Computing
2D CMOS Computer Nagpapasiklab ng Bagong Panahon ng mga Alternatibo sa Silicon
Idagdag ang Securities.io sa mga gusto mong mapagkunan sa Google
Sa mundo ng teknolohiyang semiconductor, na bumubuo ng pundasyon ng modernong elektronika, ang silicon (Si) ang pinaka-ginagamit na materyal.
Ang ikalawang pinaka-abundant na elemento sa Earth matapos ang oxygen, ang silicon ay nagbigay-daan sa mga pag-unlad sa teknolohiyang semiconductor sa pamamagitan ng miniaturization. Mula sa mga microprocessor hanggang automation, mga computer, smartphone, at mga electric vehicle, ito ay nagdala ng mga breakthrough sa elektronika sa pamamagitan ng malaking pagbawas sa pisikal na laki ng mga aparato.
Ngunit ngayon, ang mga hamon sa scaling ay nagpasimula ng pangangailangan na mag-explore ng mga bagong materyales. Dito, ang two-dimensional (2D) na mga materyales ay nagpapakita ng potensyal para sa hindi pa nagagawang pag-unlad sa pagganap ng mga device sa antas ng atom.
Ang mga 2D na materyales ay napakakapal na nanomaterial na may iisang patong ng mga atom. Mayroon silang mataas na antas ng anisotropy at kemikal na functionality, at ang kanilang kaakit-akit na electronic properties ay ginagawang magagamit sa malawak na hanay ng mga aplikasyon. Ang graphene ay isang popular na 2D na materyal.
Kaya, sa kanilang atomikong kapal at mataas na carrier mobility, ang mga 2D na materyales ay nag-aalok ng isang pangakong alternatibo. Malaking pag-unlad din ang nagawa sa wafer-scale na paglago, high-performance na field-effect transistors (FET), at mga circuit na batay sa mga materyales na ito.
Ang FET ay isang uri ng transistor na gumagamit ng electric field upang kontrolin ang kasalukuyang dumadaloy sa isang semiconductor. Bilang isang mahalagang electronic component sa modernong elektronika, ang FET ay kumikilos bilang isang kontroladong switch sa mga high-voltage at high-frequency na power circuit.
Bagaman maraming pag-unlad na nagawa, ang pag-abot ng complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) integration ay nananatiling hamon.
Ang CMOS ay isang uri ng teknolohiya na ginagamit sa paggawa ng integrated circuits, partikular sa mga computer processor, memory chip, at iba pang digital na device. Tinutulungan nitong i-regulate ang daloy ng kuryente sa mga component na ito, na mahalaga para sa tamang pag-andar.
Kapansin-pansin, ang CMOS ay gumagamit ng parehong n-type (NMOS) at p-type (PMOS) na mga transistor sa isang complementary na paraan upang makamit ang mga logic function.
Ang mga N-type transistor ay nagdadala ng kuryente gamit ang negatively charged electrons bilang pangunahing charge carriers at pinapayagan ang daloy ng kasalukuyang. Sa P-type transistor, ang karamihan ng charge carriers ay mga butas (positive charges), at pinapayagan nila ang daloy ng kuryente mula sa power supply papunta sa output.
Sa CMOS, ang metal-oxide-semiconductor ay tumutukoy sa mga materyales na ginagamit sa konstruksyon ng mga transistor: metal para sa gate, oxide para sa insulation, at silicon semiconductor para sa channel.
Ang nagpapalakas sa CMOS ay ang kakayahan nitong lumikha ng komplikadong electronic circuits sa isang solong semiconductor chip. Gayundin, ang mga CMOS transistor ay gumagamit ng mas mababang kapangyarihan kumpara sa ibang teknolohiya dahil kumukonsumo lamang ng kuryente kapag nagbabago ng estado (on/off). Higit pa rito, kilala ang CMOS circuits sa kanilang mataas na pagiging maaasahan.
Ngayon, napagtagumpayan ng mga mananaliksik mula sa Penn State ang hamon ng pag-integrate ng CMOS sa mga 2D na materyales.
Ang kanilang ginawa ay nag-develop sila ng 2D one instruction set computer batay sa teknolohiyang CMOS. Sinusulit nito ang heterogeneous integration ng malawak na n-type MoS2 at p-type WSe2 field-effect transistors.
