrical currents upang magpalit ng magnetic states at makamit ang mataas na bilis at mababang konsumo ng enerhiya.

Sa unang bahagi ng taong ito, isang koponan ng mga mananaliksik mula sa JGU Institute of Physics ang nagbahagi ng kanilang inobasyon batay sa SOT‑MRAM, na nagpapakita ng potensyal na bawasan ang konsumo ng enerhiya ng higit sa 50% at pataasin ang kahusayan ng 30%. Binabawasan din nito ang input current na kailangan para sa magnetic switching upang mag‑imbak ng datos ng 20% at nakakamit ang thermal stability na nagsisiguro ng pangmatagalang pag‑imbak ng datos.

Photonic at Magneto‑Optical na Memory

Ang pagkontrol sa mga optical memory chip gamit ang liwanag at mga magnet ay isa pang paraan upang mapabuti ang bilis ng pagproseso at kahusayan.

Sa isang pag‑unlad, nagdisenyo ang mga siyentipiko ng programmable photonic latch⁶ na itinayo sa silicon photonic platform. Ang bawat memory unit sa sistema ay pinapagana ng sarili nitong light source, na nagpapahintulot sa maraming unit na gumana nang independiyente. Pinipigilan nito ang signal degradation na maaaring idulot ng pagkawala ng optical power, na ginagawang mas scalable ang arkitektura para sa mas malalaking sistema.

Ang Farshid Ashtiani ng Nokia Bell Labs ay nagpaliwanag ng potensyal:

“Ang mga malalaking language model tulad ng ChatGPT ay umaasa sa napakalaking dami ng simpleng matematikal na operasyon, tulad ng multiplication at addition, na paulit‑ulit na isinasagawa upang matuto at makabuo ng mga sagot.”

At habang ang full‑scale na optical computers ay ilang taon pa lamang, ang optical memory na ito ay kumakatawan sa isang makabuluhang hakbang patungo doon.

Samantala, isang ibang koponan ang nagpakita ng bagong magneto‑optical memory technology gamit ang cerium‑substituted yttrium iron garnet (Ce:YIG). Ang materyal na ito ay nagpapakita ng tunable na optical behavior kapag nalantad sa magnetic fields. Sa pamamagitan ng pag‑embed ng microscopic magnets, nagawang mag‑imbak at manipulahin ng mga mananaliksik ang datos sa pamamagitan ng pagbabago sa pag‑propagate ng liwanag.

Sa ganitong paraan, nagpakilala sila ng bagong klase ng magneto‑optical memory na may switching speed na 100 beses na mas mabilis kaysa sa advanced photonic integrated technology at kumukonsumo ng halos isang‑sampung bahagi ng kapangyarihan. Ang mga magneto‑optical memory ay maaari ring i‑rewrite nang higit sa 2.3 bilyong beses.

Ni₄W: Nakamit ang Magnetisasyon na Walang Field

Ang mga mananaliksik mula sa University of Minnesota Twin Cities ay nag-ulat ng isang bagong tagumpay sa teknolohiya ng memorya. 

Inilathala sa peer‑reviewed na siyentipikong journal na Advanced Materials, ang pag-aaral ay detalyado ang pag‑develop, na kinabibilangan ng paggamit ng Ni₄W, isang alloy ng nickel at tungsten. Ang metal na ito ay nagbabago ng magnetismo nang hindi nangangailangan ng mga magnet, at dahil dito, nagpapakita ng potensyal na magpatakbo ng susunod na henerasyon ng mga elektronikong aparato.

Sa pagpapakita ng koponan ng paraan upang lumikha ng spin currents para kontrolin ang magnetisasyon sa mga device, binubuksan ng pag‑aral ang pintuan para sa mas mura, mas mabilis, at mas epektibong computer memory at logic devices.

