Υπολογιστική

Πώς οι Επιστήμονες Κατέστησαν τα Ημιαγωγά Υπεραγωγικά

mm
Προσθέστε το Securities.io στις προτιμώμενες πηγές σας στο Google
Γνωστοποίηση: Η Securities.io μπορεί να λαμβάνει αμοιβή όταν χρησιμοποιείτε συνδέσμους προς προϊόντα που αξιολογούμε. Αυτό δεν επηρεάζει τις συντακτικές μας αξιολογήσεις. Δεν είμαστε εγγεγραμμένος επενδυτικός σύμβουλος· το παρόν δεν αποτελεί επενδυτική συμβουλή. Διαβάστε τη γνωστοποίηση συνεργατών.

Περιορισμοί της Υπεραγωγιμότητας

Η ηλεκτρισμός ήταν μία από τις πιο μετασχηματιστικές τεχνολογίες στην ιστορία, επιτρέποντας τη μετάδοση μιας πολύ χρήσιμης μορφής ενέργειας σε μεγάλες αποστάσεις. Ωστόσο, κάθε «κανονικό» ηλεκτρικό σύστημα αντιμετωπίζει ηλεκτρική αντίσταση, η οποία οδηγεί στη δημιουργία θερμότητας όταν εφαρμόζεται ηλεκτρικό ρεύμα.

Υπάρχει μια εναλλακτική: τα υπεραγωγικά υλικά. Τα υπεραγωγικά υλικά έχουν μηδενική ηλεκτρική αντίσταση, επιτρέποντας την ροή εξαιρετικά ισχυρών ρευμάτων χωρίς παραγωγή θερμότητας.

Χωρίς την υπεραγωγικότητα, πολλές σύγχρονες τεχνολογίες δεν θα ήταν δυνατές, όπως οι επιταχυντές σωματιδίων (για παράδειγμα, CERN), η Μαγνητική Τομογραφία (MRI) και μαγνητικά τρένα.

Η υπεραγωγικότητα θα είναι ένα κρίσιμο στοιχείο των πιο υποσχόμενων μεγαπρογραμμάτων και τεχνολογικών καινοτομιών, όπως το ITER και η πυρηνική σύντηξη, μαζικοί επιταχυντές, κβαντικοί υπολογιστές, κ.λπ.

Οι γραμμές ηλεκτρικής ενέργειας χωρίς απώλειες θα μπορούσαν επίσης να είναι κρίσιμες για την ανάπτυξη υπερβολικά μακρών δικτυακών συνδέσεων, βοηθώντας στην εξισορρόπηση της παραγωγής ανανεώσιμων πηγών ενέργειας ανάλογα με τις καιρικές συνθήκες και τις ζώνες ώρας, επιλύοντας ορισμένους περιορισμούς της ηλιακής και αιολικής ενέργειας.

Ωστόσο, η υπεραγωγικότητα έχει κατακτηθεί μέχρι στιγμής μόνο για υλικά που την εμφανίζουν σε υπερβολικά χαμηλές θερμοκρασίες, μόλις μερικά βαθμούς πάνω από το απόλυτο μηδέν. Ή σε εξαιρετικά υψηλή πίεση. Ή και τα δύο.

Αυτό το καθιστά όχι μόνο πολύπλοκο για όλες εκτός από τις πιο απαιτητικές εφαρμογές (μαγνητικά τρένα, MRI κ.λπ.) αλλά και πολύ δαπανηρό, καθιστώντας το μη οικονομικά βιώσιμο για πολλές εφαρμογές που θα μπορούσαν να ωφεληθούν από υπεραγωγικά υλικά σε μεγάλη κλίμακα.

Πολλές Διαδρομές προς την Υπεραγωγικότητα

Τώρα φαίνεται ότι το υλικό που παράγεται υπό υψηλή πίεση μπορεί να διατηρήσει μέρος της υπεραγωγικότητά του σε χαμηλότερη πίεση μέσω μιας πειραματικής μεθόδου που ονομάζεται πρωτόκολλο πίεσης-κρύωσης (PQP).

Πρόσφατα, το στριμωγμένο διπλό στρώμα του WSe₂ (βασφύριο σεληνίου) φάνηκε να είναι ένας καλός υποψήφιος υλικός για υπεραγωγούς υψηλότερης θερμοκρασίας επίσης.