Nakamit ng koponan ang mataas na drive currents at nabawasang subthreshold leakage sa pamamagitan ng pag-aayos ng threshold voltages para sa parehong n- at p-type na 2D FETs. Ito ay nagawa sa pamamagitan ng scaling ng haba ng channel, kung saan nag-incorporate sila ng high-κ gate dielectric at pinahusay ang paglago ng materyal at postprocessing ng device.
Pinahintulutan nito ang operasyon ng circuit sa ibaba ng 3 V na may operating frequency na hanggang 25 kHz pati na rin ang ultra-low power consumption sa picowatt range at switching energy na humigit-kumulang 100 pJ.
Ang 2D CMOS Computer ng Penn State ay Itinutulak ang Atomic Limit
Ang silicon ay nangunguna sa teknolohiyang semiconductor, ngunit hindi tulad ng elementong kemikal na ito, ang one-atom-thick na 2D na materyales ay kayang panatilihin ang kanilang mga katangian sa sukat na iyon.
Matapos maghatid ng “kamangha-manghang pag-unlad sa elektronika sa loob ng mga dekada sa pamamagitan ng pagpapahintulot ng patuloy na miniaturization ng field-effect transistors (FETs),” ang silicon ay humaharap sa isang malaking hamon sa karagdagang pagpapabuti at pagpapaliit ng mga device.
“Habang lumiliit ang mga silicon device, nagsisimula ang kanilang performance na bumaba,” ayon sa pinuno ng pag-aaral, si Saptarshi Das, na Ackley Professor of Engineering at propesor ng engineering science and mechanics sa Penn State.
Sa kabaligtaran, pinananatili ng mga 2D na materyales ang kanilang natatanging electronic properties kahit sa atomikong kapal, kaya “nag-aalok ng isang pangakong landas pasulong.” Dahil dito, sa pioneering na gawain, ginamit ng koponan ng mga mananaliksik ang 2D na materyales upang bumuo ng isang computer na kayang magsagawa ng simpleng operasyon.
Inilathala sa Nature1, ang pag-aaral, na sinusuportahan ng Office of Naval Research, Army Research Office, at bahagi ng U.S. National Science Foundation, ay nagdetalye ng malaking hakbang sa paglikha ng mas manipis, mas mabilis, at mas energy-efficient na elektronika.
Tulad ng nabanggit sa itaas, nakalikha sila ng CMOS computer nang hindi umaasa sa silicon, isang tetravalent metalloid na nagpapakita ng mga katangiang nasa pagitan ng mga metal at nonmetals. Pinalitan ito ng mga mananaliksik ng dalawang magkaibang 2D na materyales upang bumuo ng dalawang uri ng transistor na kinakailangan sa CMOS computers upang kontrolin ang daloy ng kuryente.
Para sa n-type na mga transistor, ginamit nila ang molybdenum disulfide (MoS2), isang klase ng 2D transition metal dichalcogenides (TMDCs) na inorganic na materyales na may mababang friction coefficient, mahusay na thermal stability, at mataas na wear resistance, depende sa partikular na kondisyon.
Para sa p-type na mga transistor, ginagamit ang tungsten diselenide (WSe2). Ang inorganic compound ay may hexagonal crystalline structure na katulad ng molybdenum disulfide at kilala sa natatanging electronic properties nito, kabilang ang mataas na carrier mobility, malaking band gap, at kahanga-hangang on-off ratio.
Ang teknolohiyang CMOS ay nangangailangan ng parehong n-type at p-type na semiconductor upang magtulungan para makamit ang mataas na performance sa mababang konsumo ng kuryente. Gayunpaman, ito ay naging pangunahing hamon na humahadlang sa pagsusumikap na lumampas sa silicon.
At habang ipinakita ng mga pag-aaral na ang maliliit na circuit na batay sa 2D na materyales ay maaaring i-scale sa komplikado, functional na mga computer, ang tagumpay na ito ay hindi pa natatamo.
Ayon sa mga mananaliksik, iyon ang pangunahing pag-unlad ng kanilang trabaho. Sa unang pagkakataon, nakabuo sila ng CMOS computer na ganap na gawa mula sa 2D na materyales, pinagsasama ang malawak na lumaking molybdenum disulfide at tungsten diselenide na mga transistor.