Pagpalit ng Magnetismo ng Metal Nang Walang Magnet

Sa pagtaas ng pangangailangan para sa umuusbong na teknolohiya ng memorya, aktibong nag‑explore ang mga mananaliksik ng iba’t ibang alternatibo sa kasalukuyang mga solusyon sa memorya na maaaring magpataas ng functionality ng pang‑araw‑araw na teknolohiya habang kumukunsumo ng mas kaunting enerhiya.

Kaya, ang mga mananaliksik mula sa University of Minnesota ay lumipat sa isang bagong materyal upang gawing mas mabilis at mas matipid sa enerhiya ang computer memory.

Ang materyal ay isang nickel‑tungsten alloy, isang klase ng materyal na kilala sa mataas na densidad, lakas, at resistensya sa pagkasira at korosyon. Sa mga alloy na ito, ang tiyak na komposisyon ng mga metal ay nakakaapekto sa kanilang mga katangian. 

Sa pag‑aralan na ito, ginamit ng mga mananaliksik ang Ni₄W, isang materyal na nagpapakita ng malakas na katangian sa kontrol ng magnetismo.

Upang piliin ang Ni₄W, unang sinuri ng koponan ang material database para sa mga posibleng kandidato na may stable phases sa loob ng I4/m space group, pagkatapos ay gumamit ng density functional theory (DFT) calculations, na nag‑identify sa Ni4W bilang pinaka‑promising na kandidato dahil sa malaking theoretical SOT efficiency at pagiging ground state para sa Ni‑W binary intermetallic system.

Kinumpirma ng koponan ang pag‑iral ng unconventional spin Hall conductivity (USHC) para sa Ni4W (100) pati na rin sa Ni4W (211), ngunit pinili nilang ituon ang kanilang eksperimento sa huli dahil sa mas mahusay nitong SOT efficiency, na lumagpas sa una.

“Ang mga theoretical calculations ay nagkumpirma na ang Ni4W (211) ay halos pinakamainam na crystal orientation para sa USHC,” binanggit ng pag‑aralan, idinagdag na ang hexagonal‑like lattice structure nito ay nagpapadali sa experimental na paglago.

Ang materyal ay maaaring gawing mas mabilis ang computer memory pati na rin makabuluhang mabawasan ang paggamit ng enerhiya sa mga elektronikong aparato. Nakakuha na ng patent ang mga mananaliksik para sa teknolohiyang ito.

“Ang Ni₄W ay nagbabawas ng paggamit ng enerhiya para sa pagsulat ng datos, na posibleng magbawas nang malaki ng konsumo ng enerhiya sa mga elektronikong aparato,” sabi ni Jian‑Ping Wang, senior na may‑akda ng papel, na isang Distinguished McKnight Professor at Robert F. Hartmann Chair sa Department of Electrical and Computer Engineering (ECE) sa U of M.

Hindi tulad ng mga karaniwang materyales, ang low‑symmetry na Ni₄W ay nagpapahintulot ng ‘field‑free’ switching. Ibig sabihin nito ay maaaring magpalit ang materyal ng mga magnetic state nito nang hindi kailangan ng mga magnet. Sa pamamagitan ng pagbuo ng spin currents sa maraming direksyon, nagagawa ng Ni₄W na i‑flip ang mga magnetic state nang ‘field‑free’ nang hindi nangangailangan ng external magnetic fields.

Sa kanilang gawain, nagbigay ang koponan ng bagong pananaw sa materyal habang ipinapakita ang mas epektibong paraan upang kontrolin ang magnetisasyon sa maliliit na elektronikong aparato gamit ang kombinasyong ito ng nickel at tungsten.

Ayon sa pag‑aralan, natuklasan ng mga mananaliksik na ang Ni₄W ay nag‑generate ng malakas na spin‑orbit torque (SOT), isang paraan upang manipulahin ang magnetismo sa susunod na henerasyon ng mga teknolohiya ng memorya.

Ang SOT ay isang umuusbong na teknolohiya na nagpapahintulot ng epektibong manipulasyon ng mga spintronic device, na gumagamit ng intrinsic spin ng mga electron pati na rin ang kanilang charge, upang mag‑imbak at manipulahin ang impormasyon.