Μια ακόμη νέα κατηγορία δυνητικών υπεραγωγών, διπλά νικελιτικά, μπορεί επίσης να προστέθηκαν στη λίστα φέτος.

Παρόλα αυτά, όλα αυτά τα υλικά είναι σχετικά νέα και εξωτικά, καθιστώντας τα ακόμη μακριά από τη μαζική παραγωγή και την εφαρμογή σε μεγάλη κλίμακα.

Αυτό θα μπορούσε να αλλάξει, χάρη στην ανακάλυψη ότι τα ημιαγωγά βασισμένα σε γερμάνιο μπορούν να μετατραπούν σε υπεραγωγούς. Η έρευνα αυτή πραγματοποιήθηκε από επιστήμονες του Πανεπιστημίου Queensland (Αυστραλία), του New York University, του ETH Zürich (Ελβετία) και του The Ohio State University, οι οποίοι δημοσίευσαν τα ευρήματά τους στο Nature Nanotechnology1, υπό τον τίτλο «Superconductivity in substitutional Ga-hyperdoped Ge epitaxial thin films».

Από Ημιαγωγούς σε Υπεραγωγούς

Ημιαγωγοί Γερμανίου

Το γερμάνιο και το πυρίτιο είναι και τα δύο στοιχεία της λεγόμενης Ομάδας IV, με κρυσταλλικές δομές τύπου διαμαντιού. Αυτή η κρυσταλλική δομή τα κάνει να συμπεριφέρονται ως κάτι ενδιάμεσο μεταξύ μετάλλου (αγώγιμο του ηλεκτρισμού) και μονωτή (μη αγώγιμο), καθιστώντας τα χρήσιμα για την παραγωγή ημιαγωγών.

Ήταν στην πραγματικότητα ένα από τα πρώτα υλικά που χρησιμοποιήθηκαν για διόδους και τρανζίστορ, και αντικαταστάθηκε μόνο από το πυρίτιο χάρη στο χαμηλότερο κόστος του και την ανώτερη θερμική σταθερότητα

Σήμερα, το γερμάνιο, που είναι κρίσιμο για την ηλεκτρονική και την υπέρυθρη οπτική, συμπεριλαμβανομένων αισθητήρων σε πυραύλους και δορυφόρους άμυνας, παράγεται κυρίως από ορυχεία ψευδαργύρου και μολυβδενίου.

Για να δημιουργηθεί η υπεραγωγικότητα, χρειάζονται τα ηλεκτρόνια να ζευγαρώσουν, επιτρέποντάς τους να κινούνται μέσα στο υλικό χωρίς αντίσταση.

Ήδη το 2023, βρέθηκε μια υπεραγωγική φάση σε φιλμ γερμανίου, μια εργασία που πραγματοποιήθηκε από ερευνητές υπεύθυνους για αυτήν την πρόσφατη ανακάλυψη, ντόπινγκ γαλλίου με γερμάνιο.

Πηγή: ResearchGate

“Αυτό λειτουργεί επειδή τα στοιχεία της ομάδας IV δεν υπεραγωγούν φυσικά υπό κανονικές συνθήκες, αλλά η τροποποίηση της κρυσταλλικής τους δομής επιτρέπει το σχηματισμό ζευγών ηλεκτρονίων που επιτρέπουν την υπεραγωγικότητα.”
Javad Shabani – Διευθυντής του Κέντρου Κβαντικής Πληροφορικής του NYU.

Δυνατότητα Κλιμάκωσης

Ενώ προηγούμενες προσπάθειες δημιουργίας υπεραγωγικής συμπεριφοράς σε ημιαγωγούς όπως το γερμάνιο και το πυρίτιο απέδειξαν τη θεωρία, δυσκολεύτηκαν να το υλοποιήσουν σε κλίμακα.

Τα κύρια ζητήματα ήταν η διατήρηση της ατομικής δομής με κατάλληλες ιδιότητες αγωγιμότητας. Κανονικά, υψηλά επίπεδα γαλλίου αστάθουν το κρύσταλλο, εμποδίζοντας την υπεραγωγικότητα.

Παρόλα αυτά, αυτή είναι μια υποσχόμενη ιδέα, καθώς η παραγωγή ημιαγωγών γερμανίου είναι μια πολύ καλά κατανοητή τεχνολογία, με άφθονο εξοπλισμό έτοιμο για χρήση.