Upang gawin ang transistor, gumamit ang koponan ng prosesong tinatawag na metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). Sa prosesong ito, ang mga sangkap ay pinapasingaw, na nagdudulot ng chemical reaction at nagdedeposito ng mga produkto sa substrate.
Gamit ang MOCVD, pinalaki ng koponan ang malalaking sheet ng molybdenum disulfide at tungsten diselenide at gumawa ng higit sa 1,000 ng bawat uri ng transistor.
Pagkatapos, sa pamamagitan ng maingat na pagbabago sa paggawa ng device at post-processing, nagawang i-adjust ng koponan ang threshold voltages ng n- at p-type na mga transistor, na nagbigay-daan sa pag-develop ng ganap na functional na CMOS logic circuits.
“Ang aming 2D CMOS computer ay gumagana sa mababang supply voltages na may minimal na konsumo ng kuryente at maaaring magsagawa ng simpleng logic operations sa mga frequency hanggang 25 kilohertz.”
Bagaman ang operating frequency na ito ay mababa kumpara sa mga tradisyonal na silicon CMOS circuit, binigyang-diin ni Ghosh na ang kanilang computer ay kaya pa ring magsagawa ng simpleng logic operations.
“Nabuo rin namin ang isang computational model, na kinakalibrate gamit ang experimental data at isinasaalang-alang ang mga pagkakaiba sa pagitan ng mga device, upang iproyekto ang performance ng aming 2D CMOS computer at i-benchmark ito laban sa state-of-the-art na silicon technology. Bagaman may puwang pa para sa karagdagang optimization, ang gawaing ito ay nagmamarka ng isang mahalagang milestone sa paggamit ng 2D na materyales upang itaguyod ang larangan ng elektronika.”
– Ghosh
Kaya, bagaman isang malaking tagumpay, hindi pa tapos ang trabaho. Kailangan pa ng karagdagang pananaliksik upang higit pang paunlarin ang 2D CMOS computer approach para sa mas malawak na paggamit. Gayunpaman, binigyang-diin ni Das ang mabilis na pag-unlad ng larangan kumpara sa pag-unlad ng teknolohiyang silicon.
“Ang teknolohiyang silicon ay nasa ilalim ng pag-unlad sa loob ng halos 80 taon, ngunit ang pananaliksik sa 2D na materyales ay kamakailan lamang, halos nagsimula noong 2010. Inaasahan naming ang pag-develop ng mga 2D material computer ay magiging isang unti-unting proseso rin, ngunit ito ay isang malaking hakbang pasulong kumpara sa trajectory ng silicon.”
– Das
Pagbuo ng Microchips gamit ang 2D na Materyales sa Malaking Sukat
Ilang buwan na ang nakalipas, iniulat din ng mga siyentipiko sa China ang pag-develop ng isang microchip2 gamit ang molybdenum disulfide. Ang chip ay may 5,931 na transistor, bawat isa ay tatlong atom ang kapal.
Pinaniniwalaan ng mga siyentipiko na ang molybdenum disulfide (MoS2) ay magpapahintulot sa pagpapatuloy ng Moore’s Law kapag ang silicon ay hindi na makapagbigay ng karagdagang pag-unlad.
“Bagaman ang mga 2D na materyales ay matagal nang inirerekomenda sa loob ng higit isang dekada, ang tunay na limitasyon sa kanilang kasalukuyang pag-unlad ay hindi ang performance ng anumang iisang device, dahil maraming 2D na electronic device ang gumagana nang napakabuti sa antas ng laboratoryo.”
– Wenzhong Bao, propesor sa Fudan University
Ang praktikalidad ng mga 2D na materyales ay kinukwestyon dahil sa “kakulangan ng isang integrated technology system na scalable, repeatable, at compatible sa mga industrial process,” dagdag pa niya.
Kaya, lumikha ang koponan ng isang bagong microchip na tinatawag na RV32-WUJI. Ito ay may halos 6,000 MoS2 na transistor na ginawa gamit ang tradisyunal na CMOS technologies, na nagmamarka ng paglipat mula sa pananaliksik sa laboratoryo patungo sa mga aplikasyon sa system-level engineering.
Ang microchip ay may RISC-V architecture na maaaring magpatupad ng standard na 32-bit na mga utos. Ang bagong processor ay itinayo sa substrate ng insulating sapphire na naghihiwalay ng isang transistor mula sa isa pa electronically. Isang standard cell library din ang binuo para sa RV32-WUJI, na naglalaman ng 25 uri ng logic units upang magsagawa ng mga pangunahing function. Upang i-optimize ang bawat hakbang ng proseso, gumamit ang koponan ng machine learning.