Ang mekanismong ito ay nagmumula sa mga epekto ng spin‑orbit coupling (SOC), tulad ng anomalous Hall effect (AHE), spin Hall effect (SHE), at Rashba effect, at nagpapakita ng mas mahusay na performance pagdating sa kahusayan at bilis.

Habang ang SOT ay nag‑aalok ng epektibong paraan upang manipulahin ang magnetisasyon ng ferromagnetic materials (na nagpapakita ng permanenteng magnetization at may permanenteng magnetic moment kahit walang external na field) sa mga memory device, ang mga conventional na SOT materials tulad ng heavy metals at topological insulators ay limitado ng kanilang mataas na crystal symmetry.

Bilang resulta, gumagamit ang mga mananaliksik ng mga materyales na may mababang symmetry o binabasag ang mataas na symmetry gamit ang external na magnetic field upang lumikha ng unconventional spin currents, na nagpapahintulot ng field‑free deterministic switching ng perpendicular magnetization.

Sa kabila ng progreso, ang SOT efficiency ng mga materyal na ito ay patuloy na mababa, na naglilimita sa kanilang praktikal na aplikasyon. Gayunpaman, hindi ito ang kaso sa bagong materyal, na nagpapakita ng malaking SOT efficiency na 0.3 sa room temperature.

“Nakita namin ang mataas na SOT efficiency na may multi‑direction sa Ni₄W parehong mag‑isa at kapag naka‑layer kasama ang tungsten, na nagpapahiwatig ng malakas na potensyal nito para magamit sa low‑power, high‑speed na spintronic devices.”

– Co‑first author ng papel na si Yifei Yang, na isang ikalimang taong Ph.D. student sa grupo ni Wang

Isang malaking SOT efficiency na 0.73 ay naobserbahan din sa W/Ni4W (5 nm), ngunit maaaring ito ay mula sa extrinsic effects.

Kapansin‑pansin, ang bagong materyal ay gawa sa karaniwang mga metal at, dahil dito, maaaring gawin gamit ang standard na industrial processes. Ang kadalian ng paggawa nito ay nagiging low‑cost na proseso, na nagiging kaakit‑akit ang Ni₄W sa mga industry partner. Ibig sabihin din nito na ang teknolohiya ay maaaring ipatupad sa pang‑araw‑araw na produkto tulad ng mga telepono at smart watch nang madali at sa malapit na hinaharap.

“Kami ay lubos na nasasabik na makita na ang aming mga kalkulasyon ay nagkumpirma sa pagpili ng materyal at sa SOT experimental observation.”

– Co‑first author ng papel na si Seungjun Lee, isang postdoctoral fellow sa ECE

Kaya, natuklasan ng pag‑aralan na ang Ni4W ay isang promising unconventional SOT material para sa energy‑efficient na spintronic devices. Dahil mura itong gawin, maaari itong magkaroon ng malawak na aplikasyon sa mga device tulad ng mga telepono pati na rin sa mga data center, na ginagawang mas matalino at mas sustainable ang hinaharap ng electronics.

Sa mga susunod na hakbang, ang koponan ay magpapalaki ng mga materyal na ito sa isang device, na mas maliit kaysa sa kanilang nakaraang gawain.

Pamumuhunan sa Teknolohiya ng Memorya

Micron Technology (MU ), isang nangungunang manlalaro sa DRAM, NAND, at high‑bandwidth memory solutions, ay malaki ang pamumuhunan sa susunod na henerasyon ng memorya, tulad ng HBM, para sa AI workloads. Sa hinaharap, maaari nating asahan na ang kumpanya ay mag‑integrate ng mga bagong solusyon, tulad ng spintronic o SOT‑based memory, kapag ito ay naging commercially viable.