“Το γερμάνιο είναι ήδη ένα υλικό-βασικό για προηγμένες τεχνολογίες ημιαγωγών, έτσι δείχνοντας ότι μπορεί επίσης να γίνει υπεραγωγικό υπό ελεγχόμενες συνθήκες ανάπτυξης, υπάρχει τώρα η δυνατότητα για κλιμακώσιμες, έτοιμες για φάρμα κβαντικές συσκευές.”
Dr Peter Jacobson – Ερευνητής στο Πανεπιστήμιο Queensland

Νέα Μέθοδος Παραγωγής

Οι περισσότερες μέθοδοι ντόπινγκ προσπαθούν να ενσωματώσουν τα ιόντα στο υλικό, αλλά οδηγούν σε αρκετά ακανόνιστα αποτελέσματα. Ενώ αυτό μπορεί να είναι αρκετό για τη βελτίωση της απόδοσης των ημιαγωγών, είναι πολύ ακριβής για την πρόκληση υπεραγωγικότητας.

Αντί αυτού, οι ερευνητές χρησιμοποίησαν μια τεχνική που ονομάζεται μοριακή ακτινοβολία (MBE). Κατευθύνει δείγματα ατομικών ή μοριακών πηγών σε ένα θερμαινόμενο υπόστρωμα σε περιβάλλον υπερυψηλής κενού (UHV).

Αυτό παρέχει ακριβή έλεγχο της σύνθεσης, του πάχους και του ντόπινγκ της αυξανόμενης μεμβράνης.

“Αντί της ιόνισης, η μοριακή ακτινοβολία (MBE) χρησιμοποιήθηκε για την ακριβή ενσωμάτωση ατόμων γαλλίου στο κρυσταλλικό πλέγμα του γερμανίου.

Η χρήση επαφής – η ανάπτυξη λεπτών κρυσταλλικών στρωμάτων – σημαίνει ότι μπορούμε τελικά να επιτύχουμε την δομική ακρίβεια που απαιτείται για την κατανόηση και τον έλεγχο του πώς εμφανίζεται η υπεραγωγικότητα σε αυτά τα υλικά.

”
Dr Julian Steele – Ερευνητής στο Πανεπιστήμιο Queensland

Κατά τη χρήση απορρόφησης ακτίνων Χ με βάση το συνσυμπαγές, οι ερευνητές διαπίστωσαν ότι τα ντόπινγκ γαλλίου ενσωματώνονται στο πλέγμα του γερμανίου, εισάγοντας μια τετραγωνική παραμόρφωση στη μονάδα κρυστάλλου.

Αυτή η δομική τάξη δημιουργεί μια στενή ηλεκτρονική ζώνη για την εμφάνιση της υπεραγωγικότητας στο Ge.

Ακόμη πιο σημαντικό, αυτή η μέθοδος μπορεί να λειτουργήσει σε κλίμακα επιπέδου wafer, τις ίδιες μεθόδους που χρησιμοποιούνται για τη μαζική παραγωγή ηλεκτρονικών τσιπ.

Πηγή: WaferWorld

“Αυτή η θεωρητική εργασία επιβεβαίωσε ότι τα άτομα γαλλίου αντικαθιστούν με ακρίβεια το πλέγμα του γερμανίου, δημιουργώντας τις ηλεκτρονικές συνθήκες για την υπεραγωγικότητα.

Είναι ένα κομψό παράδειγμα του πώς ο υπολογισμός και το πείραμα μαζί μπορούν να λύσουν ένα πρόβλημα που έχει προκλήσει την επιστήμη των υλικών για περισσότερο από μισό αιώνα.

”
Dr Carla Verdi – Ερευνήτρια στο Πανεπιστήμιο Queensland

Εφαρμογές

Η υπεραγωγικότητα που δημιουργεί αυτή η μέθοδος δεν είναι υπεραγωγικότητα σε θερμοκρασία δωματίου, καθώς απαιτεί θερμοκρασίες έως και 3,5 K (-269 °C / -453 °F), ένα φαινόμενο που εξακολουθεί να ξεφεύγει από την επιστήμη των υλικών.

Παρόλα αυτά, η ευκολία παραγωγής του, χρησιμοποιώντας καλά εδραιωμένο εξοπλισμό της βιομηχανίας ημιαγωγών, θα μπορούσε να αλλάξει ριζικά τον τρόπο κατασκευής υπεραγωγικών τσιπ.