Nakarating ng mga mananaliksik ang manufacturing yield na 99.77%. Ang chip ay kumukonsumo rin ng kakaunting 0.43 milliwatts ng kapangyarihan kapag nagsasagawa ng arithmetic.
Habang silicon chips ay may milyong beses na mas maraming transistor at operating frequencies na mas mabilis kaysa sa bagong device, sinabi ni Bao na ang bagong trabaho ay batay sa laboratoryo, kumpara sa silicon-based semiconductors, kung saan napakalaking halaga ng R&D resources ang inilaan sa nakaraang ilang dekada. Kung tatanggapin ng industriya ang 2D semiconductors, “naniniwala kami na ang bilis ng paghabol sa performance ng silicon-based ay magiging mas mabilis kaysa sa aming inaasahan,” dagdag pa niya.
Ang 2D active material na molybdenum disulfide (MoS2) ay kamakailan din nakatanggap ng platinum (Pt) upgrade sa antas ng atom sa isang bagong pag-aaral3 na isinagawa ng University of Vienna at Vienna University of Technology.
Inilagay ng mga mananaliksik ang mga indibidwal na Pt atom sa isang ultrathin na MoS2 monolayer at, sa unang pagkakataon, natukoy ang kanilang eksaktong posisyon sa loob ng lattice na may atomic precision sa pamamagitan ng isang makabagong pamamaraan.
Ang kanilang pamamaraan, na nag-iintegrate ng targeted defect creation sa MoS2 monolayer, kontroladong platinum deposition, at isang high-contrast computational microscopic imaging technique, ay pinaniniwalaan ng mga mananaliksik na nag-aalok ng mga bagong landas para sa pag-unawa at pag-engineer ng atomic-scale na katangian sa 2D systems.
Lampas sa CMOS: Hybrid na 2D na Materyales at Quantum na Landas
Matagal nang naghahanap ang mga mananaliksik ng mga bagong materyales upang palitan ang silicon sa susunod na henerasyon ng elektronika. Ang mga materyales na ito ay dapat makapagbigay ng mas mataas na performance at mas mababang konsumo ng kuryente habang may scalability, na kadalasang nagdadala sa kanila sa 2D na materyales.
Isang multi-institutional na gawain na co-led ng MIT ilang taon na ang nakalilipas ay aktwal na nakamit ang dalawang teknikal na breakthrough at ito rin ang unang nag-ulat na ang kanilang pamamaraan, transition metal dichalcogenides (TMD), para magpalago ng semiconductor materials ay magpapabilis ng mga device at magiging mas energy-efficient.
Upang lumikha ng mga bagong materyales, kinailangan ng koponan na malampasan ang tatlong hamon sa wafer-scale o malaking sukat: pagtiyak ng single crystallinity, vertical heterostructures, at pag-iwas sa hindi pantay na kapal.
Hindi tulad ng 3D na materyales, na sumasailalim sa roughening at smoothing upang makamit ang pantay na ibabaw, ang 2D na materyales ay hindi pinapayagan ang prosesong ito, na nagreresulta sa hindi pantay na ibabaw. Ito ay nagpapahirap sa paggawa ng malaking sukat, mataas na kalidad, at uniform na 2D na materyales.
Kaya, nagbuo ang koponan ng isang confined structure na nagpo-promote ng kinetic control ng 2D na materyales, na hindi lamang nalutas ang lahat ng hamon kundi nagkinailangan din ng self-defined na seeding growth para sa mas maikling oras ng paglaki.
Ang isa pang teknikal na breakthrough ay ang pagpapakita ng single-domain heterojunction TMDs sa malaking sukat, layer-by-layer.
Ang pananaliksik sa 2D na materyales ay patuloy na lumalawak, kung saan ang mga siyentipiko ay patuloy na sinusubukang i-unlock ang mga bagong functionality para sa mas advanced na hinaharap.
Ilang linggo lamang ang nakalipas, ang mga material scientists mula sa Rice University ay lumikha ng isang tunay na 2D hybrid4 sa pamamagitan ng kemikal na pag-integrate ng graphene at silica glass, dalawang fundamentally magkaibang 2D na materyales, sa isang compound na tinatawag na glaphene.
