Samsung και ASML επεκτείνουν τη συνεργασία High NA EUV για τσιπ επόμενης γενιάς

Η Samsung Electronics και η ASML ανακοίνωσαν την επέκταση της μακροχρόνιας στρατηγικής τους συνεργασίας στις 8 Σεπτεμβρίου 2026, ενισχύοντας τη συνεργασία στην λειθογραφία High NA EUV και στις προηγμένες τεχνολογίες κατασκευής ημιαγωγών. Σύμφωνα με την επεκταμένη συμφωνία, η Samsung θα ενταχθεί σε μια βιομηχανική πρωτοβουλία για την προώθηση της τεχνολογίας φωτομάσκας 12‑ιντσών επόμενης γενιάς και σχεδιάζει να εισαγάγει τη λειθογραφία Extreme Ultraviolet High NA της ASML στην μελλοντική μαζική παραγωγή DRAM έως το 2028, κάτι που αποτελεί πρώτο στην βιομηχανία, σύμφωνα με την κοινή ανακοίνωση των εταιρειών.

Οι δύο εταιρείες δήλωσαν ότι θα συνεργαστούν για να επιταχύνουν την ανάπτυξη και την υλοποίηση τεχνολογιών που υποστηρίζουν τις αυξανόμενες απαιτήσεις απόδοσης και αποδοτικότητας στην προηγμένη κατασκευή ημιαγωγών. Η συνεργασία βασίζεται σε χρόνια συνεργασίας μεταξύ του ολλανδικού προμηθευτή εξοπλισμού λειθογραφίας και του κορεατικού κατασκευαστή τσιπ.

Πρωτοβουλία Φωτομάσκας 12 ιντσών

Η Samsung θα ενταχθεί στην βιομηχανική πρωτοβουλία για την προώθηση της τεχνολογίας φωτομάσκας 12‑ιντσών επόμενης γενιάς για τη μελλοντική παραγωγή. Η βιομηχανία ημιαγωγών έχει στηριχθεί στη μορφή φωτομάσκας 6‑ιντσών για δεκαετίες. Με το High NA EUV, η μετάβαση σε μεγαλύτερες, 12‑ιντσες μάσκες αναμένεται να αυξήσει περαιτέρω την παραγωγικότητα των εργοστασίων, να μειώσει το κόστος κατασκευής τσιπ και να αφαιρέσει τους περιορισμούς συγκόλλησης, σύμφωνα με την ανακοίνωση.

Η μεγαλύτερη μορφή μάσκας προορίζεται να επιτρέψει στους προχωρημένους κατασκευαστές τσιπ να αξιοποιήσουν πλήρως τα πλεονεκτήματα του High NA EUV, καθιστώντας τις μελλοντικές γενιές κορυφαίων τσιπ πιο οικονομικές. Η Samsung δήλωσε ότι θα συνεργαστεί στενά με βιομηχανικούς εταίρους για την ανάπτυξη των απαιτούμενων τεχνολογιών μάσκας και της υποστηρικτικής υποδομής, αξιοποιώντας την ηγεσία της τόσο στην παραγωγή μνήμης όσο και στην κατασκευή, καθώς και την εκτενή εμπειρία της στην προχωρημένη λειθογραφία EUV.

High NA EUV στην Κατασκευή DRAM

Η Samsung επίσης σχεδιάζει να εισαγάγει τη λειθογραφία High NA EUV της ASML στην μελλοντική μαζική παραγωγή DRAM για πρώτη φορά στη βιομηχανία έως το 2028. Η εταιρεία δήλωσε ότι αυτή η κίνηση δείχνει την ετοιμότητα της τεχνολογίας High NA να υποστηρίξει προχωρημένες εφαρμογές μνήμης και λογικής. Αναμένεται ότι το High NA EUV θα επεκτείνει το χάρτη κλίμακας του DRAM, με βελτιωμένη ανάλυση που επιτρέπει την απλοποίηση της διαδικασίας και την αύξηση της αποδοτικότητας, σύμφωνα με την ανακοίνωση.

Τα συστήματα High NA EUV αυξάνουν το αριθμητικό άνοιγμα των προβολικών οπτικών από 0,33 σε 0,55, επιτρέποντας την εκτύπωση πιο λεπτών χαρακτηριστικών στο wafer.

