Το Laser Αποκαλύπτει Κρυμμένο Μαγνητισμό στα Καθημερινά Μέταλλα

Ο κόσμος της τεχνολογίας προοδεύει ραγδαία, με ερευνητές να κάνουν ανακαλύψεις κάθε μέρα. Μόλις την περασμένη εβδομάδα, οι επιστήμονες δημοσίευσαν το έργο τους, το οποίο έλυσε ένα παλιό μυστήριο της φυσικής.

Διεξαχθείσα από ερευνητές του Εβραϊκού Πανεπιστημίου σε συνεργασία με το Πανεπιστήμιο της Πενσυλβανίας και το Πανεπιστήμιο του Μάντσεστερ, η μελέτη ανίχνευσε λεπτές μαγνητικές ενδείξεις σε μέταλλα που δεν είναι συνήθως μαγνητικά, χρησιμοποιώντας μόνο φως και μια τροποποιημένη μέθοδο laser.

Αυτές οι αχνές μαγνητικές επιδράσεις, που μοιάζουν περισσότερο με “ψίθυρους”, σε μη-μαγνητικά υλικά ήταν προηγουμένως αδυνατότητα ανίχνευσης για προφανείς λόγους· ήταν απλώς πολύ μικρές. Αλλά τώρα, αυτό έχει αλλάξει. Αυτές οι επιδράσεις είναι μετρήσιμες, αποκαλύπτοντας νέα μοτίβα συμπεριφοράς των ηλεκτρονίων που ήταν κρυμμένα μέχρι αυτή τη μελέτη.

Με αυτή την ανακάλυψη, οι επιστήμονες έχουν μεταμορφώσει πλήρως πώς ερευνούμε τον μαγνητισμό σε καθημερινά υλικά, χωρίς καλώδια ή ογκώδεις όργανα. Αυτό θα μπορούσε ακόμη και να ανοίξει δρόμους προς την αποθήκευση μνήμης, την κβαντική υπολογιστική, και μικρότερη, ταχύτερη και πιο προηγμένη ηλεκτρονική.

Αποκάλυψη της Λεπτής Μαγνητικής Απόκρισης σε ‘Ήσυχα’ Μέταλλα

Δημοσιεύτηκε στο περιοδικό Nature Communications¹, η μελέτη περιγράφει έναν νέο τρόπο για την ταυτοποίηση μικροσκοπικών μαγνητικών σημάτων σε μέταλλα όπως ο χρυσός (Au), ο χαλκός (Cu), το αλουμίνιο (Al), το ταλκάνιο (Ta) και το πλατίνα (Pt).

Το θέμα είναι, γνωρίζουμε εδώ και πολύ καιρό ότι τα ηλεκτρικά ρεύματα λυγίζουν σε ένα μαγνητικό πεδίο, το οποίο είναι το φαινόμενο Hall. Αυτό το φαινόμενο είναι ιδιαίτερα ισχυρό και γνωστό σε μαγνητικά υλικά όπως ο σίδηρος, αλλά όταν πρόκειται για κοινά, μη-μαγνητικά μέταλλα όπως ο χρυσός, το φαινόμενο είναι μάλλον αδύναμο.

Το οπτικό φαινόμενο Hall (OHE), ένα σχετικό φαινόμενο, θα πρέπει να βοηθήσει στην οπτικοποίηση της συμπεριφοράς των ηλεκτρονίων όταν το φως και τα μαγνητικά πεδία αλληλεπιδρούν. 

Αλλά αυτό είναι θεωρητικό, καθώς σε ορατά μήκη κύματος, το φαινόμενο OHE είναι πολύ λεπτό για να το ανιχνεύσουν οι επιστήμονες. Έτσι, ενώ γνωρίζουμε ότι το φαινόμενο υπάρχει, μα μας λείπουν τα εργαλεία για να το μετρήσουμε πραγματικά.