Micron Technology (MU )

Sa market cap na $126.7 bilyon, ang mga share ng MU ay kasalukuyang nagte‑trade sa $112.78, tumaas ng 34.54% ngayong taon. Mayroon itong EPS (TTM) na 5.52 at P/E (TTM) na 20.53. Ang dividend yield na maaaring kitain ng mga shareholders ay 0.41%.

Tungkol sa posisyon pinansyal ng kumpanya, iniulat nito ang $9.30 bilyon na kita para sa ikatlong quarter ng fiscal 2025, na nagtapos noong Mayo 29, 2025. Ito ay kumakatawan sa 15.5% na pagtaas mula sa nakaraang quarter at 36.5% na pagtaas mula sa parehong panahon noong nakaraang taon.

Ang GAAP net income para sa period ay $1.89 bilyon, o $1.68 bawat diluted share, at ang non‑GAAP net income ay $2.18 bilyon, o $1.91 bawat diluted share. Ang operating cash flow nito ay tumaas din sa $4.61 bilyon.

Nagtapos ang Micron sa quarter na may $12.22 bilyon sa cash, marketable investments, at restricted cash.

Ayon sa CEO na si Sanjay Mehrotra, ang record revenue ay pinasigla ng all‑time‑high na DRAM revenue, kasama ang halos 50% na sequential growth sa HBM revenue. Ang kita mula sa data centres ay umabot din sa record sa quarter, habang ang consumer‑oriented na end markets ay nagpakita ng malakas na sequential growth.

“Nasa tamang landas kami upang maghatid ng record revenue na may solid profitability at free cash flow sa fiscal 2025, habang gumagawa kami ng disiplinadong pamumuhunan upang palawakin ang aming pamumuno sa teknolohiya at kahusayan sa pagmamanupaktura upang matugunan ang lumalaking pangangailangan sa AI‑driven na memorya.”

– CEO Sanjay Mehrotra

Sa gitna ng lahat ng ito, inanunsyo ng kumpanya na ang HBM3E 36GB 12‑high offering nito ay iintegrate sa susunod na henerasyon ng GPUs ng AMD (Instinct™ MI350 Series), na kritikal para sa pagsasanay ng malalaking AI model at paghawak ng komplikadong HPC workloads tulad ng data processing at computational modeling.

Nag‑anunsyo rin ang Micron ng $200 bilyong expansion plan sa U.S. na kinabibilangan ng domestic memory manufacturing at R&D, na inaasahang lilikha ng 90,000 direct at indirect na trabaho. Kasabay nito, natapos nito ang direktang pondo na $275 milyon sa CHIPS Act.

Pinakabagong Balita at Pag‑unlad sa Stock ng Micron Technology (MU)

Huling Kaisipan sa Hinaharap ng Teknolohiya ng Memorya

Patuloy na umuunlad ang teknolohiya ng memorya at binabago ang pundasyon ng modernong computing. Mula sa mga inobasyon sa phase‑change hanggang sa mga breakthrough sa spintronic, ang lahat ng pag‑unlad na ito ay nangangako ng mas mabilis, mas matipid sa enerhiya, at scalable na solusyon para sa AI, malalaking datos, at susunod na henerasyon ng consumer electronics.

Ang pinakabagong pagtuklas ng Ni₄W alloy, na may field‑free magnetization switching, ay maaaring maging game‑changer, nagbubuo ng tulay sa pagitan ng cost‑effectiveness at high‑performance na solusyon sa memorya at posibleng magbukas ng daan para sa malawakang pag‑aampon ng spin‑orbit torque memory sa mainstream na electronics sa mga darating na taon.

Mag‑click dito para sa listahan ng mga nangungunang non‑silicon computing companies.