“Ang mga layer ay hindi lamang nakahiga sa isa’t isa ⎯ ang mga electron ay gumagalaw at bumubuo ng mga bagong interaksyon at vibration states, na nagdudulot ng mga katangian na wala sa alinmang materyal kapag nag-iisa.”
Sa pagsisikap na ito na cross-continental, isang two-step, single-reaction method ang binuo upang palaguin ang glaphene gamit ang liquid chemical precursor na naglalaman ng carbon at silicon. Ang pag-aayos ng antas ng oxygen habang pinapainit ay nagbigay-daan sa kanila na unang magpalago ng graphene at pagkatapos ay baguhin ang kondisyon pabor sa pagbuo ng silica layer.
Kapansin-pansin, ang pamamaraan ay maaaring ilapat sa malawak na hanay ng 2D na materyales, na nagbubukas ng pintuan para sa pag-develop ng custom-built na 2D na materyales para sa susunod na henerasyon ng elektronika at quantum devices.
Ang mga siyentipiko sa Korea ay gumamit din ng 2D semiconducting materials upang madiskubre ang isang bagong quantum state5 na maaaring magpatakbo ng mas matatag na quantum computers. Ang bagong quantum state na natuklasan ay maaari ring magamit sa isang 2D semiconductor chip upang kontrolin ang quantum information nang mas maaasahan.
Ang maliliit na materyales ay nangunguna sa malalaking pag-unlad sa quantum computing sa ilang panahon na, at ang pinakabagong pananaliksik mula sa Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology (DGIST) ay nagbubukas ng mga landas para sa mga bagong reconfigurable na device para sa pag-imbak ng data.
“Nadiskubre namin ang isang bagong quantum state, na kilala bilang exciton-Floquet synthesis state, at nagmungkahi ng isang bagong mekanismo para sa quantum entanglement at quantum information extraction. Inaasahan na ito ay magtutulak pasulong ng pananaliksik sa quantum information technology sa dalawang-dimensional na semiconductors.”
– Jaedong Lee of DGIST
Noong nakaraang taon, ang mga siyentipiko mula sa JMU Würzburg at TU Dresden ay nakabuo ng isang protective coating para sa 2D quantum materials upang protektahan ang mga ito mula sa mga impluwensyang pangkapaligiran nang hindi sinasakripisyo ang kanilang rebolusyonaryong mga katangian.
Natuklasan ng mga siyentipiko dati na ang napakakapal na quantum semiconductors ay nangangailangan ng sopistikadong vacuum equipment at isang tiyak na substrate material. Ang paggamit ng 2D na materyal sa mga electronic component ay nangangahulugang pag-alis mula sa vacuum environment, ngunit kahit na maikling exposure sa hangin ay nagdudulot ng oxidation at sumisira sa mga katangian nito, “na nagiging walang silbi.”
Kaya, naghanap ang koponan ng paraan upang protektahan ang sensitibong layer mula sa mga elemento ng kapaligiran gamit ang isang protective coating. Pagkatapos ng dalawang taon, nagtagumpay sila. Gumamit ang koponan ng advanced ultrahigh vacuum tools upang subukan ang pag-init ng silicon carbide bilang substrate para sa indenene.
Nakikita ng koponan na ito ay magbubukas ng daan para sa mga aplikasyon na kinabibilangan ng napaka-sensitibong semiconductor atomic layers. Ngayon, tinutukoy ng koponan ang higit pang van der Waals na materyales upang magsilbing protective layers.
Pamumuhunan sa Teknolohiyang 2D Semiconductor
Aktibong nagtatrabaho sa pagharap sa mga hamon ng pag-urong ng sukat ng transistor, Applied Materials (AMAT ) ay may mahalagang papel sa pag-develop at scaling ng 2D semiconductors. Ito ay isa sa iilang kumpanya na nakaposisyon upang mapadali ang industriyal na paglipat sa produksyon ng 2D semiconductor sa pamamagitan ng fabrication equipment at process chemistry.
Ang pagganap sa merkado ng $137 bilyong market cap ng Applied Materials ay nagpapakita rin ng matibay na pagtaas.