«Ήταν σαν να προσπαθείς να ακούσεις έναν ψίθυρο σε ένα θορυβώδες δωμάτιο για δεκαετίες. Όλοι ήξεραν ότι ο ψίθυρος ήταν εκεί, αλλά δεν είχαμε μικρόφωνο αρκετά ευαίσθητο για να τον ακούσουμε.»

– Καθηγητής Amir Capua από το Ινστιτούτο Ηλεκτρικής Μηχανικής και Εφαρμοσμένης Φυσικής στο Εβραϊκό Πανεπιστήμιο

Όπως εξήγησε ο Καθ. Capua, αυτά τα μέταλλα, όπως ο χαλκός και ο χρυσός, θεωρούνται «μαγνητικά ‘ήσυχα’». Για παράδειγμα, αυτά τα υλικά, ο χρυσός και ο χαλκός, δεν προσκολλώνται στο ψυγείο όπως ο σίδηρος. «Αλλά στην πραγματικότητα, υπό τις κατάλληλες συνθήκες, ανταποκρίνονται σε μαγνητικά πεδία—απλώς με εξαιρετικά λεπτούς τρόπους», πρόσθεσε. Και πάντα ήταν πρόκληση να παρατηρηθούν αυτές οι αχνές επιδράσεις.

Έτσι, σε συνεργασία με άλλα πανεπιστήμια, οι ερευνητές συνέχισαν να διερευνήσουν πώς να ανιχνεύσουν αυτά τα πραγματικά μικρά μαγνητικά φαινόμενα σε υλικά που δεν είναι μαγνητικά.

Για αυτό, στράφηκαν σε μια τεχνική που ονομάζεται μαγνητο-οπτικό φαινόμενο Kerr (MOKE) και την αναβάθμισαν. Στη μέθοδο MOKE, χρησιμοποιείται ένα laser για να μετρήσει πώς ο μαγνητισμός επηρεάζει την κατεύθυνση του φωτός.

The study notes that, because the anomalous Hall effect (AHE) observed in ferromagnets (materials like iron, nickel, or cobalt with long-range, parallel alignment of atomic moments resulting in spontaneous net magnetization) is much stronger than the ordinary Hall effect (OHE), the optical Hall effect is much weaker than the magneto-optical Kerr effect (MOKE). It is so weak that it can hardly be detected in visible light.

Άρα, ο λόγος για την τροποποίηση της τεχνικής MOKE. Οι ερευνητές παρουσίασαν τη τεχνική MOKE, η οποία βασίζεται στη μεγαλοπλάσια διαμόρφωση του εξωτερικά εφαρμοσμένου μαγνητικού πεδίου. Για αυτό, χρησιμοποίησαν μόνιμα μαγνήτες τοποθετημένους σε περιστρεφόμενο δίσκο.

Οι ερευνητές συνδύασαν αυτό με ένα μπλε laser 440 nm, το οποίο τους επέτρεψε να ενισχύσουν σημαντικά την ευαισθησία της τεχνικής. Ως αποτέλεσμα, μπόρεσαν να ανιχνεύσουν τα μαγνητικά “ηχώ” σε μη-μαγνητικά μέταλλα, κάτι που προηγουμένως ήταν σχεδόν αδύνατο να επιτευχθεί. Η μελέτη σημειώνει:

«Η ανώτερη ευαισθησία της τεχνικής ανοίγει το δρόμο προς την ανακάλυψη νέων φαινομένων και εφαρμογών, όπως η οπτική προσδιορισμός της αλληλεπίδρασης spin-orbit.»

Οπτική Ηχώ Αποκαλύπτει Κρυμμένα Μαγνητικά Σήματα σε Μέταλλα

Οι μετρήσεις Hall είναι μια βασική τεχνική στην έρευνα υλικών και τη στερεά φυσική. Το φαινόμενο Hall μας επιτρέπει να μελετήσουμε τα υλικά σε ατομική κλίμακα και να ανακαλύψουμε πόσοι ηλεκτρόνια υπάρχουν σε ένα μέταλλο. Είναι κρίσιμο για τη γεφύρωση του χάσματος μεταξύ θεμελιώδους έρευνας και πρακτικών εφαρμογών.