Οι εταιρείες περιέγραψαν την ανακοίνωση ως ένδειξη κοινής δέσμευσης στην καινοτομία, στην τεχνολογική ηγεσία και στη μακροπρόθεσμη συνεργασία. Η Samsung και η ASML αναμένουν να συνεχίσουν την εξερεύνηση ευκαιριών συνεργασίας σε τομείς όπως η προχωρημένη μνήμη και οι καινοτόμες προσεγγίσεις παραγωγής.

Δηλώσεις Διοίκησης

Ο Young Hyun Jun, Αντιπρόεδρος και Διευθύνων Σύμβουλος της Samsung Electronics, δήλωσε ότι η εποχή της τεχνητής νοημοσύνης μετασχηματίζει τη βιομηχανία ημιαγωγών και αυξάνει τη σημασία της τεχνολογικής καινοτομίας σε όλη την αλυσίδα αξίας. “Η Samsung δεσμεύεται να διατηρήσει την ηγετική θέση της στην προχωρημένη κατασκευή ημιαγωγών, συμπεριλαμβανομένης της μνήμης και της φάβρας, μέσω πρωτοποριακών τεχνολογιών και ισχυρών συνεργασιών,” είπε ο Jun. “Ενισχύοντας περαιτέρω τη συνεργασία μας με την ASML, συμβάλλουμε στη θέσπιση των βάσεων για την επόμενη γενιά καινοτομίας AI και ημιαγωγών.”

Ο Christophe Fouquet, Πρόεδρος και Διευθύνων Σύμβουλος της ASML, δήλωσε ότι η Samsung αποτελεί έναν από τους σημαντικότερους εταίρους καινοτομίας της ASML για πολλά χρόνια και ότι οι εταιρείες έχουν συμβάλει στην προώθηση των τεχνολογιών που στηρίζουν τη σύγχρονη κατασκευή ημιαγωγών. “Καθώς η βιομηχανία εισέρχεται σε μια νέα εποχή που καθοδηγείται από την τεχνητή νοημοσύνη, η στενή συνεργασία με τους πελάτες μας γίνεται ακόμη πιο σημαντική,” είπε ο Fouquet. “Ανυπομονούμε να συνεργαστούμε με τη Samsung για να ενεργοποιήσουμε το επόμενο κύμα καινοτομίας ημιαγωγών.”

Η Samsung δημοσίευσε αντίστοιχη ανακοίνωση στο παγκόσμιο newsroom της, η οποία περιέχει τους ίδιους όρους και δηλώσεις διοίκησης, ημερομηνίας 8 Σεπτεμβρίου 2026, από Σεούλ, Κορέα, και Βελνχόβεν, Ολλανδία.

Κατάσταση με Προοπτική

Η προγραμματισμένη εισαγωγή του High NA EUV στην μαζική παραγωγή DRAM το 2028 και τα αναμενόμενα οφέλη της μετάβασης σε φωτομάσκα 12 ιντσών αποτελούν προοπτικές δηλώσεις που έγιναν από τις εταιρείες κατά την ημερομηνία της ανακοίνωσης. Η ASML σημείωσε στην ανακοίνωση ότι τέτοιες δηλώσεις ενέχουν κινδύνους και αβεβαιότητες, συμπεριλαμβανομένων κινδύνων που σχετίζονται με τη στρατηγική συνεργασία, τη μετάβαση σε φωτομάσκα και την υιοθέτηση και τα οφέλη της τεχνολογίας High NA EUV, και ότι δεν υποχρεούται να τις ενημερώσει μετά την ημερομηνία του εγγράφου εκτός εάν απαιτείται από το νόμο. Η εταιρεία αναφέρθηκε σε παράγοντες κινδύνου που περιλαμβάνονται στην πιο πρόσφατη Ετήσια Έκθεσή της με τη Φόρμα 20‑F και σε άλλες καταχωρίσεις στη U.S. Securities and Exchange Commission.

Η ASML, με έδρα το Βελνχόβεν, Ολλανδία, παρέχει υλικό, λογισμικό και υπηρεσίες που χρησιμοποιούνται για τη μαζική παραγωγή των προτύπων των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Η εταιρεία απασχολεί περισσότερους από 44.000 εργαζόμενους σε γραφεία στην ΕΜΕΑ, τις Ηνωμένες Πολιτείες και την Ασία, και οι μετοχές της διαπραγματεύονται στο Euronext Amsterdam και στο NASDAQ υπό το σύμβολο ASML.