Applied Materials (AMAT )
Sa kasalukuyan, ang mga shares ng Applied Materials ay nagte-trade sa $170.50, tumaas ng 4.9% YTD at bumaba lamang ng 33.6% mula sa pinakamataas nitong ATH noong nakaraang tag-init. Ang EPS (TTM) nito ay 8.21, at ang P/E (TTM) ay 20.78, habang ang dividend yield na inaalok ay 1.08%.
Tungkol sa pinansyal ng kumpanya, iniulat ng Applied Materials ang kita na $7.10 bilyon, isang pagtaas ng 7% YoY, para sa ikalawang quarter na nagtapos noong Abr. 27, 2025.
Ang “malakas na performance” na ito ay naihatid “sa kabila ng dynamic na ekonomikong at kalakalan na kapaligiran,” ayon kay Brice Hill, Senior Vice President at CFO. Iniulat din ng kumpanya na walang makabuluhang pagbabago sa demand ng customer.
AMAT Tsart ng Presyo
Ang GAAP gross margin nito ay 49.1% at ang non-GAAP gross margin ay 49.2%, habang ang GAAP EPS ay tumaas ng 28% sa $2.63 at ang non-GAAP EPS ay tumaas ng 14% sa $2.39. Sa panahong ito, ang kumpanya ay nag-generate ng $1.57 bilyon na cash mula sa operasyon at nag-distribute ng $2 bilyon sa mga shareholders sa pamamagitan ng $325 milyon na dibidendo at $1.67 bilyon na share repurchases.
“Ang malawak na kakayahan ng Applied Materials at konektadong product portfolio ay nagdadala ng malalakas na resulta noong 2025 sa gitna ng napaka-dynamic na macro environment.”
– CEO Gary Dickerson
Itinuro niya ang high-performance at energy-efficient na AI computing na patuloy na pangunahing nagdadala ng inobasyon sa semiconductor.
Pinakabagong Balita at Pag-unlad sa Stock ng Applied Materials (AMAT)
Konklusyon
Sa pamamagitan ng pagbuo ng kauna-unahang gumaganang CMOD computer sa mundo na ganap na gawa mula sa atom-thin na 2D na materyales, hindi lamang hinamon ng mga mananaliksik ang matagal nang dominasyon ng silicon sa elektronika kundi nagbigay din ng solusyon sa umiiral na problema ng paggawa ng mga electronic device na mas maliit, mas mabilis, at mas mahusay.
Mahigit 2,000 na transistor na ginawa ng koponan ay kayang magsagawa ng logic operations sa isang computer, na nag-aalis ng pangangailangan para sa tradisyonal na silicon.
Bagaman nasa maagang yugto pa lamang, ang breakthrough ay nagmumungkahi ng isang kapanapanabik na hinaharap kung saan ang high-performance, mas energy-efficient, at mas manipis na elektronikong pinapagana ng mga materyales na isang atom lamang ang kapal ay magiging bagong realidad.
Mga Sanggunian:
1. Ghosh, S.; Zheng, Y.; Rafiq, M.; et al. A Complementary Two-Dimensional Material-Based One Instruction Set Computer. Nature 2025, 642 (12), 327–335. https://doi.org/10.1038/s41586-025-08963-7
2. Ao, M.; Zhou, X.; Kong, X.; et al. A RISC-V 32-Bit Microprocessor Based on Two-Dimensional Semiconductors. Nature 2025, 640 (17), 654–661. https://doi.org/10.1038/s41586-025-08759-9
3. Li, J.; Yuan, Y.; Cao, W.; Deng, B.; Li, C.; Cheng, Z.; Wang, H.; Hu, W.; Xu, H. Q.; Wang, L. Programmable P-N Junctions in Two-Dimensional Semiconductor Transistors. Nano Lett. 2025, 25 (12), 5049–5056. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c00919
4. Iyengar, S. A.; Tripathi, M.; Srivastava, A.; Biswas, A.; Gray, T.; Terrones, M.; Dalton, A. B.; Pimenta, M. A.; Vajtai, R.; Meunier, V.; Ajayan, P. M. Glaphene: A hybridization of 2D silica glass and graphene. Adv. Mater. 2025, Na-publish Online Mayo 28, 2025. https://doi.org/10.1002/adma.202419136
5. Park, H.; Park, N.; Lee, J. Novel Quantum States of Exciton–Floquet Composites: Electron–Hole Entanglement and Information. Nano Lett. 2024, 24 (42), 13192–13199. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c03100