Ωστόσο, η μέτρηση του φαινομένου είναι παραδοσιακά μια δύσκολη και χρονοβόρα διαδικασία, ειδικά όταν εργάζονται με εξαρτήματα που είναι πολύ μικρά, σε κλίμακα νανομέτρων. Για αυτό, οι επιστήμονες έπρεπε πρώτα να συνδέσουν καλώδια στη συσκευή, αλλά πλέον δεν χρειάζεται.

Η νέα προσέγγιση είναι πολύ απλή· χρειάζεται μόνο ένα laser που να φωτίζει τη συσκευή.

Όπως σημείωσε ο Καθ. Capua, ακόμη και ο Edwin Hall, που ανακάλυψε το φαινόμενο Hall, δεν είχε επιτυχία όταν προσπάθησε να μετρήσει το φαινόμενο χρησιμοποιώντας μια δέσμη φωτός. Όπως συνοψίζει ο Hall στην τελική πρόταση του άρθρου του το 1881:

«Νομίζω ότι, αν η δράση του αργύρου ήταν ένα δέκατο τόσο ισχυρή όσο αυτή του σιδήρου, το φαινόμενο θα είχε ανιχνευθεί. Δεν παρατηρήθηκε τέτοιο φαινόμενο.»

Αλλά στην πιο πρόσφατη έρευνα, οι επιστήμονες, στην πραγματικότητα, παρατήρησαν το φαινόμενο «ρυθμίζοντας στη σωστή συχνότητα—και γνωρίζοντας πού να κοιτάξουν», είπε ο Καθ. Capua.

Με αυτό, η ομάδα «βρήκε έναν τρόπο να μετρήσει αυτό που κάποτε θεωρούνταν αόρατο», πρόσθεσε ο Καθ. Capua, «Αυτή η έρευνα μετατρέπει ένα σχεδόν 150 ετών επιστημονικό πρόβλημα σε μια νέα ευκαιρία.»

Η πιο βαθιά ανάλυση βοήθησε την ομάδα να βρει ότι αυτό που φαινόταν τυχαίος «θόρυβος» στο σήμα τους δεν ήταν καθόλου τυχαίος, αλλά είχε σαφές νόημα και μοτίβο.

Το ακολουθούμενο μοτίβο σχετιζόταν με τη σύζευξη spin-orbit (SOC). Αυτή η κβαντική ιδιότητα συνδέει το πώς κινούνται τα ηλεκτρόνια με το πώς περιστρέφονται, κάτι που επηρεάζει τον τρόπο με τον οποίο η μαγνητική ενέργεια διαχέεται στα υλικά.

Οι νέες γνώσεις που αποκτήθηκαν έχουν άμεσες και σημαντικές επιπτώσεις στον σχεδιασμό σπινοτρονικών συσκευών, μαγνητικής μνήμης και κβαντικών συστημάτων.

«Είναι σαν να ανακαλύπτεις ότι το στατικό σε ένα ραδιόφωνο δεν είναι μόνο παρεμβολή—είναι κάποιος που ψιθυρίζει πολύτιμες πληροφορίες. Τώρα χρησιμοποιούμε το φως για να ‘ακούσουμε’ αυτά τα κρυφά μηνύματα από τα ηλεκτρόνια.»

– Υποψήφιος διδάκτορας Nadav Am Shalom από το Εβραϊκό Πανεπιστήμιο

Η νέα τεχνική προσφέρει στην πραγματικότητα ένα μη επεμβατικό, εξαιρετικά ευαίσθητο εργαλείο για την εξερεύνηση του μαγνητισμού σε μέταλλα, χωρίς την ανάγκη τεράστιων μαγνητών ή κρυογενών συνθηκών.

Η απλότητα και η ακρίβεια της τεχνικής θα μπορούσαν επίσης να βοηθήσουν τους μηχανικούς να κατασκευάσουν πιο ενεργειακά αποδοτικά συστήματα, ταχύτερους επεξεργαστές και αισθητήρες με υψηλή ακρίβεια.