Με τη σειρά του, αυτό θα μπορούσε να αλλάξει ριζικά τον τρόπο παραγωγής υλικών για κβαντικούς υπολογιστές. Πιθανότατα, αντί για ακριβό υπεραγωγικό υλικό, ένας μελλοντικός κβαντικός υπολογιστής θα μπορούσε να χρησιμοποιεί απλώς ένα «κανονικό» γαλλίου-γερμάνιο ημιαγωγικό wafer, που θα γίνει υπεραγωγικό σε συγκεκριμένα σημεία του τσιπ.

“Αυτά τα υλικά ανοίγουν ένα μονοπάτι για μια νέα εποχή υβριδικών κβαντικών συσκευών και θα μπορούσαν να υποστηρίξουν μελλοντικά κβαντικά κυκλώματα, αισθητήρες και χαμηλής ισχύος κρυογενικά ηλεκτρονικά, όλα τα οποία απαιτούν καθαρά περιθώρια μεταξύ υπεραγωγικών και ημιαγωγικών περιοχών.”
Dr Peter Jacobson – Ερευνητής στο Πανεπιστήμιο Queensland

Σύρετε για κύλιση →

Υλικό / Μέθοδος Τύπος Κριτική Θερμοκρασία (K) Κλιμακωσιμότητα
Copper-oxide (YBCO) Κεραμικό υψηλής Tc 92 K Περιορισμένη – εύθραυστη
Hydride (H₃S under pressure) Βασισμένο σε υδρογόνο 203 K (υψηλή πίεση) Χαμηλή – ακραία πίεση
Gallium-doped Germanium (this study) Βασισμένο σε ημιαγωγό 3.5 K Υψηλή – σε επίπεδο wafer

Επένδυση στην Παραγωγή Ημιαγωγών

TSMC

TSM Διάγραμμα τιμής

Η παραγωγή ημιαγωγών είναι μια βιομηχανία που κυριαρχείται από τον συνδυασμό πολύ εξειδικευμένης και σύνθετης τεχνογνωσίας, καθώς και την ανάγκη μαζικής παραγωγής σε κλίμακα για τη μείωση του κόστους.

Καμία εταιρεία δεν έχει επιτύχει τόσο καλά στην κυριαρχία αυτού του επιχειρηματικού μοντέλου όσο η TSMC, η ταϊβανέζικη εταιρεία που ηγείται παγκοσμίως στην κατασκευή υπερ-προηγμένων τσιπ.

Η TSMC παράγει, φυσικά, κυρίως τσιπ πυριτίου, συμπεριλαμβανομένων των πιο ισχυρών τσιπ 3 και 2 nm. Και καθώς παράγει κυρίως τα πιο προηγμένα και ακριβά τσιπ, ελέγχει πάνω από το ήμισυ των παγκόσμιων εσόδων της βιομηχανίας κατασκευής ημιαγωγών.

 

Πηγή: Eric Flaningam

Η TSMC σήμερα εξελίσσεται για να αρχίσει την παραγωγή τσιπ πυριτίου στις ΗΠΑ, ιδιαίτερα με μια τεράστια επένδυση στις νέες εργοστάσια της στην Αριζόνα.

Παρόλα αυτά, η TSMC είναι επίσης ειδική σε προηγμένα τρανζίστορ βασισμένα σε γερμάνιο και άλλα ημιαγωγούς.

Έτσι, ενώ η εταιρεία κερδίζει κυρίως από τα προηγμένα τσιπ και την κατασκευή υλικού AI για εταιρείες όπως η Nvidia (NVDA ), θα μπορούσε επίσης να είναι ένας από τους κύριους ωφελούμενους της ανακάλυψης ότι οι κοινές μέθοδοι παραγωγής ημιαγωγών μπορούν να παράγουν.

Τελευταία Νέα και Ανάπτυξη Μετοχής TSMC (TSM)

Μελέτη Αναφοράς:

1. Steele, J.A., Strohbeen, P.J., Verdi, C. et al. Superconductivity in substitutional Ga-hyperdoped Ge epitaxial thin films. Nat. Nanotechnol. (2025). https://doi.org/10.1038/s41565-025-02042-8

Ο Jonathan είναι πρώην ερευνητής βιοχημείας που εργάστηκε στην γενετική ανάλυση και σε κλινικές δοκιμές. Είναι τώρα αναλυτής μετοχών και συγγραφέας οικονομικών με έμφαση στην καινοτομία, τους κύκλους της αγοράς και τη γεωπολιτική στη δημοσίευσή του 'The Eurasian Century'.