Mga Sanggunian:

1. Modi, G.; Parate, S. K.; Kwon, C.; Han, S. H.; Kim, Y.; Wang, X.; Lee, S.; Wu, L.; Kwon, J.; Kim, K.; Zhang, Y.; Milliron, D. J.; Duerloo, K.-A. N.; Kim, M. J.; Jeong, Y.; Park, J. Electrically Driven Long‑Range Solid‑State Amorphization in Ferroic In₂Se₃. Nature, 635, 847–853 (2024). Inilathala online noong Nobyembre 6, 2024. https://doi.org/10.1038/s41586-024-08156-8
2. Ozawa, K.; Nagase, Y.; Katsumata, M.; Shigematsu, K.; Azuma, M. Electric‑Field Control of the Magneto‑Optical Effect in a Transparent Perovskite Oxide. ACS Applied Materials & Interfaces, 16 (16), 20930–20936 (2024). Inilathala online noong Abril 24, 2024. https://doi.org/10.1021/acsami.4c01232
3. Itoh, T.; Shigematsu, K.; Das, H.; Meisenheimer, P.; Maeda, K.; Lee, K.; Manna, M.; Reddy, S. P.; Susarla, S.; Stevenson, P.; Ramesh, R.; Azuma, M. Electric‑Field‑Driven Reversal of Ferromagnetism in (110)‑Oriented, Single‑Phase, Multiferroic Co‑Substituted BiFeO₃ Thin Films. Advanced Materials, inilathala online noong Abril 28, 2025, e2419580. https://doi.org/10.1002/adma.202419580
4. Kim, I.–J.; Lee, J.–S.; … Lee, J.–S. Unlocking Large Memory Windows and 16‑Level Data‑Per‑Cell Memory Operations in Hafnia‑Based Ferroelectric Transistors. Science Advances, inilathala online noong Hunyo 7, 2024, 10 (23): eadn1345. https://doi.org/10.1126/sciadv.adn1345
5. Gupta, R.; Bouard, C.; Kammerbauer, F.; Ledesma‑Martín, J. O.; Bose, A.; Kononenko, I.; Martin, S.; Usé, P.; Jakob, G.; Drouard, M.; Kläui, M. Harnessing Orbital Hall Effect in Spin‑Orbit Torque MRAM. Nature Communications, 16, 130 (2025). Natanggap noong Setyembre 18, 2024; Tinanggap noong Disyembre 12, 2024; Inilathala noong Enero 2, 2025. https://doi.org/10.1038/s41467-024-55437-x
6. Goto, T.; Onbaşli, M. C.; Ross, C. A. Magneto‑Optical Properties of Cerium‑Substituted Yttrium Iron Garnet Films with Reduced Thermal Budget for Monolithic Photonic Integrated Circuits. Optics Express, 20 (27), 28507–28517 (2012). Natanggap noong Oktubre 24, 2012; Binago noong Nobyembre 20, 2012; Tinanggap noong Nobyembre 21, 2012; Inilathala online noong Disyembre 10, 2012. https://doi.org/10.1364/OE.20.028507
7. Pintus, P.; Dumont, M.; Shah, V.; Murai, T.; Shoji, Y.; Huang, D.; Moody, G.; Bowers, J. E.; Youngblood, N. Integrated Non‑Reciprocal Magneto‑Optics with Ultra‑High Endurance for Photonic In‑Memory Computing. Nature Photonics, 19, 54–62 (2025). Natanggap noong Enero 18, 2024; Tinanggap noong Setyembre 14, 2024; Inilathala noong Oktubre 23, 2024. https://doi.org/10.1038/s41566-024-01549-1
8. Yang, Y.; Lee, S.; Chen, Y. C.; Jia, Q.; Dixit, B.; Sousa, D.; Odlyzko, M.; Garcia‑Barriocanal, J.; Yu, G.; Haugstad, G.; Fan, Y.; Huang, Y. H.; Lyu, D.; Cresswell, Z.; Liang, S.; Benally, O. J.; Low, T.; Wang, J. P. Large Spin‑Orbit Torque with Multi‑Directional Spin Components in Ni₄W. Advanced Materials, inilathala online noong Mayo 15, 2025, e2416763. https://doi.org/10.1002/adma.202416763