Αλλά αυτό είναι μόνο η αρχή, με τη μελέτη να μιλά για την επέκταση του φάσματος των υλικών σε μελλοντική εργασία. Αυτό περιλαμβάνει επιπλέον μέταλλα, πολυεπίπεδες φιλμ, ημιαγωγούς και τοπολογικά και 2D υλικά.

Επίσης, μια “μέτρηση εξαρτημένης από τη θερμοκρασία είναι ιδιαίτερα ενδιαφέρουσα, καθώς θα μπορούσε να προσφέρει βασική κατανόηση των μηχανισμών θορύβου και να υποστηρίξει μια βαθύτερη κατανόηση της προέλευσής τους”, δήλωσε η μελέτη.

Κάντε κλικ εδώ για να μάθετε πώς τα lasers μπορούν να μετατρέψουν μη-μαγνητικά υλικά σε μαγνητικά.

Επέκταση του Φαινομένου Hall με Νέες Δυνατότητες

Κατά το τελευταίο έτος, οι ερευνητές συνέχισαν να εξετάζουν τις τεχνικές του φαινομένου Hall, ωθώντας τα όρια του δυνατού. Βασιζόμενοι στις κλασικές ηλεκτρικές μετρήσεις Hall, οι επιστήμονες αποκαλύπτουν νέες περιοχές, σηματοδοτώντας μια μετασχηματιστική αλλαγή.

Αυτό περιλαμβάνει την ανακάλυψη² σημαντικών μη γραμμικών φαινομένων Hall (NLHE) σε θερμοκρασία δωματίου στο tellurium (Te). Το φαινόμενο είναι μια δευτεροβάθμια απόκριση σε εναλλασσόμενο ρεύμα (AC) που παράγει σήματα δεύτερης αρμονικής χωρίς την ανάγκη εξωτερικού μαγνητικού πεδίου.

Το NLHE, ένα νέο μέλος της οικογένειας του φαινομένου Hall, έχει λάβει πολύ προσοχή λόγω των πιθανών εφαρμογών του σε συσκευές διπλασιασμού συχνότητας και διόρθωσης. Ωστόσο, προκλήσεις όπως οι χαμηλές θερμοκρασίες λειτουργίας και οι χαμηλές εξόδους τάσης Hall έχουν περιορίσει τις πρακτικές του εφαρμογές.

Έτσι, μια ερευνητική ομάδα από το Πανεπιστήμιο Επιστήμης και Τεχνολογίας της Κίνας (USTC) της Κινέζικης Ακαδημίας Επιστημών (CAS) αναζήτησε συστήματα που παρουσιάζουν αξιοσημείωτο NLHE σε ημιαγωγικά υλικά. Στη συνέχεια, εξέτασαν τη μη γραμμική απόκριση του tellurium, ενός εύθραυστου και σπάνιου στοιχείου που έχει μια μονοδιάστατη ελικοειδή αλυσίδα. Η δομή του εγγενώς λείπει η συμμετρία αντιστροφής, καθιστώντας το Te τον τέλειο υποψήφιο.

Όταν έβαλαν σε δοκιμή λεπτές φέτες tellurium (Te), ανακάλυψαν σημαντικά μη γραμμικά φαινόμενα Hall σε θερμοκρασία δωματίου. Σε θερμοκρασία 300 K, η μέγιστη έξοδος δεύτερης αρμονικής μπορεί να φτάσει μια τάξη μεγέθους υψηλότερη από προηγούμενα ρεκόρ, έως και 2,8 mV.

Με πιο βαθιά ανάλυση, το NLHE που παρατηρήθηκε στις λεπτές φέτες tellurium βρέθηκε να είναι κυρίως αποτέλεσμα εξωγενής σκέδασης. Εδώ, η διακοπή της συμμετρίας της επιφάνειας της δομής έπαιξε κρίσιμο ρόλο.

Βάσει αυτού, το εναλλασσόμενο ρεύμα (AC) αντικαταστάθηκε από σήματα ραδιοσυχνότητας (RF) που πραγματοποίησαν ασύρματη διόρθωση RF σε λεπτές φέτες Te και πέτυχαν σταθερή διόρθωση τάσης σε εύρος 0,3 έως 4,5 GHz. Με αυτόν τον τρόπο, η μελέτη ανοίγει νέες δυνατότητες για την ανάπτυξη προηγμένων ηλεκτρονικών συσκευών.

Πρόσφατα, ερευνητές από το Πανεπιστήμιο New South Wales εστίασαν στις ογκομετρικές καταστάσεις των τοπολογικών μονωτών, Bi2Se3 και Sb2Te3, και βρήκαν³ ότι η ροπή Hall τροχιακής κυριαρχεί πάνω από τη ροπή Hall σπιν για αποδοτική μετατροπή του ρεύματος φόρτισης σε ρεύμα σπιν.

Οι ογκομετρικές καταστάσεις δημιουργούν ένα σημαντικό OHE, έως και 3 τάξεις μεγέθους μεγαλύτερο από το SHE, σε τοπολογικούς μονωτές, εν μέρει λόγω του ότι η τροχιακή γωνιακή ορμή κάθε αγωγικού ηλεκτρονίου είναι μεγαλύτερη από το σπιν του.

Σημειώθηκε επίσης ότι η βελτιστοποίηση της μετατροπής από τροχιακή σε σπιν σε συσκευές σπιν-ροπής TI (τοπολογικοί μονωτές) είναι κλειδί για πιο αποδοτικό έλεγχο της μαγνητοποίησης, αλλά αυτό θα απαιτήσει προηγμένες τεχνικές και συγκεκριμένους φερρομαγνήτες.

Εν τω μεταξύ, ερευνητές από το Πανεπιστήμιο Johannes Gutenberg έδειξαν⁴  μια αποδοτική χρήση της ενισχυμένης αγωγικότητας orbital Hall των στρωμάτων Cr, Nb και Ru μαζί με ένα φερρομαγνητικό στρώμα κάθετο μαγνητισμού για συσκευές Spin-Orbit Torque (SOT) Magnetic Random-Access Memory (MRAM).

Οι συσκευές SOT-MRAM υπόσχονται καλύτερη απόδοση, μη-εξατμισιμότητα και ενεργειακή αποδοτικότητα σε σύγκριση με τη στατική RAM. Για να επιτευχθεί μακρά διατήρηση δεδομένων και αποδοτική εναλλαγή μαγνητισμού σε αυτές τις συσκευές, χρειαζόμαστε φερρομαγνήτες με κάθετη μαγνητική ανισοτροπία (PMA) συνδυασμένους με μεγάλες ροπές αυξημένες από το φαινόμενο Orbital Hall (OHE).

Έτσι, η ομάδα σχεδίασε ένα PMA (Co/Ni)3 FM σε επιλεγμένα στρώματα OHE και διερεύνησε το δυναμικό της αγωγικότητας orbital Hall (OHC).

Τα αποτελέσματα δείχνουν βελτίωση 30% στην αποδοτικότητα της ροπής και μείωση 60% στην ισχύ εναλλαγής, υπογραμμίζοντας το «επαγγελματικό δυναμικό αξιοποίησης του ενισχυμένου φαινομένου orbital Hall για την προώθηση της απόδοσης των επόμενων γενεών συσκευών SOT MRAM για εφαρμογές υψηλής πυκνότητας μνήμης cache».

Επένδυση στην Τεχνολογία Σπινοτρονικής

Everspin Technologies (MRAM ) ενεργά χρησιμοποιεί το σπιν των ηλεκτρονίων αντί του φορτίου για αποθήκευση δεδομένων. Είναι κορυφαίος προγραμματιστής λύσεων μνήμης μαγνητο-αντιστροφής (MRAM), ενός τύπου μη-πτητικής RAM που αποθηκεύει δεδομένα σε μαγνητικούς τομείς.

Το MRAM χρησιμοποιεί το μαγνητισμό του σπιν των ηλεκτρονίων για να παρέχει μη-εξατμισιμότητα και αποθηκεύει πληροφορίες σε μαγνητικό υλικό ενσωματωμένο με κυκλώματα πυριτίου, προσφέροντας τη μη-εξατμισιότητα του Flash και την ταχύτητα του SRAM σε μία συσκευή.

Τα προϊόντα τεχνολογίας MRAM της περιλαμβάνουν το Toggle MRAM, το οποίο παρέχει απλή, υψηλής πυκνότητας μνήμη με την Everspin χρησιμοποιώντας σχεδιασμό κυψέλης Toggle με πατέντα για υψηλή αξιοπιστία. Το άλλο προϊόν της είναι το Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM), το οποίο χρησιμοποιεί τη διαχείριση του σπιν των ηλεκτρονίων με ένα πολωτικό ρεύμα για να καθορίσει την επιθυμητή μαγνητική κατάσταση του MTJ.

Everspin Technologies (MRAM )

Με κεφαλαιοποίηση αγοράς 150 εκατομμυρίων δολαρίων, οι μετοχές MRAM διαπραγματεύονται αυτή τη στιγμή στα 6,68 δολάρια, με άνοδο 4,54% από την αρχή του έτους. Το EPS (TTM) είναι -0,01, και το P/E (TTM) είναι -451,35.

Για το πρώτο τρίμηνο που έληξε στις 31 Μαρτίου 2025, η εταιρεία ανέφερε συνολικά έσοδα 13,1 εκατομμύρια δολάρια. Οι πωλήσεις προϊόντων MRAM, συμπεριλαμβανομένων τόσο του Toggle όσο και του STT-MRAM, ανήλθαν σε 11 εκατομμύρια δολάρια. Τα έσοδα από αδειοδότηση, δικαιώματα, πατέντες και άλλα ήταν 2,1 εκατομμύρια δολάρια.

Κατά τη διάρκεια αυτής της περιόδου, το μικτό κέρδος ήταν 51,4%, τα λειτουργικά έξοδα GAAP ήταν 8,7 εκατομμύρια δολάρια, η καθαρή ζημία GAAP ήταν 1,2 εκατομμύρια δολάρια ή $(0,05) ανά αραίωση μετοχή, και το καθαρό εισόδημα μη-GAAP ήταν 0,4 εκατομμύρια δολάρια ή $0,02 ανά αραίωση μετοχή.

Τα μετρητά και τα ισοδύναμα μετρητών στο τέλος του τριμήνου αυξήθηκαν σε 42,2 εκατομμύρια δολάρια.

Φέτος, η Everspin εξασφάλισε επίσης σύμβαση από το Πανεπιστήμιο Purdue για τη χρήση του MRAM της ως βάση σε ένα πρόγραμμα που ονομάζεται CHEETA (CMOS+MRAM Υλικό για Ενεργειακά Αποδοτική AI). Το PERSYST MRAM της, εν τω μεταξύ, επικυρώθηκε για διαμόρφωση σε όλα τα FPGA της Lattice Semiconductor (LSCC ).

Νωρίτερα φέτος, η εταιρεία ανακοίνωσε δύο νέα προϊόντα ως μέρος της οικογένειας Orion xSPI, με αυτοκινητιστικό εύρος θερμοκρασιών για απαιτήσεις μόνιμης, υψηλής ταχύτητας μνήμης σε ακραία περιβάλλοντα.

«Περιμένουμε οι υπάρχοντες και νέοι πελάτες μας να εφαρμόσουν τα ανθεκτικά προϊόντα MRAM και την τεχνολογία της Everspin σε τέτοιες κρίσιμες εφαρμογές μέσω νικών σχεδιασμού και προγραμμάτων Στρατηγικής Αντοχής στην Ακτινοβολία για μνήμη και εφαρμογές FPGA.»

– Aggarwal

Τελευταία Νέα και Ανάπτυξη Μετοχών Everspin Technologies (MRAM)

Συμπέρασμα

Με κάθε νέα μελέτη, οι ερευνητές αποκαλύπτουν όσα οι επιστήμονες δεν μπορούσαν για χρόνια. Η πιο πρόσφατη κάνει ακριβώς αυτό, μετατρέποντας τα αχνά οπτικά σήματα σε σαφή μαγνητική παρουσία, δημιουργώντας έναν νέο τρόπο για μη-επικαλυπτική ανίχνευση σπιν ηλεκτρονίων. Επιπλέον, έχουν αποδείξει ότι αυτό που κάποτε φαινόταν ως θόρυβος κωδικοποιεί πλούσιες πληροφορίες spin‑orbit και ότι μπορεί ενδεχομένως να μετασχηματίσει το σχεδιασμό σπινοτρονικών, τη μαγνητική μνήμη και τις κβαντικές τεχνολογίες, οδηγώντας σε πιο ενεργειακά αποδοτικές συσκευές και ενισχυμένη χωρητικότητα αποθήκευσης δεδομένων.

Κάντε κλικ εδώ για να μάθετε πώς η πρόοδος στη μνήμη Ni₄W θα επιτρέψει εναλλαγή χωρίς μαγνήτη.

Αναφορές:

1. Am-Shalom, N.; Rothschild, A.; Bernstein, N.; Ginzburg, N.; Vinnicombe, H.; Illg, C.; Földes, D.; Kolel-Veetil, M.; Alfrey, A.; Bromley, S. T.; Barbiellini, B.; Everschor-Sitte, K.; Mishra, S.; Haim, M.; Lifshitz, E.; Hamann, D. R.; Stiles, M. D.; Schecter, M.; Sztenkiel, D.; Kapitulnik, A. Μέθοδος MOKE και Οπτικού Φαινομένου Hall με Ευαισθησία σε Ορατά Μήκη Κύματος: Ενδείξεις για το Gilbert Αποσβέση. Nature Communications, 16, 6423 (2025). Δημοσιεύτηκε online 17 Ιουλίου 2025. https://doi.org/10.1038/s41467-025-61249-4
2. Cheng, B.; Gao, Y.; Zheng, Z.; Wang, K.; Liu, X.; Li, Z.; Wang, G.; Liu, Y.; Huang, J.; Lai, J.; Xu, C.; Zhang, Y.; Zhao, Y.; Wang, J.; Lin, X.; Xu, X.; Lu, H.; Xu, Y. Γιγαντιαία Μη Γραμμική Hall και Ασύρματες Διορθωτικές Επιδράσεις σε Θερμοκρασία Δωματίου στο Στοιχειώδες Ημιαγωγό Tellurium. Nature Communications, 15, 5513 (2024). Δημοσιεύτηκε online 29 Ιουνίου 2024. https://doi.org/10.1038/s41467-024-49706-y
3. Cullen, J. H.; Liu, H.; Culcer, D. Γιγαντιαία επίδραση orbital Hall λόγω των ογκομετρικών καταστάσεων των 3D τοπολογικών μονωτών. npj Spintronics, 3, 22 (2025). Δημοσιεύτηκε online 3 Ιουνίου 2025. https://doi.org/10.1038/s44306-025-00087-y
4. Gupta, R.; Bouard, C.; Kammerbauer, F.; Shin, H.; Tang, P.; Shukla, N.; Kundu, A.; Sinn, S.; Finizio, S.; Heidler, J.; López-Díaz, L.; Kläui, M.; Jakob, G.; Kronast, F.; Jungfleisch, M. B.; Beens, M.; Garg, C.; Parkin, S. S. P. Εκμετάλλευση του Orbital Hall Effect σε Spin-Orbit Torque MRAM. Nature Communications, 16, 130 (2025). Δημοσιεύτηκε online 2 Ιανουαρίου 2025. https://doi.org/10.1038/s41467-024-55437-x